Martin Eickhoff

Alıntı yapanlar

	Hepsi	2020 yılından bugüne
Alıntılar	11510	2963
h-endeksi	53	24
i10-endeksi	165	71

760

380

190

570

200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202540 58 150 242 294 323 345 473 407 465 479 534 640 616 592 643 700 746 676 671 631 526 518 506 111

Genel erişim

Tümünü görüntüle

53 makale

27 makale

genel erişime açık olanlar

genel erişime açık olmayanlar

Finansman sağlayan kuruluşun getirdiği zorunluluğa dayalı olarak

Katkıda bulunan yazarlar

Jordi ArbiolICREA and Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BISTicrea.cat üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Eva MonroyCEA, IRIG, PHELIQS-NPSC, Grenoble, Francecea.fr üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Sangam ChatterjeeInstitute for Experimental Physics I, Justus-Liebig-University Giessenphysik.uni-giessen.de üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Alexey ChernikovDresden University of Technology (TU Dresden), University of Regensburgtu-dresden.de üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Anna Fontcuberta i MorralEcole Polytechnique Fédérale de Lausanneepfl.ch üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Maria TchernychevaResearcher at Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Universite Paris-Sudu-psud.fr üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Gwénolé JacopinInstitut Néel - CNRS, Univ. Grenoble Alpes, Franceepfl.ch üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Tomás PalaciosMITmit.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Andreas OffenhäusserForschungszentrum Jülichfz-juelich.de üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Jaume GazquezICMAB-CSICicmab.es üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Ulrich SchwarzProfessor, TU Chemnitzphysik.tu-chemnitz.de üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
j. grajal de la fuenteUniversidad Politécnica de Madridupm.es üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Guido FagliaUniversity of Brescia & CNR Bresciaing.unibs.it üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Silvia RamosUniversity of Kentcond-mat.org üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Lise LahourcadeLASPE @ EPFL - Switzerlandepfl.ch üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
PezoldtTU Ilmenautu-ilmenau.de üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Richard S. Mullerprofessor of eecs university of california berkeleyeecs.berkeley.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip

Takip et

Martin Eickhoff

Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen

ifp.uni-bremen.de üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip

Solid state physics semiconductor physics physics of nanostructures biochemical sensors nanosensors


Başlık Alıntılara göre sırala Yıla göre sırala Başlığa göre sırala	Alıntı yapanlar Alıntı yapanlar	Yıl
Pyroelectric properties ofAl (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ... Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002	1437	2002
Binary copper oxide semiconductors: From materials towards devices BK Meyer, A Polity, D Reppin, M Becker, P Hering, PJ Klar, T Sander, ... physica status solidi (b) 249 (8), 1487-1509, 2012	820	2012
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003	362	2003
Playing with polarity M Stutzmann, O Ambacher, M Eickhoff, U Karrer, A Lima Pimenta, ... physica status solidi (b) 228 (2), 505-512, 2001	292	2001
Gas sensitive GaN/AlGaN-heterostructures J Schalwig, G Müller, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann Sensors and Actuators B: Chemical 87 (3), 425-430, 2002	277	2002
Hydrogen response mechanism of Pt–GaN Schottky diodes J Schalwig, G Müller, U Karrer, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann, ... Applied Physics Letters 80 (7), 1222-1224, 2002	264	2002
GaN-based heterostructures for sensor applications M Stutzmann, G Steinhoff, M Eickhoff, O Ambacher, CE Nebel, J Schalwig, ... Diamond and related materials 11 (3-6), 886-891, 2002	244	2002
Polarity assignment in ZnTe, GaAs, ZnO, and GaN-AlN nanowires from direct dumbbell analysis M De La Mata, C Magen, J Gazquez, MIB Utama, M Heiss, S Lopatin, ... Nano letters 12 (5), 2579-2586, 2012	205	2012
Nucleation and growth of GaN nanorods on Si (111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy-The influence of Si-and Mg-doping F Furtmayr, M Vielemeyer, M Stutzmann, J Arbiol, S Estradé, F Peirò, ... Journal of Applied Physics 104 (3), 2008	200	2008
AlxGa1–xN—A new material system for biosensors G Steinhoff, O Purrucker, M Tanaka, M Stutzmann, M Eickhoff Advanced Functional Materials 13 (11), 841-846, 2003	196	2003
Direct biofunctionalization of semiconductors: A survey M Stutzmann, JA Garrido, M Eickhoff, MS Brandt physica status solidi (a) 203 (14), 3424-3437, 2006	189	2006
Recording of cell action potentials with AlGaN∕ GaN field-effect transistors G Steinhoff, B Baur, G Wrobel, S Ingebrandt, A Offenhäusser, A Dadgar, ... Applied Physics Letters 86 (3), 2005	182	2005
Tin-Assisted Synthesis of by Molecular Beam Epitaxy M Kracht, A Karg, J Schörmann, M Weinhold, D Zink, F Michel, M Rohnke, ... Physical Review Applied 8 (5), 054002, 2017	174	2017
Chemical functionalization of GaN and AlN surfaces B Baur, G Steinhoff, J Hernando, O Purrucker, M Tanaka, B Nickel, ... Applied Physics Letters 87 (26), 2005	168	2005
Electronics and sensors based on pyroelectric AlGaN/GaN heterostructures–Part B: Sensor applications M Eickhoff, J Schalwig, G Steinhoff, O Weidemann, L Görgens, ... physica status solidi (c), 1908-1918, 2003	161	2003
Influence of surface oxides on hydrogen-sensitive Pd: GaN Schottky diodes O Weidemann, M Hermann, G Steinhoff, H Wingbrant, A Lloyd Spetz, ... Applied Physics Letters 83 (4), 773-775, 2003	136	2003
Group III-nitride-based gas sensors for combustion monitoring J Schalwig, G Müller, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann Materials Science and Engineering: B 93 (1-3), 207-214, 2002	133	2002
Optical properties and structural characteristics of ZnMgO grown by plasma assisted molecular beam epitaxy TA Wassner, B Laumer, S Maier, A Laufer, BK Meyer, M Stutzmann, ... Journal of Applied Physics 105 (2), 2009	132	2009
Optical properties of Si-and Mg-doped gallium nitride nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy F Furtmayr, M Vielemeyer, M Stutzmann, A Laufer, BK Meyer, M Eickhoff Journal of Applied Physics 104 (7), 2008	131	2008
AlN/diamond heterojunction diodes CR Miskys, JA Garrido, CE Nebel, M Hermann, O Ambacher, M Eickhoff, ... Applied physics letters 82 (2), 290-292, 2003	130	2003

Sistem, işlemi şu anda gerçekleştiremiyor. Daha sonra yeniden deneyin.

Makaleler 1–20

Yıllık alıntı sayısı

Mükerrer alıntılar

Birleştirilmiş alıntılar

Katkıda bulunan yazar ekleKatkıda bulunan yazarlar

Takip et

Alıntı yapanlar

Katkıda bulunan yazarlar