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Fabio Acerbi
Fondazione Bruno Kessler (FBK)
在 fbk.eu 的电子邮件经过验证
被引用次数:3362
single photon detectors
InGaAs
silicon photomultipliers
electronics
random number generators
Ling Xia
Massachusetts Institute of Technology
在 mit.edu 的电子邮件经过验证
被引用次数:531
Semiconductor
Strain/Stress effects
InGaAs
GaN
Amira Saryati Ameruddin
Lecturer, Universiti Tun Hussein Onn Malaysia
被引用次数:462
Semiconductor nanowires
III-V
MOCVD
InGaAs
AlGaAs
Michael Abraham
HRL Laboratories, LLC
在 cornell.edu 的电子邮件经过验证
被引用次数:368
III-V semiconductors
Quantum Computing Devices
InGaAs
GaN
2D materials
Luca Morassi
Ph.D. University Modena and Reggio Emilia
在 unimore.it 的电子邮件经过验证
被引用次数:294
III-V materials
InGaAs
MOSFETs
HEMTs
GaN
Hua Lun Ko
National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU)
在 g2.nctu.edu.tw 的电子邮件经过验证
被引用次数:105
InGaAs
MOSFETs
FinFETs
GAAFETs
Nanosheet FETs
Si-Meng Chen
PhD student, Tokyo Institute of Technology
在 m.titech.ac.jp 的电子邮件经过验证
被引用次数:42
III-N ferroelectrics
AlScN
InGaAs
GAAFET
GaN HEMT
Kacper Matuszelański
Vigo Photonics SA, VIGO System SA , Wojskowa Akademia Techniczna
在 vigo.com.pl 的电子邮件经过验证
IR detectors
InAs/InAsSb SL
InGaAs
HgCdTe
epitaxy
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