Wan Sik Hwang

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	7588	3882
h-индекс	31	26
i10-индекс	78	60

780

390

195

585

20072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202423 33 33 26 25 96 247 394 517 729 763 753 721 688 667 629 582 577

Общий доступ

Просмотреть все

3 статьи

0 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Byung Jin ChoKAISTПодтвержден адрес электронной почты в домене kaist.edu
Debdeep JenaCornell UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
Alan SeabaughProfessor of Electrical Engineering, University of Notre DameПодтвержден адрес электронной почты в домене nd.edu
Huili Grace XingProf. of ECE & MSE, Cornell UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
Won Jong YooProfessor of Sungkyunkwan UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене skku.edu
Mark WisteyAssociate Professor of Physics, Texas State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене txstate.edu
Guangle ZhouSanDisk, University of Notre DameПодтвержден адрес электронной почты в домене alumni.nd.edu
rui liqualcommПодтвержден адрес электронной почты в домене qti.qualcomm.com
Chris G. Van de WalleProfessor of Materials, University of California, Santa BarbaraПодтвержден адрес электронной почты в домене mrl.ucsb.edu
Berardi Sensale RodriguezThe University of UtahПодтвержден адрес электронной почты в домене alumni.nd.edu
Luke NyakitiAssociate Professor, Texas A&M University, Materials Engineer: Depts. of Marine Eng.;Material ScПодтвержден адрес электронной почты в домене tamu.edu
Deji AkinwandeThe University of Texas at Austin, IEEE, MRS, APS, AAS FellowПодтвержден адрес электронной почты в домене ece.utexas.edu
Nan MaCornell UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
Kurt GaskillInstitute for Research in Electronics and Applied Physics, University of Maryland, College Park, MD

Wan Sik Hwang

Korea Aerospace University

Подтвержден адрес электронной почты в домене kau.ac.kr

MOSFET Power electronics Ga2O3 photocatalyst UVC photodetector


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
High-mobility and low-power thin-film transistors based on multilayer MoS₂ crystals S Kim, A Konar, WS Hwang, JH Lee, J Lee, J Yang, C Jung, H Kim, ... Nature communications 3 (1), 1011, 2012	1816	2012
Broadband graphene terahertz modulators enabled by intraband transitions B Sensale-Rodriguez, R Yan, MM Kelly, T Fang, K Tahy, WS Hwang, ... Nature communications 3 (1), 780, 2012	1161	2012
Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same KS Seol, C Park, K Hwang, H Choi, D Yoo, S Hur, W Hwang, T Nakanishi, ... US Patent 9,536,970, 2017	636	2017
High-Performance, Highly Bendable MoS₂ Transistors with High-K Dielectrics for Flexible Low-Power Systems HY Chang, S Yang, J Lee, L Tao, WS Hwang, D Jena, N Lu, D Akinwande ACS nano 7 (6), 5446-5452, 2013	575	2013
High-voltage field effect transistors with wide-bandgap β-Ga2O3 nanomembranes WS Hwang, A Verma, H Peelaers, V Protasenko, S Rouvimov, ... Applied Physics Letters 104 (20), 2014	403	2014
Transistors with chemically synthesized layered semiconductor WS2 exhibiting 105 room temperature modulation and ambipolar behavior W Sik Hwang, M Remskar, R Yan, V Protasenko, K Tahy, S Doo Chae, ... Applied physics letters 101 (1), 2012	326	2012
Exfoliated multilayer MoTe2 field-effect transistors S Fathipour, N Ma, WS Hwang, V Protasenko, S Vishwanath, HG Xing, ... Applied Physics Letters 105 (19), 2014	206	2014
AlGaSb/InAs Tunnel Field-Effect Transistor With On-Current of 78at 0.5 V R Li, Y Lu, G Zhou, Q Liu, SD Chae, T Vasen, WS Hwang, Q Zhang, P Fay, ... IEEE electron device letters 33 (3), 363-365, 2012	166	2012
Graphene nanoribbon field-effect transistors on wafer-scale epitaxial graphene on SiC substrates WS Hwang, P Zhao, K Tahy, LO Nyakiti, VD Wheeler, RL Myers-Ward, ... APL materials 3 (1), 2015	106	2015
High-performance photocurrent generation from two-dimensional WS2 field-effect transistors S Hwan Lee, D Lee, W Sik Hwang, E Hwang, D Jena, W Jong Yoo Applied Physics Letters 104 (19), 2014	104	2014
Synthesized multiwall MoS2 nanotube and nanoribbon field-effect transistors S Fathipour, M Remskar, A Varlec, A Ajoy, R Yan, S Vishwanath, ... Applied Physics Letters 106 (2), 2015	91	2015
Transport properties of graphene nanoribbon transistors on chemical-vapor-deposition grown wafer-scale graphene WS Hwang, K Tahy, X Li, HG Xing, AC Seabaugh, CY Sung, D Jena Applied Physics Letters 100 (20), 2012	77	2012
Investigation of etching properties of metal nitride/high-k gate stacks using inductively coupled plasma WS Hwang, J Chen, WJ Yoo, V Bliznetsov Journal of Vacuum Science & Technology A 23 (4), 964-970, 2005	75	2005
Vertical InGaAs/InP tunnel FETs with tunneling normal to the gate G Zhou, Y Lu, R Li, Q Zhang, WS Hwang, Q Liu, T Vasen, C Chen, H Zhu, ... IEEE Electron Device Letters 32 (11), 1516-1518, 2011	72	2011
A robust highly aligned DNA nanowire array-enabled lithography for graphene nanoribbon transistors SH Kang, WS Hwang, Z Lin, SH Kwon, SW Hong Nano Letters 15 (12), 7913-7920, 2015	63	2015
High-Aspect Ratio β-Ga₂O₃ Nanorods via Hydrothermal Synthesis HJ Bae, TH Yoo, Y Yoon, IG Lee, JP Kim, BJ Cho, WS Hwang Nanomaterials 8 (8), 594, 2018	56	2018
MBE growth of few-layer 2H-MoTe2 on 3D substrates S Vishwanath, A Sundar, X Liu, A Azcatl, E Lochocki, AR Woll, ... Journal of Crystal Growth 482, 61-69, 2018	55	2018
Comparative study of chemically synthesized and exfoliated multilayer MoS2 field-effect transistors W Sik Hwang, M Remskar, R Yan, T Kosel, J Kyung Park, B Jin Cho, ... Applied Physics Letters 102 (4), 2013	55	2013
Electrical Characteristics of Memory Devices With a High- Trapping Layer and Dual Tunneling Layer YQ Wang, WS Hwang, G Zhang, G Samudra, YC Yeo, WJ Yoo IEEE transactions on electron devices 54 (10), 2699-2705, 2007	55	2007
Hydrothermal synthesis and photocatalytic property of Sn-doped β-Ga2O3 nanostructure H Ryou, TH Yoo, Y Yoon, IG Lee, M Shin, J Cho, BJ Cho, WS Hwang ECS Journal of solid state science and technology 9 (4), 045009, 2020	50	2020

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы