个人学术档案

James W Pomeroy

University of Bristol

在 bristol.ac.uk 的电子邮件经过验证

被引用次数：4684

Thermography Raman GaN HEMT Reliability Diamond

Meng Zhang

Xidian University

在 xidian.edu.cn 的电子邮件经过验证

被引用次数：1715

Gallium Nitride RF device power electronics GaN HEMT

Indranil Chatterjee

Airbus eXpert - Semiconductor Devices, Airbus

在 airbus.com 的电子邮件经过验证

被引用次数：1101

Semiconductor Devices Radiation Effects Reliability Physics GaN HEMT

Dr. Deepak Kumar Panda

Associate Professor in ECE, Amrita Vishwa Vidyapeetham, Amaravati Campus

在 av.amrita.edu 的电子邮件经过验证

被引用次数：1056

Biosensor TFET GaN HEMT Compact device model development Solar Cell Design

Arivazhagan L

RA @ University of Sharjah, UAE

在 srec.ac.in 的电子邮件经过验证

被引用次数：964

Device Modeling Trap Analysis Small Signal Modeling GaN HEMT

Nethaji Dharmarasu

Principal Research Scientist, Temasek Laboratories@NTU, Singapore

在 ntu.edu.sg 的电子邮件经过验证

被引用次数：949

GaN HEMT MOCVD MBE

Xiangdong Li (李祥东)

Xidian University, imec, KU Leuven

在 xidian.edu.cn 的电子邮件经过验证

被引用次数：863

GaN HEMT Reliability Power IC

June Sik Kwak

Director, RFHIC Inc.

在 rfhic.com 的电子邮件经过验证

被引用次数：572

WBG device GaN HEMT

Manikant

Senior Quality Manager (GaN)

在 nexperia.com 的电子邮件经过验证

被引用次数：471

GAN HEMT Reliability Wide bandgap semiconductor

Nitin Goyal

Infineon Technologies AG

在 infineon.com 的电子邮件经过验证

被引用次数：464

GaN HEMT GaN heterostructures III-V nitrides

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