Cheol Seong Hwang

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	48244	24242
h-индекс	101	73
i10-индекс	577	363

4400

2200

1100

3300

19992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024186 163 206 268 281 410 420 533 648 778 957 1170 1424 1630 2089 2285 2168 2411 2481 3043 3419 3660 4150 4242 4380 4360

Общий доступ

Просмотреть все

13 статей

0 статей*

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Min Hyuk ParkSeoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Kyung Min KimAssociate Professor, Department of Materials Science and Engineering, KAISTПодтвержден адрес электронной почты в домене kaist.ac.kr
Hyeong Joon Kim Professor, School of Materials Science and Engineering, College of Engineering, Seoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Seong Keun KimKorea Institute of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене kist.re.kr
Han Joon KimSeoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Gun Hwan KimAssociate Professor, Yonsei UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене yonsei.ac.kr
Taehwan MoonDepartment of Intelligence Semiconductor Engineering, Ajou UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ajou.ac.kr
Byung Joon ChoiSeoul National University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене seoultech.ac.kr
Doo Seok JeongHanyang UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене hanyang.ac.kr
Tae Joo ParkHanyang UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене hanyang.ac.kr
Jung Ho YoonAssistant Professor at Sungkyunkwan UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене skku.edu
Jeong Hwan HanSeoul National University of Science and Technology (SEOULTECH)Подтвержден адрес электронной почты в домене seoultech.ac.kr
Jung-Hae ChoiPrincipal Research Scientist, Korea Institute of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене kist.re.kr
Kyung Jean YoonIntel Santa ClaraПодтвержден адрес электронной почты в домене intel.com
Woongkyu LeeSoongsil UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ssu.ac.kr
Young Hwan LeeSeoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Seungwu HanSeoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Woojin JEONKyung Hee UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене khu.ac.kr
Deok-Yong ChoJeonbuk National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене jbnu.ac.kr
Hyeon Woo ParkPostdoctoral researcher, Georgia Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене gatech.edu

Cheol Seong Hwang

Professor, Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University

Подтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr - Главная страница

Materials Science Semiconductor Devices Thin film Fabrication


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Atomic structure of conducting nanofilaments in TiO₂ resistive switching memory DH Kwon, KM Kim, JH Jang, JM Jeon, MH Lee, GH Kim, XS Li, GS Park, ... Nature nanotechnology 5 (2), 148-153, 2010	2391	2010
Multifunctional wearable devices for diagnosis and therapy of movement disorders D Son, J Lee, S Qiao, R Ghaffari, J Kim, JE Lee, C Song, SJ Kim, DJ Lee, ... Nature nanotechnology 9 (5), 397-404, 2014	1546	2014
Resistive switching mechanism of TiO2 thin films grown by atomic-layer deposition BJ Choi, DS Jeong, SK Kim, C Rohde, S Choi, JH Oh, HJ Kim, CS Hwang, ... Journal of applied physics 98 (3), 2005	1471	2005
Emerging memories: resistive switching mechanisms and current status DS Jeong, R Thomas, RS Katiyar, JF Scott, H Kohlstedt, A Petraru, ... Reports on progress in physics 75 (7), 076502, 2012	1234	2012
Ferroelectricity and Antiferroelectricity of Doped Thin HfO₂‐Based Films MH Park, YH Lee, HJ Kim, YJ Kim, T Moon, KD Kim, J Mueller, A Kersch, ... Advanced Materials 27 (11), 1811-1831, 2015	1094	2015
Resistive switching materials for information processing Z Wang, H Wu, GW Burr, CS Hwang, KL Wang, Q Xia, JJ Yang Nature Reviews Materials 5 (3), 173-195, 2020	940	2020
Evolution of phases and ferroelectric properties of thin Hf0. 5Zr0. 5O2 films according to the thickness and annealing temperature M Hyuk Park, H Joon Kim, Y Jin Kim, W Lee, T Moon, C Seong Hwang Applied Physics Letters 102 (24), 2013	777	2013
Nanofilamentary resistive switching in binary oxide system; a review on the present status and outlook KM Kim, DS Jeong, CS Hwang Nanotechnology 22 (25), 254002, 2011	761	2011
Anode-interface localized filamentary mechanism in resistive switching of TiO2 thin films KM Kim, BJ Choi, YC Shin, S Choi, CS Hwang Applied physics letters 91 (1), 2007	513	2007
Review and perspective on ferroelectric HfO2-based thin films for memory applications MH Park, YH Lee, T Mikolajick, U Schroeder, CS Hwang Mrs Communications 8 (3), 795-808, 2018	501	2018
A Resistive Memory in Semiconducting BiFeO₃ Thin‐Film Capacitors AQ Jiang, C Wang, KJ Jin, XB Liu, JF Scott, CS Hwang, TA Tang, HB Lu, ... Advanced Materials 23 (10), 1277-1281, 2011	468	2011
The effects of crystallographic orientation and strain of thin Hf0. 5Zr0. 5O2 film on its ferroelectricity M Hyuk Park, H Joon Kim, Y Jin Kim, T Moon, C Seong Hwang Applied Physics Letters 104 (7), 2014	435	2014
A review of three‐dimensional resistive switching cross‐bar array memories from the integration and materials property points of view JY Seok, SJ Song, JH Yoon, KJ Yoon, TH Park, DE Kwon, H Lim, GH Kim, ... Advanced Functional Materials 24 (34), 5316-5339, 2014	416	2014
Identification of a determining parameter for resistive switching of TiO2 thin films C Rohde, BJ Choi, DS Jeong, S Choi, JS Zhao, CS Hwang Applied Physics Letters 86 (26), 2005	413	2005
High dielectric constant TiO2 thin films on a Ru electrode grown at 250 C by atomic-layer deposition SK Kim, WD Kim, KM Kim, CS Hwang, J Jeong Applied Physics Letters 85 (18), 4112-4114, 2004	411	2004
An artificial nociceptor based on a diffusive memristor JH Yoon, Z Wang, KM Kim, H Wu, V Ravichandran, Q Xia, CS Hwang, ... Nature communications 9 (1), 417, 2018	398	2018
First-principles study on doping and phase stability of CK Lee, E Cho, HS Lee, CS Hwang, S Han Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 78 (1), 012102, 2008	392	2008
Memristors for energy‐efficient new computing paradigms DS Jeong, KM Kim, S Kim, BJ Choi, CS Hwang Advanced Electronic Materials 2 (9), 1600090, 2016	391	2016
Al‐Doped TiO₂ Films with Ultralow Leakage Currents for Next Generation DRAM Capacitors SK Kim, GJ Choi, SY Lee, M Seo, SW Lee, JH Han, HS Ahn, S Han, ... Advanced Materials 20 (8), 1429-1435, 2008	351	2008
The fundamentals and applications of ferroelectric HfO₂ U Schroeder, MH Park, T Mikolajick, CS Hwang Nature Reviews Materials 7 (8), 653-669, 2022	349	2022

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы