Tania Roy

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	5141	3723
h-индекс	35	28
i10-индекс	45	43

700

350

175

525

2011201220132014201520162017201820192020202120222023202424 27 36 49 205 273 319 451 488 540 643 694 691 662

Общий доступ

Просмотреть все

25 статей

2 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Ron SchrimpfProfessor of Electrical Engineering, Vanderbilt UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu
Daniel M. FleetwoodProfessor of Electrical Engineering, Vanderbilt UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu
Mahmut TosunPhD Student, UC BerkeleyПодтвержден адрес электронной почты в домене berkeley.edu
Ali JaveyProfessor of Electrical Engineering and Computer Sciences, UC BerkeleyПодтвержден адрес электронной почты в домене berkeley.edu
Yevgeniy PuzyrevData & Applied Scientist, MicrosoftПодтвержден адрес электронной почты в домене microsoft.com
Enxia ZhangUniversity of Central FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене ucf.edu
Angada SachidASMПодтвержден адрес электронной почты в домене asm.com
Sujay DesaiPh.D. Student in Electrical Engineering, University of California Berkeley (Past: IIT Bombay)Подтвержден адрес электронной почты в домене eecs.berkeley.edu
Peter (Peida) ZhaoGraduate Student, UC BerkeleyПодтвержден адрес электронной почты в домене berkeley.edu
Mark HettickSenior Design Engineer, Precision NeuroscienceПодтвержден адрес электронной почты в домене berkeley.edu
Eric M VogelHightower Professor of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене mse.gatech.edu
Matin AmaniUC BerkeleyПодтвержден адрес электронной почты в домене berkeley.edu
Der-Hsien LienNational Chiao Tung UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене nctu.edu.tw
Hui FangAssociate Professor, Dartmouth CollegeПодтвержден адрес электронной почты в домене dartmouth.edu
Bhaswar ChakrabartiAssistant Professor, Indian Institute of Technology MadrasПодтвержден адрес электронной почты в домене ee.iitm.ac.in
Geun Ho AhnStanford UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене stanford.edu
Zohreh Razavi HesabiLam ResearchПодтвержден адрес электронной почты в домене lamresearch.com
Corey JoinerGeorgia Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене gatech.edu
blair tuttlePenn State Erie; The Behrend CollegeПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Xiao ShenAssociate Professor of Physics, University of MemphisПодтвержден адрес электронной почты в домене memphis.edu

Tania Roy

Duke University

Подтвержден адрес электронной почты в домене duke.edu - Главная страница

Device physics nanotechnology 2D materials GaN reliability


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Field-effect transistors built from all two-dimensional material components T Roy, M Tosun, JS Kang, AB Sachid, SB Desai, M Hettick, CC Hu, ... ACS nano 8 (6), 6259-6264, 2014	794	2014
Dual-Gated MoS2/WSe2 van der Waals Tunnel Diodes and Transistors T Roy, M Tosun, X Cao, H Fang, DH Lien, P Zhao, YZ Chen, YL Chueh, ... ACS nano 9 (2), 2071-2079, 2015	707	2015
The Role of Graphene and Other 2D Materials in Solar Photovoltaics S Das, D Pandey, J Thomas, T Roy Advanced Materials 31 (1), 1802722, 2019	434	2019
2D-2D tunneling field-effect transistors using WSe2/SnSe2 heterostructures T Roy, M Tosun, M Hettick, GH Ahn, C Hu, A Javey Applied Physics Letters 108 (8), 083111, 2016	325	2016
Air-Stable n-Doping of WSe2 by Anion Vacancy Formation with Mild Plasma Treatment M Tosun, L Chan, M Amani, T Roy, GH Ahn, P Taheri, C Carraro, JW Ager, ... ACS nano 10 (7), 6853-6860, 2016	253	2016
Ultrasensitive and ultrathin phototransistors and photonic synapses using perovskite quantum dots grown from graphene lattice B Pradhan, S Das, J Li, F Chowdhury, J Cherusseri, D Pandey, D Dev, ... Science Advances 6 (7), eaay5225, 2020	237	2020
Engineering light outcoupling in 2D materials DH Lien, JS Kang, M Amani, K Chen, M Tosun, HP Wang, T Roy, ... Nano letters 15 (2), 1356-1361, 2015	184	2015
Dehydrogenation of defects and hot-electron degradation in GaN high-electron-mobility transistors YS Puzyrev, T Roy, M Beck, BR Tuttle, RD Schrimpf, DM Fleetwood, ... Journal of Applied Physics 109 (3), 034501, 2011	157	2011
Process dependence of proton-induced degradation in GaN HEMTs T Roy, EX Zhang, YS Puzyrev, DM Fleetwood, RD Schrimpf, BK Choi, ... IEEE Transactions on Nuclear Science 57 (6), 3060-3065, 2010	111	2010
A leaf-inspired photon management scheme using optically tuned bilayer nanoparticles for ultra-thin and highly efficient photovoltaic devices S Das, MJ Hossain, SF Leung, A Lenox, Y Jung, K Davis, JH He, T Roy Nano Energy 58, 47-56, 2019	102	2019
Artificial Neuron using Vertical MoS 2/Graphene Threshold Switching Memristors H Kalita, A Krishnaprasad, N Choudhary, S Das, D Dev, Y Ding, L Tetard, ... Scientific reports 9 (1), 1-8, 2019	100	2019
Novel mesoporous electrode materials for symmetric, asymmetric and hybrid supercapacitors J Cherusseri, KS Kumar, N Choudhary, N Nagaiah, Y Jung, T Roy, ... Nanotechnology 30 (20), 202001, 2019	98	2019
Radiation-induced defect evolution and electrical degradation of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors YS Puzyrev, T Roy, EX Zhang, DM Fleetwood, RD Schrimpf, ... IEEE Transactions on Nuclear Science 58 (6), 2918-2924, 2011	96	2011
2D MoS₂-Based Threshold Switching Memristor for Artificial Neuron D Dev, A Krishnaprasad, MS Shawkat, Z He, S Das, D Fan, HS Chung, ... IEEE Electron Device Letters 41 (6), 936-939, 2020	93	2020
Optoelectronic synapse using monolayer MoS 2 field effect transistors MM Islam, D Dev, A Krishnaprasad, L Tetard, T Roy Scientific reports 10 (1), 1-9, 2020	77	2020
Multiwavelength Optoelectronic Synapse with 2D Materials for Mixed-Color Pattern Recognition MM Islam, A Krishnaprasad, D Dev, R Martinez-Martinez, V Okonkwo, ... ACS nano, 2022	73	2022
Tunneling characteristics in chemical vapor deposited graphene–hexagonal boron nitride–graphene junctions T Roy, L Liu, S de la Barrera, B Chakrabarti, ZR Hesabi, CA Joiner, ... Applied Physics Letters 104 (12), 123506, 2014	67	2014
Thickness-Independent Semiconducting-to-Metallic Conversion in Wafer-Scale Two-Dimensional PtSe₂ Layers by Plasma-Driven Chalcogen Defect Engineering MS Shawkat, J Gil, SS Han, TJ Ko, M Wang, D Dev, J Kwon, GH Lee, ... ACS Applied Materials & Interfaces 12 (12), 14341-14351, 2020	66	2020
Temperature-dependence and microscopic origin of low frequency 1/f noise in GaN/AlGaN high electron mobility transistors T Roy, EX Zhang, YS Puzyrev, X Shen, DM Fleetwood, RD Schrimpf, ... Applied Physics Letters 99 (20), 203501, 2011	66	2011
Single event mechanisms in 90 nm triple-well CMOS devices T Roy, AF Witulski, RD Schrimpf, ML Alles, LW Massengill IEEE Transactions on Nuclear Science 55 (6), 2948-2956, 2008	66	2008

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы