Martin Stutzmann

Навело

	Све	Од 2020
Наводи	45889	7570
h-индекс	99	35
i10-индекс	517	157

2300

1150

575

1725

1986198719881989199019911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025134 297 213 289 216 453 385 630 530 530 518 529 584 591 814 858 901 1194 1161 1275 1391 1358 1614 1536 1695 1899 2097 2208 2069 2039 2082 2053 1963 1835 1738 1614 1410 1275 1271 261

Јавни приступ

Прикажи све

100 чланака

79 чланака

доступно

није доступно

На основу услова финансирања

Коаутори

Oliver AmbacherGips-Schüle-Professur für Leistungselektronik, Universität FreiburgВерификована је имејл адреса на inatech.uni-freiburg.de
Martin S. Brandtapl. Professor für Experimentalphysik, Walter Schottky Institut, Technische Universität MünchenВерификована је имејл адреса на wsi.tum.de
Martin EickhoffInstitut für Festkörperphysik, Universität BremenВерификована је имејл адреса на ifp.uni-bremen.de
Jose A. GarridoICN2 - Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology & ICREAВерификована је имејл адреса на icn2.cat
Roman DimitrovFinisarВерификована је имејл адреса на finisar.com
Hartmut WiggersUniversity of Duisburg-EssenВерификована је имејл адреса на uni-due.de
James R. ShealyCornell UniversityВерификована је имејл адреса на ece.cornell.edu
Josef Gerhard MüllerMunich University of Applied SciencesВерификована је имејл адреса на hm.edu
WARREN B JACKSONPrincipal ScientistВерификована је имејл адреса на parc.com
Carlos F. O. Graeff FRSC (ORCID:000...Professor Titular do DFM-FC, Universidade Estadual Paulista-UNESPВерификована је имејл адреса на unesp.br
Nils WeimannUniversity of Duisburg-EssenВерификована је имејл адреса на uni-due.de
Hans HüblWalther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der WissenschaftenВерификована је имејл адреса на wmi.badw.de
David BiegelsenXerox Palo Alto Research CenterВерификована је имејл адреса на parc.com
Oliver WilliamsCardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff UniversityВерификована је имејл адреса на cardiff.ac.uk
Martin AlbrechtLeibniz-Institut für KristallzüchtungВерификована је имејл адреса на ikz-berlin.de
Manuel CardonaMax Planck InstitutВерификована је имејл адреса на fkf.mpg.de
Felix HoehneWalter-Schottky Institut, TU MünchenВерификована је имејл адреса на wsi.tum.de
Gyorgy CsabaPázmány Péter Catholic University, formerly University of Notre DameВерификована је имејл адреса на itk.ppke.hu
Gema Martínez CriadoEuropean Synchrotron Radiation FacilityВерификована је имејл адреса на esrf.fr
Jordi ArbiolICREA and Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BISTВерификована је имејл адреса на icrea.cat

Прати

Martin Stutzmann

Professor (retired) of Experimental Physics, Walter Schottky Institut, TU München

Верификована је имејл адреса на tum.de - Почетна страница

Semiconductor Physics


Наслов Сортирај по наводима Сортирај по години Сортирај по наслову	Навело Навело	Година
Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N-and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, M Murphy, ... Journal of applied physics 85 (6), 3222-3233, 1999	3797	1999
Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, B Foutz, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, ... Journal of applied physics 87 (1), 334-344, 2000	2182	2000
Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: A systematic study M Stutzmann, WB Jackson, CC Tsai Physical Review B 32 (1), 23, 1985	1572	1985
Pyroelectric properties ofAl (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ... Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002	1437	2002
The origin of visible luminescencefrom “porous silicon”: A new interpretation MS Brandt, HD Fuchs, M Stutzmann, J Weber, M Cardona Solid State Communications 81 (4), 307-312, 1992	1042	1992
Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence D Brunner, H Angerer, E Bustarret, F Freudenberg, R Höpler, R Dimitrov, ... Journal of applied physics 82 (10), 5090-5096, 1997	809	1997
Defect structure of epitaxial GaN films determined by transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry T Metzger, R Höpler, E Born, O Ambacher, M Stutzmann, R Stömmer, ... Philosophical magazine A 77 (4), 1013-1025, 1998	672	1998
Protein-modified nanocrystalline diamond thin films for biosensor applications A Härtl, E Schmich, JA Garrido, J Hernando, SCR Catharino, S Walter, ... Nature materials 3 (10), 736-742, 2004	652	2004
Black nonreflecting silicon surfaces for solar cells S Koynov, MS Brandt, M Stutzmann Applied physics letters 88 (20), 2006	568	2006
The defect density in amorphous silicon M Stutzmann Philosophical Magazine B 60 (4), 531-546, 1989	448	1989
Determination of the Al mole fraction and the band gap bowing of epitaxial films H Angerer, D Brunner, F Freudenberg, O Ambacher, M Stutzmann, ... Applied Physics Letters 71 (11), 1504-1506, 1997	432	1997
Large free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy and laser-induced liftoff MKKMK Kelly, RPVRP Vaudo, VMPVM Phanse, LGL Görgens, ... Japanese journal of applied physics 38 (3A), L217, 1999	422	1999
Chemical control of the charge state of nitrogen-vacancy centers in diamond MV Hauf, B Grotz, B Naydenov, M Dankerl, S Pezzagna, J Meijer, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 83 (8), 081304, 2011	418	2011
Thermal stability and desorption of Group III nitrides prepared by metal organic chemical vapor deposition O Ambacher, MS Brandt, R Dimitrov, T Metzger, M Stutzmann, RA Fischer, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1996	387	1996
Sound velocity of thin films obtained by surface acoustic-wave measurements C Deger, E Born, H Angerer, O Ambacher, M Stutzmann, J Hornsteiner, ... Applied Physics Letters 72 (19), 2400-2402, 1998	373	1998
Detailed investigation of doping in hydrogenated amorphous silicon and germanium M Stutzmann, DK Biegelsen, RA Street Physical Review B 35 (11), 5666, 1987	364	1987
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003	362	2003
Graphene transistor arrays for recording action potentials from electrogenic cells LH Hess, M Jansen, V Maybeck, MV Hauf, M Seifert, M Stutzmann, ... Advanced Materials 23 (43), 5045, 2011	300	2011
Charge state manipulation of qubits in diamond B Grotz, MV Hauf, M Dankerl, B Naydenov, S Pezzagna, J Meijer, ... Nature communications 3 (1), 729, 2012	299	2012
Electronic and optical properties of boron-doped nanocrystalline diamond films W Gajewski, P Achatz, OA Williams, K Haenen, E Bustarret, M Stutzmann, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 79 (4), 045206, 2009	298	2009

Систем тренутно не може да изврши ову радњу. Пробајте поново касније.

Чланци 1–20

Годишњи број навода

Дупли наводи

Обједињени наводи

Додавање коаутораКоаутори

Прати

Навело

Коаутори