Erin C. Young

Навело

	Све	Од 2020
Наводи	4960	1528
h-индекс	40	22
i10-индекс	72	46

460

230

115

345

2006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202513 38 59 59 84 165 347 448 337 328 366 360 366 416 390 370 306 234 196 32

Јавни приступ

Прикажи све

15 чланака

8 чланака

доступно

није доступно

На основу услова финансирања

Коаутори

Jim SpeckProfessor of Materials, UCSBВерификована је имејл адреса на ucsb.edu
Steven DenBaarsProfessor of Materials, University of California Santa BarbaraВерификована је имејл адреса на engineering.ucsb.edu
Thomas TiedjeElectrical and Computer Engineering, University of Victoria, Victoria, BCВерификована је имејл адреса на uvic.ca
Aleksei RomanovITMO UniversityВерификована је имејл адреса на niuitmo.ru
Benjamin P. YonkeeUniversity of California, Santa BarbaraВерификована је имејл адреса на umail.ucsb.edu
John T. LeonardAppleВерификована је имејл адреса на umail.ucsb.edu
Ingrid KoslowMaterials Department, University of California Santa BarbaraВерификована је имејл адреса на umail.ucsb.edu
Matthew T. HardyElectronics Science and Technology Division, Naval Research LaboratoryВерификована је имејл адреса на nrl.navy.mil
Robert M. FarrellAssistant Professor, ECE Department, University of Wisconsin–MadisonВерификована је имејл адреса на wisc.edu
Dan HaegerAppleВерификована је имејл адреса на apple.com
Jordan R. LangStaff Scientist, Solar JunctionВерификована је имејл адреса на sj-solar.com
Christophe HurniFacebookВерификована је имејл адреса на engr.ucsb.edu
David A. BrowneGoogle Quantum AIВерификована је имејл адреса на google.com
David G. CookeAssociate Professor, Dept. of Physics, McGill UniversityВерификована је имејл адреса на mcgill.ca
Frank HegmannProfessor, Department of Physics, University of Alberta, CanadaВерификована је имејл адреса на ualberta.ca
Glenn BeltzProfessor of Mechanical Engineering, University of California, Santa BarbaraВерификована је имејл адреса на engineering.ucsb.edu
Humberto ForondaTechnical University BerlinВерификована је имејл адреса на physik.tu-berlin.de
Brian M. McSkimmingThe University of OklahomaВерификована је имејл адреса на ou.edu
Umesh MishraUCSBВерификована је имејл адреса на ece.ucsb.edu
Daniel FeezellUniversity of New MexicoВерификована је имејл адреса на unm.edu

Прати

Erin C. Young

University of California, Santa Barbara

Верификована је имејл адреса на engineering.ucsb.edu

semiconductors nitrides GaAsBi strain relaxation molecular beam epitaxy


Наслов Сортирај по наводима Сортирај по години Сортирај по наслову	Навело Навело	Година
Giant Spin-Orbit Bowing in B Fluegel, S Francoeur, A Mascarenhas, S Tixier, EC Young, T Tiedje Physical review letters 97 (6), 067205, 2006	514	2006
Materials and growth issues for high-performance nonpolar and semipolar light-emitting devices RM Farrell, EC Young, F Wu, SP DenBaars, JS Speck Semiconductor Science and Technology 27 (2), 024001, 2012	314	2012
Basal plane misfit dislocations and stress relaxation in III-nitride semipolar heteroepitaxy AE Romanov, EC Young, F Wu, A Tyagi, CS Gallinat, S Nakamura, ... Journal of Applied Physics 109 (10), 2011	194	2011
Demonstration of a III-nitride vertical-cavity surface-emitting laser with a III-nitride tunnel junction intracavity contact JT Leonard, EC Young, DA Cohen, BP Yonkee, T Margalith, ... Applied Physics Letters 107 (9), 091105, 2015	171	2015
Electron mobility in dilute GaAs bismide and nitride alloys measured by time-resolved terahertz spectroscopy DG Cooke, FA Hegmann, EC Young, T Tiedje Applied physics letters 89 (12), 2006	166	2006
Surfactant enhanced growth of GaNAs and InGaNAs using bismuth S Tixier, M Adamcyk, EC Young, JH Schmid, T Tiedje Journal of crystal growth 251 (1-4), 449-454, 2003	156	2003
Hybrid tunnel junction contacts to III–nitride light-emitting diodes EC Young, BP Yonkee, F Wu, SH Oh, SP DenBaars, S Nakamura, ... Applied Physics Express 9 (2), 022102, 2016	150	2016
Partial strain relaxation via misfit dislocation generation at heterointerfaces in (Al, In) GaN epitaxial layers grown on semipolar (112¯ 2) GaN free standing substrates A Tyagi, F Wu, EC Young, A Chakraborty, H Ohta, R Bhat, K Fujito, ... Applied Physics Letters 95 (25), 2009	134	2009
Basal plane stacking-fault related anisotropy in X-ray rocking curve widths of m-plane GaN MB McLaurin, A Hirai, E Young, F Wu, JS Speck Japanese journal of applied physics 47 (7R), 5429, 2008	129	2008
Indium and impurity incorporation in InGaN films on polar, nonpolar, and semipolar GaN orientations grown by ammonia molecular beam epitaxy DA Browne, EC Young, JR Lang, CA Hurni, JS Speck Journal of Vacuum Science & Technology A 30 (4), 2012	111	2012
Influence of bismuth incorporation on the valence and conduction band edges of GaAs1− xBix G Pettinari, A Polimeni, M Capizzi, JH Blokland, PCM Christianen, ... Applied Physics Letters 92 (26), 2008	108	2008
Bismuth surfactant growth of the dilute nitride GaNxAs1− x EC Young, S Tixier, T Tiedje Journal of crystal growth 279 (3-4), 316-320, 2005	108	2005
Bi isoelectronic impurities in GaAs S Francoeur, S Tixier, E Young, T Tiedje, A Mascarenhas Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 77 (8), 085209, 2008	107	2008
Growth and properties of the dilute bismide semiconductor GaAs1− xBix a complementary alloy to the dilute nitrides T Tiedje, EC Young, A Mascarenhas International Journal of Nanotechnology 5 (9-12), 963-983, 2008	103	2008
Lattice tilt and misfit dislocations in (1122) semipolar GaN heteroepitaxy EC Young, F Wu, AE Romanov, A Tyagi, CS Gallinat, SP DenBaars, ... Applied physics express 3 (1), 011004, 2010	102	2010
Silver free III-nitride flip chip light-emitting-diode with wall plug efficiency over 70% utilizing a GaN tunnel junction BP Yonkee, EC Young, SP DenBaars, S Nakamura, JS Speck Applied Physics Letters 109, 191104, 2016	97	2016
Band gaps of the dilute quaternary alloys GaNxAs1− x− yBiy and Ga1− yInyNxAs1− x S Tixier, SE Webster, EC Young, T Tiedje, S Francoeur, A Mascarenhas, ... Applied Physics Letters 86 (11), 2005	95	2005
Demonstration of a III-nitride edge-emitting laser diode utilizing a GaN tunnel junction contact BP Yonkee, EC Young, C Lee, JT Leonard, SP DenBaars, JS Speck, ... Optics Express 24 (7), 7816-7822, 2016	86	2016
Semipolar or nonpolar nitride-based devices on partially or fully relaxed alloys with misfit dislocations at the heterointerface H Ohta, F Wu, A Tyagi, A Chakraborty, JS Speck, SP DenBaars, ... US Patent 9,159,553, 2015	83	2015
444.9 nm semipolar (112¯ 2) laser diode grown on an intentionally stress relaxed InGaN waveguiding layer P Shan Hsu, MT Hardy, F Wu, I Koslow, EC Young, AE Romanov, K Fujito, ... Applied Physics Letters 100 (2), 2012	78	2012

Систем тренутно не може да изврши ову радњу. Пробајте поново касније.

Чланци 1–20

Годишњи број навода

Дупли наводи

Обједињени наводи

Додавање коаутораКоаутори

Прати

Навело

Коаутори