Woojin JEON

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	2499	1751
h-индекс	25	21
i10-индекс	55	50

400

200

100

300

20132014201520162017201820192020202120222023202440 79 99 144 160 196 220 230 268 315 311 397

Общий доступ

Просмотреть все

0 статей

2 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Cheol Seong HwangProfessor, Department of Materials Science and Engineering, Seoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Woongkyu LeeSoongsil UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ssu.ac.kr
Youngjin KimKyonggi UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене kyonggi.ac.kr
Taehwan MoonDepartment of Intelligence Semiconductor Engineering, Ajou UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ajou.ac.kr
Seong Keun KimKorea Institute of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене kist.re.kr
Jeong Hwan HanSeoul National University of Science and Technology (SEOULTECH)Подтвержден адрес электронной почты в домене seoultech.ac.kr
Min Hyuk ParkSeoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Kyung Jean YoonIntel Santa ClaraПодтвержден адрес электронной почты в домене intel.com
Jung Ho YoonAssistant Professor at Sungkyunkwan UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене skku.edu
Dong Hee HanDept. of Advanced Materials Engineering for Information & Electronics, Kyung Hee UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене khu.ac.kr
Gun Hwan KimAssociate Professor, Yonsei UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене yonsei.ac.kr
Dae Seon Kwonimec, SNUПодтвержден адрес электронной почты в домене imec.be
Yeonchoo ChoSamsung Advanced Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com
Sang-Soo LeeKorea Institute of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене kist.re.kr
Ji-Hoon AhnHanyang UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене hanyang.ac.kr
Patrice GONONLTM / Université Grenoble Alpes (UGA)Подтвержден адрес электронной почты в домене cea.fr
Christophe ValleeProfesseur CNSE Albany / Professeur UGAПодтвержден адрес электронной почты в домене albany.edu
Heesuk KimKorea Institute of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене kist.re.kr
Taeyong EomDepartment of Semiconductor System Engineering, Sejong UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене krict.re.kr
Hoisung ChungPrincipal Engineer in Samsung ElectronicsПодтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com

Woojin JEON

Kyung Hee University

Подтвержден адрес электронной почты в домене khu.ac.kr - Главная страница

high-k dielectrics thin film atomic layer deposition semiconductor


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Grain size engineering for ferroelectric Hf0. 5Zr0. 5O2 films by an insertion of Al2O3 interlayer HJ Kim, MH Park, YJ Kim, YH Lee, W Jeon, T Gwon, T Moon, KD Kim, ... Applied Physics Letters 105 (19), 2014	273	2014
32× 32 crossbar array resistive memory composed of a stacked Schottky diode and unipolar resistive memory GH Kim, JH Lee, Y Ahn, W Jeon, SJ Song, JY Seok, JH Yoon, KJ Yoon, ... Advanced Functional Materials 23 (11), 1440-1449, 2013	200	2013
Highly improved uniformity in the resistive switching parameters of TiO2 thin films by inserting Ru nanodots. JH Yoon, JH Han, JS Jung, W Jeon, GH Kim, SJ Song, JY Seok, KJ Yoon, ... Advanced Materials (Deerfield Beach, Fla.) 25 (14), 1987-1992, 2013	200	2013
Ferroelectric properties and switching endurance of Hf_0.5Zr_0.5O₂ films on TiN bottom and TiN or RuO₂ top electrodes MH Park, HJ Kim, YJ Kim, W Jeon, T Moon, CS Hwang physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters 8 (6), 532-535, 2014	155	2014
High-concentration boron doping of graphene nanoplatelets by simple thermal annealing and their supercapacitive properties DY Yeom, W Jeon, NDK Tu, SY Yeo, SS Lee, BJ Sung, H Chang, JA Lim, ... Scientific reports 5 (1), 9817, 2015	153	2015
Titanium dioxide thin films for next-generation memory devices SK Kim, KM Kim, DS Jeong, W Jeon, KJ Yoon, CS Hwang Journal of Materials Research 28 (3), 313-325, 2013	114	2013
Recent advances in the understanding of high-k dielectric materials deposited by atomic layer deposition for dynamic random-access memory capacitor applications W Jeon Journal of Materials Research, 1-20, 2019	97	2019
Atomic Layer Deposition of SrTiO₃ Films with Cyclopentadienyl-Based Precursors for Metal–Insulator–Metal Capacitors W Lee, JH Han, W Jeon, YW Yoo, SW Lee, SK Kim, CH Ko, ... Chemistry of Materials 25 (6), 953-961, 2013	87	2013
Structure and Electrical Properties of Al-Doped HfO₂ and ZrO₂ Films Grown via Atomic Layer Deposition on Mo Electrodes YW Yoo, W Jeon, W Lee, CH An, SK Kim, CS Hwang ACS applied materials & interfaces 6 (24), 22474-22482, 2014	79	2014
Wafer‐Scale Synthesis of Reliable High‐Mobility Molybdenum Disulfide Thin Films via Inhibitor‐Utilizing Atomic Layer Deposition W Jeon, Y Cho, S Jo, JH Ahn, SJ Jeong Advanced Materials 29 (47), 1703031, 2017	74	2017
Frustration of Negative Capacitance in Al₂O₃/BaTiO₃ Bilayer Structure YJ Kim, MH Park, YH Lee, HJ Kim, W Jeon, T Moon, K Do Kim, DS Jeong, ... Scientific Reports 6 (1), 19039, 2016	58	2016
TiO2∕ Al2O3∕ TiO2 Nanolaminated Thin Films for DRAM Capacitor Deposited by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition W Jeon, HS Chung, D Joo, SW Kang Electrochemical and Solid-State Letters 11 (2), H19, 2007	49	2007
Improved Initial Growth Behavior of SrO and SrTiO₃ Films Grown by Atomic Layer Deposition Using {Sr(demamp)(tmhd)}₂ as Sr-Precursor W Lee, W Jeon, CH An, MJ Chung, HJ Kim, T Eom, SM George, BK Park, ... Chemistry of Materials 27 (11), 3881-3891, 2015	45	2015
High-throughput fabrication of infinitely long 10 nm slit arrays for terahertz applications J Jeong, J Rhie, W Jeon, CS Hwang, DS Kim Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves 36, 262-268, 2015	40	2015
Growth of Conductive SrRuO₃ Films by Combining Atomic Layer Deposited SrO and Chemical Vapor Deposited RuO₂ Layers JH Han, W Lee, W Jeon, SW Lee, CS Hwang, C Ko, J Gatineau Chemistry of Materials 24 (24), 4686-4692, 2012	39	2012
Interfacial charge-induced polarization switching in Al2O3/Pb (Zr, Ti) O3 bi-layer YJ Kim, MH Park, W Jeon, HJ Kim, T Moon, YH Lee, KD Kim, SD Hyun, ... Journal of Applied Physics 118 (22), 2015	38	2015
Evaluating the Top Electrode Material for Achieving an Equivalent Oxide Thickness Smaller than 0.4 nm from an Al-Doped TiO₂ Film W Jeon, S Yoo, HK Kim, W Lee, CH An, MJ Chung, CJ Cho, SK Kim, ... ACS applied materials & interfaces 6 (23), 21632-21637, 2014	35	2014
Controlling the Electrical Characteristics of ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂ Capacitors by Adopting a Ru Top Electrode Grown via Atomic Layer Deposition CH An, W Lee, SH Kim, CJ Cho, DG Kim, DS Kwon, ST Cho, SH Cha, ... physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters 13 (3), 1800454, 2019	33	2019
Controlling the Al-Doping Profile and Accompanying Electrical Properties of Rutile-Phased TiO₂ Thin Films W Jeon, SH Rha, W Lee, YW Yoo, CH An, KH Jung, SK Kim, CS Hwang ACS applied materials & interfaces 6 (10), 7910-7917, 2014	32	2014
Vapor Transport Synthesis of Two-Dimensional SnS₂ Nanocrystals Using a SnS₂ Precursor Obtained from the Sulfurization of SnO₂ JC Park, KR Lee, H Heo, SH Kwon, JD Kwon, MJ Lee, W Jeon, SJ Jeong, ... Crystal Growth & Design 16 (7), 3884-3889, 2016	28	2016

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы