blair tuttle

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	3041	1091
h-индекс	31	17
i10-индекс	56	32

240

120

180

19981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202411 26 36 44 69 52 65 57 53 83 85 77 96 107 112 125 119 149 153 173 232 165 164 182 178 213 187

Общий доступ

Просмотреть все

13 статей

2 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Ron SchrimpfProfessor of Electrical Engineering, Vanderbilt UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu
Daniel M. FleetwoodProfessor of Electrical Engineering, Vanderbilt UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu
Yevgeniy PuzyrevData & Applied Scientist, MicrosoftПодтвержден адрес электронной почты в домене microsoft.com
David R HughartSandia National LaboratoriesПодтвержден адрес электронной почты в домене sandia.gov
Xiao ShenAssociate Professor of Physics, University of MemphisПодтвержден адрес электронной почты в домене memphis.edu
Chris G. Van de WalleProfessor of Materials, University of California, Santa BarbaraПодтвержден адрес электронной почты в домене mrl.ucsb.edu
Matthew BeckChemical and Materials Engineering, University of KentuckyПодтвержден адрес электронной почты в домене engr.uky.edu
Tania RoyDuke UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене duke.edu
Chunguang TangANUПодтвержден адрес электронной почты в домене anu.edu.au
Leonard FeldmanProfessor of Physics and Materials ScienceПодтвержден адрес электронной почты в домене rutgers.edu
Joseph W. LydingProfessor of Electrical and Computer Engineering, University of IllinoisПодтвержден адрес электронной почты в домене illinois.edu
AG MarinopoulosResearch Associate, Center of Physics, University of CoimbraПодтвержден адрес электронной почты в домене uc.pt
Arthur H EdwardsSenior Research Physicist, Air Force Research LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене spaceforce.mil
Aldo Di CarloProf. of Opto&Nano-electronics, University of Rome Tor Vergata. Consiglio Nazionale delle RicercheПодтвержден адрес электронной почты в домене uniroma2.it
Roy MeadeAyar LabsПодтвержден адрес электронной почты в домене ayarlabs.com
Vijay KumarDr. Vijay Kumar Foundation and Shiv Nadar UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.edu.in
Kalman VargaVanderbilt UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu
Heejo LeeProfessor of Computer Science, Korea UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене korea.ac.kr

blair tuttle

Penn State Erie; The Behrend College

Подтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu - Главная страница

Applied Quantum Mechanics Microscopic Theory of Materials


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Silicon carbide: A unique platform for metal-oxide-semiconductor physics G Liu, BR Tuttle, S Dhar Applied Physics Reviews 2 (2), 2015	310	2015
Mechanical stability of possible structures of PtN investigated using first-principles calculations SKR Patil, SV Khare, BR Tuttle, JK Bording, S Kodambaka Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 73 (10), 104118, 2006	210	2006
Dehydrogenation of defects and hot-electron degradation in GaN high-electron-mobility transistors YS Puzyrev, T Roy, M Beck, BR Tuttle, RD Schrimpf, DM Fleetwood, ... Journal of Applied Physics 109 (3), 2011	157	2011
Tunneling through ultrathin gate oxides from microscopic models M Städele, BR Tuttle, K Hess Journal of Applied Physics 89 (1), 348-363, 2001	151	2001
Structure, energetics, and vibrational properties of Si-H bond dissociation in silicon B Tuttle, CG Van de Walle Physical review B 59 (20), 12884, 1999	147	1999
A Quantitative Model for ELDRS andDegradation Effects in Irradiated Oxides Based on First Principles Calculations NL Rowsey, ME Law, RD Schrimpf, DM Fleetwood, BR Tuttle, ... IEEE Transactions on Nuclear Science 58 (6), 2937-2944, 2011	88	2011
Energetics and diffusion of hydrogen in SiO 2 B Tuttle Physical Review B 61 (7), 4417, 2000	81	2000
Atomic state and characterization of nitrogen at the SiC/SiO2 interface Y Xu, X Zhu, HD Lee, C Xu, SM Shubeita, AC Ahyi, Y Sharma, ... Journal of Applied Physics 115 (3), 2014	79	2014
Microscopic theory of hydrogen in silicon devices CG Van de Walle, BR Tuttle IEEE Transactions on Electron Devices 47 (10), 1779-1786, 2000	74	2000
Defect Interactions ofin: Implications for ELDRS and Latent Interface Trap Buildup BR Tuttle, DR Hughart, RD Schrimpf, DM Fleetwood, ST Pantelides IEEE Transactions on Nuclear Science 57 (6), 3046-3053, 2010	73	2010
Diffusion of O vacancies near interfaces: An ab initio investigation C Tang, B Tuttle, R Ramprasad Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 76 (7), 073306, 2007	73	2007
Impact of nanostructure research on conventional solid-state electronics: The giant isotope effect in hydrogen desorption and CMOS lifetime K Hess, LF Register, B Tuttle, J Lyding, IC Kizilyalli Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 3 (1-3), 1-7, 1998	67	1998
Energetics of hydrogen in amorphous silicon: An ab initio study B Tuttle, JB Adams Physical Review B 57 (20), 12859, 1998	67	1998
Theory of channel hot-carrier degradation in MOSFETs K Hess, LF Register, W McMahon, B Tuttle, O Aktas, U Ravaioli, ... Physica B: Condensed Matter 272 (1-4), 527-531, 1999	65	1999
Theory of hot-carrier-induced phenomena in GaN high-electron-mobility transistors YS Puzyrev, BR Tuttle, RD Schrimpf, DM Fleetwood, ST Pantelides Applied Physics Letters 96 (5), 2010	61	2010
Electrical-stress-induced degradation in AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown under gallium-rich, nitrogen-rich, and ammonia-rich conditions T Roy, YS Puzyrev, BR Tuttle, DM Fleetwood, RD Schrimpf, DF Brown, ... Applied Physics Letters 96 (13), 2010	60	2010
Reactions of water molecules in silica-based network glasses IG Batyrev, B Tuttle, DM Fleetwood, RD Schrimpf, L Tsetseris, ... Physical review letters 100 (10), 105503, 2008	60	2008
Large excitonic effects in group-IV sulfide monolayers BR Tuttle, SM Alhassan, ST Pantelides Physical Review B 92 (23), 235405, 2015	56	2015
Magnitude of the threshold energy for hot electron damage in metal–oxide–semiconductor field effect transistors by hydrogen desorption K Hess, B Tuttle, F Register, DK Ferry Applied Physics Letters 75 (20), 3147-3149, 1999	55	1999
The effects of proton-defect interactions on radiation-induced interface-trap formation and annealing DR Hughart, RD Schrimpf, DM Fleetwood, NL Rowsey, ME Law, BR Tuttle, ... IEEE Transactions on Nuclear Science 59 (6), 3087-3092, 2012	53	2012

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы