Jim Speck

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	86285	27883
h-индекс	143	77
i10-индекс	986	605

6000

3000

1500

4500

1997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024340 497 724 848 1031 1091 1319 1395 1405 1980 2405 2688 2795 3085 3341 3859 4630 4512 4803 5256 4809 4676 4794 5161 4760 4582 4790 3767

Общий доступ

Просмотреть все

205 статей

42 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Steven DenBaarsProfessor of Materials, University of California Santa BarbaraПодтвержден адрес электронной почты в домене engineering.ucsb.edu
Umesh MishraUCSBПодтвержден адрес электронной почты в домене ece.ucsb.edu
Stacia KellerUniversity of California Santa BarbaraПодтвержден адрес электронной почты в домене ece.ucsb.edu
Paul FiniRaytheon Vision SystemsПодтвержден адрес электронной почты в домене raytheon.com
Robert M. FarrellAssistant Professor, ECE Department, University of Wisconsin–MadisonПодтвержден адрес электронной почты в домене wisc.edu
claude weisbuchПодтвержден адрес электронной почты в домене engineering.ucsb.edu
Erin C. YoungUniversity of California, Santa BarbaraПодтвержден адрес электронной почты в домене engineering.ucsb.edu
Michael IzaUniversity of California Santa BarbaraПодтвержден адрес электронной почты в домене engineering.ucsb.edu
Aleksei RomanovITMO UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене niuitmo.ru
Gregor KoblmüllerWalter Schottky Institut and Physics Department, Technical University of MunichПодтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de
Daniel FeezellUniversity of New MexicoПодтвержден адрес электронной почты в домене unm.edu
Steven RingelThe Ohio State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене osu.edu
Man Hoi WongAssociate Professor, ECE, Hong Kong University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене ust.hk
Siddharth RajanElectrical and Computer Engineering, Ohio State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ece.osu.edu
Yuh-Renn WuProfessor of Electrical Engineering, National Taiwan UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ntu.edu.tw
Roy B. ChungKyungpook National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене knu.ac.kr
Pierre PetroffПодтвержден адрес электронной почты в домене ucsb.edu
Matthew T. HardyElectronics Science and Technology Division, Naval Research LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене nrl.navy.mil

Jim Speck

Professor of Materials, UCSB

Подтвержден адрес электронной почты в домене ucsb.edu

semiconductors


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Prospects for LED lighting S Pimputkar, JS Speck, SP DenBaars, S Nakamura Nature photonics 3 (4), 180-182, 2009	2394	2009
Polarization effects, surface states, and the source of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors JP Ibbetson, PT Fini, KD Ness, SP DenBaars, JS Speck, UK Mishra Applied Physics Letters 77 (2), 250-252, 2000	1447	2000
Role of threading dislocation structure on the x‐ray diffraction peak widths in epitaxial GaN films B Heying, XH Wu, S Keller, Y Li, D Kapolnek, BP Keller, SP DenBaars, ... Applied physics letters 68 (5), 643-645, 1996	1103	1996
Strain-induced polarization in wurtzite III-nitride semipolar layers AE Romanov, TJ Baker, S Nakamura, JS Speck Journal of Applied Physics 100 (2), 2006	893	2006
Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al, In, Ga) N alloy semiconductors SF Chichibu, A Uedono, T Onuma, BA Haskell, A Chakraborty, T Koyama, ... Nature materials 5 (10), 810-816, 2006	844	2006
Direct measurement of Auger electrons emitted from a semiconductor light-emitting diode under electrical injection: identification of the dominant mechanism for efficiency droop J Iveland, L Martinelli, J Peretti, JS Speck, C Weisbuch Physical review letters 110 (17), 177406, 2013	780	2013
Domain configurations due to multiple misfit relaxation mechanisms in epitaxial ferroelectric thin films. I. Theory JS Speck, W Pompe Journal of applied physics 76 (1), 466-476, 1994	762*	1994
Structural characterization of nonpolar a-plane GaN thin films grown on r-plane sapphire MD Craven, SH Lim, F Wu, JS Speck, SP DenBaars Applied Physics Letters 81 (3), 469-471, 2002	671	2002
Polarization-induced charge and electron mobility in AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy IP Smorchkova, CR Elsass, JP Ibbetson, R Vetury, B Heying, P Fini, ... Journal of applied physics 86 (8), 4520-4526, 1999	618	1999
Structural origin of V-defects and correlation with localized excitonic centers in InGaN/GaN multiple quantum wells XH Wu, CR Elsass, A Abare, M Mack, S Keller, PM Petroff, SP DenBaars, ... Applied Physics Letters 72 (6), 692-694, 1998	610	1998
Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B) N based light emitting diodes H Sato, H Hirasawa, RB Chung, SP DenBaars, JS Speck, S Nakamura US Patent 8,148,713, 2012	604	2012
High-power AlGaN/GaN HEMTs for ka-band applications T Palacios, A Chakraborty, S Rajan, C Poblenz, S Keller, SP DenBaars, ... IEEE Electron device letters 26 (11), 781-783, 2005	603	2005
Control of GaN surface morphologies using plasma-assisted molecular beam epitaxy B Heying, R Averbeck, LF Chen, E Haus, H Riechert, JS Speck Journal of Applied Physics 88 (4), 1855-1860, 2000	600	2000
Defect structure of metal‐organic chemical vapor deposition‐grown epitaxial (0001) GaN/Al2O3 XH Wu, LM Brown, D Kapolnek, S Keller, B Keller, SP DenBaars, ... Journal of applied physics 80 (6), 3228-3237, 1996	567	1996
Mosaic structure in epitaxial thin films having large lattice mismatch V Srikant, JS Speck, DR Clarke Journal of Applied Physics 82 (9), 4286-4295, 1997	555	1997
Homoepitaxial growth of GaN under Ga-stable and N-stable conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy EJ Tarsa, B Heying, XH Wu, P Fini, SP DenBaars, JS Speck Journal of applied physics 82 (11), 5472-5479, 1997	530	1997
Dislocation mediated surface morphology of GaN B Heying, EJ Tarsa, CR Elsass, P Fini, SP DenBaars, JS Speck Journal of Applied Physics 85 (9), 6470-6476, 1999	511	1999
Development of gallium-nitride-based light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes for energy-efficient lighting and displays SP DenBaars, D Feezell, K Kelchner, S Pimputkar, CC Pan, CC Yen, ... Acta Materialia 61 (3), 945-951, 2013	499	2013
Electrical characterization of GaN junctions with and without threading dislocations P Kozodoy, JP Ibbetson, H Marchand, PT Fini, S Keller, JS Speck, ... Applied physics letters 73 (7), 975-977, 1998	484	1998
Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition grown GaN films on sapphire D Kapolnek, XH Wu, B Heying, S Keller, BP Keller, UK Mishra, ... Applied Physics Letters 67 (11), 1541-1543, 1995	450	1995

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы