Подписаться
Li Zhonghua
Li Zhonghua
Подтвержден адрес электронной почты в домене nus.edu.sg
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Performance Improvement by Cold Xe Pre-Amorphization Implant for Nickel Silicidation of 28-nm PMOSFET
ZH Li, YL Jiang, RL Li, YW Zhang, YF Cao
IEEE Electron Device Letters 40 (5), 777-779, 2019
52019
The study of 28nm node poly double patterning integrated process
Z Li, R Li, T Guan, B Liu, X Mao, X Meng, Q Li, F Li, Z Yang, Y Zhang, ...
2015 China Semiconductor Technology International Conference, 1-4, 2015
32015
Performance Improvement by Blanket Boron Implant in the Sigma-Shaped Trench Before the Embedded SiGe Source/Drain Formation for 28-nm PMOSFET
ZH Li, RL Li, YL Jiang, YW Zhang, YF Cao, XJ Wang
IEEE Electron Device Letters 41 (6), 796-799, 2020
22020
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–3