Michael A Reshchikov

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	22923	7062
h-индекс	46	28
i10-индекс	131	69

1500

750

375

1125

200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024126 115 168 147 275 438 652 836 950 1078 1123 1267 1357 1449 1399 1438 1467 1368 1313 1210 1337 1254 1086 862

Общий доступ

Просмотреть все

37 статей

3 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Hadis MorkoçVirginia Commonwealth UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vcu.edu
Vitaliy AvrutinVirginia Commonwealth UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vcu.edu
Umit OzgurVirginia Commonwealth UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vcu.edu
Ali TekeBalıkesir Üniversitesinde Fizik ProfesörüПодтвержден адрес электронной почты в домене balikesir.edu.tr
Denis DemchenkoAssistant Professor of Physics, Virginia Commonwealth UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vcu.edu
Alison A. BaskiCal Poly PomonaПодтвержден адрес электронной почты в домене cpp.edu
Paolo VISCONTIDepartment of Innovation Engineering, University of SalentoПодтвержден адрес электронной почты в домене unisalento.it
Seydi DoğanПодтвержден адрес электронной почты в домене balikesir.edu.tr
Jacek JasinskiConn Center for Renewable Energy Research, University of LouisvilleПодтвержден адрес электронной почты в домене louisville.edu
F. Shadi Shahedipour-SandvikSUNY College of Nanoscale Science and EngineeringПодтвержден адрес электронной почты в домене sunypoly.edu
Mykhailo VorobiovCollege of Willaim & MaryПодтвержден адрес электронной почты в домене wm.edu
Oleksandr AndrieievVirginia Commonwealth UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vcu.edu
Bruce WesselsNorthwestern UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене northwestern.edu
Andrey BakinProf. Dr., Technische Universität BraunschweigПодтвержден адрес электронной почты в домене tu-bs.de
Andreas WaagTechnische Universität BraunschweigПодтвержден адрес электронной почты в домене tu-braunschweig.de
Yong-Tae MoonLG ElectronicsПодтвержден адрес электронной почты в домене lge.com
Gyuchul YiSeoul National University OR POSTECHПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Vincent MeyersSandia National LaboratoriesПодтвержден адрес электронной почты в домене sandia.gov
M Zafar IqbalComsats Institute of Information Technology, Islamabad, PakistanПодтвержден адрес электронной почты в домене comsats.edu.pk
Michal BockowskiInstitute of High Pressure Physics PASПодтвержден адрес электронной почты в домене unipress.waw.pl

Michael A Reshchikov

Professor of Physics, Virginia Commonwealth University

Подтвержден адрес электронной почты в домене vcu.edu - Главная страница

Semiconductor physics Photoluminescence GaN defects


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
A comprehensive review of ZnO materials and devices Ü Özgür, YI Alivov, C Liu, A Teke, MA Reshchikov, S Doğan, V Avrutin, ... Journal of applied physics 98 (4), 2005	13665*	2005
Luminescence properties of defects in GaN MA Reshchikov, H Morkoç Journal of applied physics 97 (6), 2005	2229	2005
Behavior of 2.8-and 3.2-eV photoluminescence bands in Mg-doped GaN at different temperatures and excitation densities MA Reshchikov, GC Yi, BW Wessels Physical Review B 59 (20), 13176, 1999	295	1999
Yellow luminescence of gallium nitride generated by carbon defect complexes DO Demchenko, IC Diallo, MA Reshchikov Physical review letters 110 (8), 087404, 2013	255	2013
Analysis of the temperature and excitation intensity dependencies of photoluminescence in undoped GaN films MA Reshchikov, RY Korotkov Physical Review B 64 (11), 115205, 2001	234	2001
Dislocation density in GaN determined by photoelectrochemical and hot-wet etching P Visconti, KM Jones, MA Reshchikov, R Cingolani, H Morkoç, RJ Molnar Applied Physics Letters 77 (22), 3532-3534, 2000	217	2000
Luminescence properties of defects in ZnO MA Reshchikov, H Morkoc, B Nemeth, J Nause, J Xie, B Hertog, ... Physica B: Condensed Matter 401, 358-361, 2007	215	2007
Carbon defects as sources of the green and yellow luminescence bands in undoped GaN MA Reshchikov, DO Demchenko, A Usikov, H Helava, Y Makarov Physical Review B 90 (23), 235203, 2014	210	2014
Energy band bowing parameter in AlxGa1− xN alloys F Yun, MA Reshchikov, L He, T King, H Morkoç, SW Novak, L Wei Journal of applied physics 92 (8), 4837-4839, 2002	208	2002
Green luminescence in Mg-doped GaN MA Reshchikov, DO Demchenko, JD McNamara, S Fernández-Garrido, ... Physical Review B 90 (3), 035207, 2014	157	2014
Photoluminescence band near 2.9 eV in undoped GaN epitaxial layers MA Reshchikov, F Shahedipour, RY Korotkov, BW Wessels, MP Ulmer Journal of Applied Physics 87 (7), 3351-3354, 2000	144	2000
Surface photovoltage in undoped n-type GaN MA Reshchikov, M Foussekis, AA Baski Journal of Applied Physics 107 (11), 2010	130	2010
Measurement and analysis of photoluminescence in GaN MA Reshchikov Journal of applied physics 129 (12), 2021	120	2021
Tunable and abrupt thermal quenching of photoluminescence in high-resistivity Zn-doped GaN MA Reshchikov, AA Kvasov, MF Bishop, T McMullen, A Usikov, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 84 (7), 075212, 2011	116	2011
Temperature dependence of defect-related photoluminescence in III-V and II-VI semiconductors MA Reshchikov Journal of Applied Physics 115 (1), 2014	115	2014
Dependence of GaN polarity on the parameters of the buffer layer grown by molecular beam epitaxy D Huang, P Visconti, KM Jones, MA Reshchikov, F Yun, AA Baski, T King, ... Applied Physics Letters 78 (26), 4145-4147, 2001	115	2001
Two charge states of the acceptor in GaN: Evidence from photoluminescence MA Reshchikov, M Vorobiov, DO Demchenko, Ü Özgür, H Morkoç, ... Physical Review B 98 (12), 125207, 2018	103	2018
Yellow and green luminescence in a freestanding GaN template MA Reshchikov, H Morkoç, SS Park, KY Lee Applied Physics Letters 78 (20), 3041-3043, 2001	102	2001
Two charge states of dominant acceptor in unintentionally doped GaN: Evidence from photoluminescence study MA Reshchikov, H Morkoç, SS Park, KY Lee Applied Physics Letters 81 (26), 4970-4972, 2002	100	2002
GaN epitaxy on thermally treated c-plane bulk ZnO substrates with O and Zn faces X Gu, MA Reshchikov, A Teke, D Johnstone, H Morkoc, B Nemeth, ... Applied physics letters 84 (13), 2268-2270, 2004	99	2004

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы