Zongyang Hu

Alıntı yapanlar

	Hepsi	2020 yılından bugüne
Alıntılar	4077	2610
h-endeksi	31	26
i10-endeksi	52	40

560

280

140

420

2012201320142015201620172018201920202021202220232024202530 89 101 119 204 209 263 434 501 542 537 519 431 79

Genel erişim

Tümünü görüntüle

32 makale

3 makale

genel erişime açık olanlar

genel erişime açık olmayanlar

Finansman sağlayan kuruluşun getirdiği zorunluluğa dayalı olarak

Katkıda bulunan yazarlar

Debdeep JenaCornell Universitycornell.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Huili Grace XingProf. of ECE & MSE, Cornell Universitycornell.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Bo SongAnalog Devicesanalog.com üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Mingda ZhuFinisar Corporationfinisar.com üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Meng QiPinterest Inc, University of Notre Damealumni.nd.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Guowang LiGoogle, Waymogoogle.com üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Jia GuoWolfspeed - A Cree Companycree.com üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Yuanzheng YueNXP Semiconductorsasu.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Yu CaoQorvoqorvo.com üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Gregory SniderProfessor of Electrical Engineeringnd.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Faiza Afroz FariaIntel Corporationintel.com üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Jai VermaSystem Validation Engineer, Intel Corporationalumni.nd.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Wayne JohnsonSoundside Partners LLCsoundsidepartners.com üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Satyaki Ganguly, Ph.D.GaN Chief Technology Lead (Research Science), HRL Laboratories, LLChrl.com üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Berardi Sensale RodriguezThe University of Utahalumni.nd.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Tian FangUniversity of Notre Damealumni.nd.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Golnaz KarbasianDisplay Panel Engineer at Appleapple.com üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip

Takip et

Zongyang Hu

Electrical and Computer Engineering, Cornell University

cornell.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip

Solid state devices power devices GaN Ga2O3


Başlık Alıntılara göre sırala Yıla göre sırala Başlığa göre sırala	Alıntı yapanlar Alıntı yapanlar	Yıl
InAlN/AlN/GaN HEMTs With Regrown Ohmic Contacts andof 370 GHz Y Yue, Z Hu, J Guo, B Sensale-Rodriguez, G Li, R Wang, F Faria, T Fang, ... IEEE Electron Device Letters 33 (7), 988-990, 2012	439	2012
Enhancement-Mode Ga₂O₃Vertical Transistors With Breakdown Voltage >1 kV Z Hu, K Nomoto, W Li, N Tanen, K Sasaki, A Kuramata, T Nakamura, ... IEEE Electron Device Letters 39 (6), 869-872, 2018	320	2018
Field-Plated Ga₂O₃ Trench Schottky Barrier Diodes With a BV²/ of up to 0.95 GW/cm² W Li, K Nomoto, Z Hu, D Jena, HG Xing IEEE Electron Device Letters 41 (1), 107-110, 2019	280	2019
1.9-kV AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes on silicon M Zhu, B Song, M Qi, Z Hu, K Nomoto, X Yan, Y Cao, W Johnson, E Kohn, ... IEEE Electron Device Letters 36 (4), 375-377, 2015	212	2015
1.7-kV and 0.55- GaN p-n Diodes on Bulk GaN Substrates With Avalanche Capability K Nomoto, B Song, Z Hu, M Zhu, M Qi, N Kaneda, T Mishima, T Nakamura, ... IEEE Electron Device Letters 37 (2), 161-164, 2015	210	2015
Near unity ideality factor and Shockley-Read-Hall lifetime in GaN-on-GaN pn diodes with avalanche breakdown Z Hu, K Nomoto, B Song, M Zhu, M Qi, M Pan, X Gao, V Protasenko, ... Applied Physics Letters 107 (24), 2015	207	2015
Breakdown mechanism in 1 kA/cm2 and 960 V E-mode β-Ga2O3 vertical transistors Z Hu, K Nomoto, W Li, Z Zhang, N Tanen, QT Thieu, K Sasaki, A Kuramata, ... Applied Physics Letters 113 (12), 2018	180	2018
1230 V β-Ga2O3 trench Schottky barrier diodes with an ultra-low leakage current of< 1 μA/cm2 W Li, Z Hu, K Nomoto, Z Zhang, JY Hsu, QT Thieu, K Sasaki, A Kuramata, ... Applied Physics Letters 113 (20), 2018	165	2018
Ultrascaled InAlN/GaN high electron mobility transistors with cutoff frequency of 400 GHz Y Yue, Z Hu, J Guo, B Sensale-Rodriguez, G Li, R Wang, F Faria, B Song, ... Japanese Journal of Applied Physics 52 (8S), 08JN14, 2013	130	2013
2.44 kV Ga₂O₃ vertical trench Schottky barrier diodes with very low reverse leakage current W Li, Z Hu, K Nomoto, R Jinno, Z Zhang, TQ Tu, K Sasaki, A Kuramata, ... 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 8.5. 1-8.5. 4, 2018	116	2018
Single and multi-fin normally-off Ga₂O₃ vertical transistors with a breakdown voltage over 2.6 kV W Li, K Nomoto, Z Hu, T Nakamura, D Jena, HG Xing 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 12.4. 1-12.4. 4, 2019	112	2019
GaN HEMTs on Si with regrown contacts and cutoff/maximum oscillation frequencies of 250/204 GHz L Li, K Nomoto, M Pan, W Li, A Hickman, J Miller, K Lee, Z Hu, SJ Bader, ... IEEE Electron Device Letters 41 (5), 689-692, 2020	109	2020
220-GHz quaternary barrier InAlGaN/AlN/GaN HEMTs R Wang, G Li, J Verma, B Sensale-Rodriguez, T Fang, J Guo, Z Hu, ... IEEE Electron device letters 32 (9), 1215-1217, 2011	98	2011
Fin-channel orientation dependence of forward conduction in kV-class Ga2O3 trench Schottky barrier diodes W Li, K Nomoto, Z Hu, D Jena, HG Xing Applied Physics Express 12 (6), 061007, 2019	82	2019
1.1-kV vertical GaN pn diodes with p-GaN regrown by molecular beam epitaxy Z Hu, K Nomoto, M Qi, W Li, M Zhu, X Gao, D Jena, HG Xing IEEE Electron Device Letters 38 (8), 1071-1074, 2017	81	2017
GaN-on-GaN pn power diodes with 3.48 kV and 0.95 mΩ-cm2: A record high figure-of-merit of 12.8 GW/cm2 K Nomoto, Z Hu, B Song, M Zhu, M Qi, R Yan, V Protasenko, E Imhoff, ... 2015 IEEE international electron devices meeting (IEDM), 9.7. 1-9.7. 4, 2015	81	2015
Quaternary Barrier InAlGaN HEMTs With of 230/300 GHz R Wang, G Li, G Karbasian, J Guo, B Song, Y Yue, Z Hu, O Laboutin, ... IEEE electron device letters 34 (3), 378-380, 2013	81	2013
Polarization effects on gate leakage in InAlN/AlN/GaN high-electron-mobility transistors S Ganguly, A Konar, Z Hu, H Xing, D Jena Applied Physics Letters 101 (25), 2012	76	2012
High breakdown single-crystal GaN pn diodes by molecular beam epitaxy M Qi, K Nomoto, M Zhu, Z Hu, Y Zhao, V Protasenko, B Song, X Yan, G Li, ... Applied Physics Letters 107 (23), 2015	68	2015
Activation of buried p-GaN in MOCVD-regrown vertical structures W Li, K Nomoto, K Lee, SM Islam, Z Hu, M Zhu, X Gao, J Xie, M Pilla, ... Applied Physics Letters 113 (6), 2018	62	2018

Sistem, işlemi şu anda gerçekleştiremiyor. Daha sonra yeniden deneyin.

Makaleler 1–20

Yıllık alıntı sayısı

Mükerrer alıntılar

Birleştirilmiş alıntılar

Katkıda bulunan yazar ekleKatkıda bulunan yazarlar

Takip et

Alıntı yapanlar

Katkıda bulunan yazarlar