Michael A Reshchikov

อ้างโดย

	ทั้งหมด	ตั้งแต่ปี 2020
การอ้างอิง	23256	6109
ดัชนี h	46	27
ดัชนี i10	136	66

1500

750

375

1125

2001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025130 119 168 146 251 442 649 831 950 1054 1137 1252 1361 1473 1402 1435 1464 1364 1316 1226 1334 1267 1094 935 250

การเข้าถึงแบบสาธารณะ

ดูทั้งหมด

38 บทความ

3 บทความ

ใช้งานได้

ใช้ไม่ได้

อิงตามข้อกำหนดในการรับเงินสนับสนุน

ผู้เขียนร่วม

Hadis MorkoçVirginia Commonwealth Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ vcu.edu
Vitaliy AvrutinVirginia Commonwealth Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ vcu.edu
Umit OzgurVirginia Commonwealth Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ vcu.edu
Denis DemchenkoAssistant Professor of Physics, Virginia Commonwealth Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ vcu.edu
Ali TekeBalıkesir Üniversitesinde Fizik Profesörüยืนยันอีเมลแล้วที่ balikesir.edu.tr
Alison A. BaskiCal Poly Pomonaยืนยันอีเมลแล้วที่ cpp.edu
Paolo VISCONTIDepartment of Innovation Engineering, University of Salentoยืนยันอีเมลแล้วที่ unisalento.it
F. Shadi Shahedipour-SandvikSUNY College of Nanoscale Science and Engineeringยืนยันอีเมลแล้วที่ sunypoly.edu
Jacek JasinskiConn Center for Renewable Energy Research, University of Louisvilleยืนยันอีเมลแล้วที่ louisville.edu
Mykhailo VorobiovCollege of Willaim & Maryยืนยันอีเมลแล้วที่ wm.edu
Oleksandr AndrieievVirginia Commonwealth Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ vcu.edu
Bruce WesselsNorthwestern Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ northwestern.edu
Andrey BakinProf. Dr., Technische Universität Braunschweigยืนยันอีเมลแล้วที่ tu-bs.de
Andreas WaagTechnische Universität Braunschweigยืนยันอีเมลแล้วที่ tu-braunschweig.de
Yong-Tae MoonLG Electronicsยืนยันอีเมลแล้วที่ lge.com
Vincent MeyersSandia National Laboratoriesยืนยันอีเมลแล้วที่ sandia.gov
Gyuchul YiSeoul National University OR POSTECHยืนยันอีเมลแล้วที่ snu.ac.kr
M Zafar IqbalComsats Institute of Information Technology, Islamabad, Pakistanยืนยันอีเมลแล้วที่ comsats.edu.pk
Michal BockowskiInstitute of High Pressure Physics PASยืนยันอีเมลแล้วที่ unipress.waw.pl
Emma RoccoSUNY Polytechnic Institute CNSEยืนยันอีเมลแล้วที่ sunypoly.edu

ติดตาม

Michael A Reshchikov

Professor of Physics, Virginia Commonwealth University

ยืนยันอีเมลแล้วที่ vcu.edu - หน้าแรก

Semiconductor physics Photoluminescence GaN defects


ชื่อ เรียงตามการอ้างอิง เรียงตามปี เรียงตามชื่อ	อ้างโดย อ้างโดย	ปี
A comprehensive review of ZnO materials and devices Ü Özgür, YI Alivov, C Liu, A Teke, MA Reshchikov, S Doğan, V Avrutin, ... Journal of applied physics 98 (4), 2005	13538	2005
Luminescence properties of defects in GaN MA Reshchikov, H Morkoç Journal of applied physics 97 (6), 2005	2367	2005
Behavior of 2.8-and 3.2-eV photoluminescence bands in Mg-doped GaN at different temperatures and excitation densities MA Reshchikov, GC Yi, BW Wessels Physical Review B 59 (20), 13176, 1999	293	1999
Yellow luminescence of gallium nitride generated by carbon defect complexes DO Demchenko, IC Diallo, MA Reshchikov Physical review letters 110 (8), 087404, 2013	259	2013
Analysis of the temperature and excitation intensity dependencies of photoluminescence in undoped GaN films MA Reshchikov, RY Korotkov Physical Review B 64 (11), 115205, 2001	239	2001
Luminescence properties of defects in ZnO MA Reshchikov, H Morkoc, B Nemeth, J Nause, J Xie, B Hertog, ... Physica B: Condensed Matter 401, 358-361, 2007	219	2007
Carbon defects as sources of the green and yellow luminescence bands in undoped GaN MA Reshchikov, DO Demchenko, A Usikov, H Helava, Y Makarov Physical Review B 90 (23), 235203, 2014	217	2014
Dislocation density in GaN determined by photoelectrochemical and hot-wet etching P Visconti, KM Jones, MA Reshchikov, R Cingolani, H Morkoç, RJ Molnar Applied Physics Letters 77 (22), 3532-3534, 2000	212	2000
Energy band bowing parameter in alloys F Yun, MA Reshchikov, L He, T King, H Morkoç, SW Novak, L Wei Journal of applied physics 92 (8), 4837-4839, 2002	210	2002
Green luminescence in Mg-doped GaN MA Reshchikov, DO Demchenko, JD McNamara, S Fernández-Garrido, ... Physical Review B 90 (3), 035207, 2014	164	2014
Photoluminescence band near 2.9 eV in undoped GaN epitaxial layers MA Reshchikov, F Shahedipour, RY Korotkov, BW Wessels, MP Ulmer Journal of Applied Physics 87 (7), 3351-3354, 2000	146	2000
an, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkoç Ü Özgür, YI Alivov, C Liu, A Teke, MA Reshchikov, S Do J. Appl. Phys 98, 041301, 2005	145	2005
Measurement and analysis of photoluminescence in GaN MA Reshchikov Journal of applied physics 129 (12), 2021	138	2021
Surface photovoltage in undoped n-type GaN MA Reshchikov, M Foussekis, AA Baski Journal of Applied Physics 107 (11), 2010	136	2010
Tunable and abrupt thermal quenching of photoluminescence in high-resistivity Zn-doped GaN MA Reshchikov, AA Kvasov, MF Bishop, T McMullen, A Usikov, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 84 (7), 075212, 2011	120	2011
Temperature dependence of defect-related photoluminescence in III-V and II-VI semiconductors MA Reshchikov Journal of Applied Physics 115 (1), 2014	119	2014
Two charge states of the acceptor in GaN: Evidence from photoluminescence MA Reshchikov, M Vorobiov, DO Demchenko, Ü Özgür, H Morkoç, ... Physical Review B 98 (12), 125207, 2018	117	2018
Dependence of GaN polarity on the parameters of the buffer layer grown by molecular beam epitaxy D Huang, P Visconti, KM Jones, MA Reshchikov, F Yun, AA Baski, T King, ... Applied Physics Letters 78 (26), 4145-4147, 2001	115	2001
GaN epitaxy on thermally treated c-plane bulk ZnO substrates with O and Zn faces X Gu, MA Reshchikov, A Teke, D Johnstone, H Morkoç, B Nemeth, ... Applied physics letters 84 (13), 2268-2270, 2004	102	2004
Yellow and green luminescence in a freestanding GaN template MA Reshchikov, H Morkoç, SS Park, KY Lee Applied Physics Letters 78 (20), 3041-3043, 2001	102	2001

ระบบไม่สามารถดำเนินการได้ในขณะนี้ โปรดลองใหม่อีกครั้งในภายหลัง

บทความ 1–20

การอ้างอิงต่อปี

การอ้างอิงซ้ำกัน

การอ้างอิงที่รวมเข้าด้วยกัน

เพิ่มผู้เขียนร่วมผู้เขียนร่วม

ติดตาม

อ้างโดย

ผู้เขียนร่วม