Các bài viết có thể truy cập công khai - dilla berhanuddinTìm hiểu thêm
Không có ở bất kỳ nơi nào: 1
Photoluminescence study of the optically active, G-centre on pre-amorphised silicon by utilizing ion implantation technique
DD Berhanuddin, MA Lourenço, RM Gwilliam, KP Homewood
2016 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE), 256-259, 2016
Các cơ quan ủy nhiệm: European Commission
Có tại một số nơi: 2
G-centre formation and behavior in a silicon on insulator platform by carbon ion implantation and proton irradiation
DD Berhanuddin, NEA Razak, MA Lourenço, BY Majlis, KP Homewood
Sains Malaysiana 48 (6), 1251-1257, 2019
Các cơ quan ủy nhiệm: Royal Society UK
The effect of temperature to the formation of optically active point-defect complex, the carbon G-centre in pre-amorphised and non-amorphised silicon
DD Berhanuddin, MA Lourenço, RM Gwilliam, KP Homewood
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 384 (1), 012062, 2018
Các cơ quan ủy nhiệm: European Commission
Chương trình máy tính sẽ tự động xác định thông tin xuất bản và thông tin về nhà tài trợ