Kazumasa Hiramatsu

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	20464	3576
h-индекс	64	26
i10-индекс	214	70

940

470

235

705

199119921993199419951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202476 122 158 236 389 639 785 739 765 778 708 755 706 613 472 559 607 617 553 539 634 608 753 722 924 752 789 660 663 788 666 574 493 392

Общий доступ

Просмотреть все

0 статей

1 статья

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Atsushi Motogaito三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻准教授Подтвержден адрес электронной почты в домене elec.mie-u.ac.jp
Axel HoffmannInstitute of Solid State Physics, Technical University of BerlinПодтвержден адрес электронной почты в домене tu-berlin.de
juergen christenProfessor of Physics, Magdeburg UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ovgu.de
peter hackeNRELПодтвержден адрес электронной почты в домене nrel.gov
Harumasa Yoshida. 吉田治正 JH2VMNFreelance Scientist, Former Research Professor of Mie University, Japan.Подтвержден адрес электронной почты в домене jarl.com
Yoshio HondaNagoyaПодтвержден адрес электронной почты в домене nuee.nagoya-u.ac.jp
Uedono AkiraUniversity of TsukubaПодтвержден адрес электронной почты в домене u.tsukuba.ac.jp
Tsvetanka ZhelevaUS Army Research LabПодтвержден адрес электронной почты в домене mail.mil
Robert F. DavisCarnegie Mellon UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене andrew.cmu.edu
Bernard GILCNRS university MontpellierПодтвержден адрес электронной почты в домене umontpellier.fr
Kazunobu KojimaOsaka UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене osaka-u.ac.jp
Toru AkiyamaMie UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене phen.mie-u.ac.jp
Motoaki IwayaMeijo UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене meijo-u.ac.jp
Zlatko SitarKobe Steel Distinguished Professor of Materials Science and Engineerign, North Carolina StateПодтвержден адрес электронной почты в домене ncsu.edu
Koichi KakimotoProfessor, Kyushu UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене riam.kyushu-u.ac.jp
Yoshihiro KangawaRIAM, Kyushu UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене riam.kyushu-u.ac.jp

Kazumasa Hiramatsu

Mie University, Emeritus Professore

Подтвержден адрес электронной почты в домене elec.mie-u.ac.jp

Crystal growth Nitride Semiconductors Optoelectronics


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI) H Amano, M Kito, K Hiramatsu, I Akasaki Japanese journal of applied physics 28 (12A), L2112, 1989	3164	1989
Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1− xAlxN (0< x≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE I Akasaki, H Amano, Y Koide, K Hiramatsu, N Sawaki Journal of crystal growth 98 (1-2), 209-219, 1989	1153	1989
Fabrication and characterization of low defect density GaN using facet-controlled epitaxial lateral overgrowth (FACELO) K Hiramatsu, K Nishiyama, M Onishi, H Mizutani, M Narukawa, ... Journal of Crystal Growth 221 (1-4), 316-326, 2000	556	2000
Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN pn junction LED I Akasaki, H Amano, M Kito, K Hiramatsu Journal of luminescence 48, 666-670, 1991	499	1991
Growth mechanism of GaN grown on sapphire with A1N buffer layer by MOVPE K Hiramatsu, S Itoh, H Amano, I Akasaki, N Kuwano, T Shiraishi, K Oki Journal of Crystal Growth 115 (1-4), 628-633, 1991	476	1991
Selective growth of wurtzite GaN and AlxGa1− xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy Y Kato, S Kitamura, K Hiramatsu, N Sawaki Journal of crystal growth 144 (3-4), 133-140, 1994	449	1994
Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate H Amano, I Akasaki, K Hiramatsu, N Koide, N Sawaki Thin Solid Films 163, 415-420, 1988	423	1988
The growth of single crystalline GaN on a Si substrate using AIN as an intermediate layer A Watanabe, T Takeuchi, K Hirosawa, H Amano, K Hiramatsu, I Akasaki Journal of crystal growth 128 (1-4), 391-396, 1993	396	1993
Schottky barrier on n‐type GaN grown by hydride vapor phase epitaxy P Hacke, T Detchprohm, K Hiramatsu, N Sawaki Applied physics letters 63 (19), 2676-2678, 1993	394	1993
Recent progress in selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of III‐nitrides: effects of reactor pressure in MOVPE growth K Hiramatsu, K Nishiyama, A Motogaito, H Miyake, Y Iyechika, T Maeda physica status solidi (a) 176 (1), 535-543, 1999	378	1999
Relaxation process of the thermal strain in the GaN/α-Al2O3 heterostructure and determination of the intrinsic lattice constants of GaN free from the strain T Detchprohm, K Hiramatsu, KIK Itoh, IAI Akasaki Japanese journal of applied physics 31 (10B), L1454, 1992	370	1992
Analysis of deep levels in n‐type GaN by transient capacitance methods P Hacke, T Detchprohm, K Hiramatsu, N Sawaki, K Tadatomo, K Miyake Journal of Applied Physics 76 (1), 304-309, 1994	360	1994
Hydride vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using a ZnO buffer layer T Detchprohm, K Hiramatsu, H Amano, I Akasaki Applied physics letters 61 (22), 2688-2690, 1992	344	1992
Process of vapor growth of gallium nitride and its apparatus K Manabe, N Okazaki, I Akazaki, K Hiramatsu, H Amano US Patent 4,911,102, 1990	321	1990
Preparation of high-quality AlN on sapphire by high-temperature face-to-face annealing H Miyake, CH Lin, K Tokoro, K Hiramatsu Journal of Crystal Growth 456, 155-159, 2016	313	2016
Relaxation mechanism of thermal stresses in the heterostructure of GaN grown on sapphire by vapor phase epitaxy K Hiramatsu, TD Akasaki Japanese Journal of Applied Physics 32 (4R), 1528, 1993	294	1993
Growth and Luminescence Properties of Mg‐Doped GaN Prepared by MOVPE H Amano, M Kitoh, K Hiramatsu, I Akasaki Journal of the Electrochemical Society 137 (5), 1639, 1990	290	1990
Growth of single crystalline GaN film on Si substrate using 3C-SiC as an intermediate layer T Takeuchi, H Amano, K Hiramatsu, N Sawaki, I Akasaki Journal of crystal growth 115 (1-4), 634-638, 1991	266	1991
Exciton fine structure in undoped GaN epitaxial films D Volm, K Oettinger, T Streibl, D Kovalev, M Ben-Chorin, J Diener, ... Physical Review B 53 (24), 16543, 1996	249	1996
Growth of single crystal GaN substrate using hydride vapor phase epitaxy K Naniwae, S Itoh, H Amano, K Itoh, K Hiramatsu, I Akasaki Journal of crystal growth 99 (1-4), 381-384, 1990	248	1990

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы