Joao Antonio Martino

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	3868	1353
h-индекс	27	14
i10-индекс	97	36

300

150

225

199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202412 8 19 21 28 48 41 41 50 50 130 123 104 119 144 174 190 197 207 281 247 257 208 227 271 250 224 173

Общий доступ

Просмотреть все

32 статьи

73 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

C. ClaeysProfessor KU LeuvenПодтвержден адрес электронной почты в домене kuleuven.be
Paula Ghedini Der AgopianSão Paulo State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене unesp.br
Marcelo Antonio PavanelloFull Professor, Department of Electrical Engineering, Centro Universitário da FEIПодтвержден адрес электронной почты в домене fei.edu.br
Katia Regina Akemi SasakiUniversidade de São PauloПодтвержден адрес электронной почты в домене lsi.usp.br
Denis FlandreICTEAM, EPL, Université catholique de Louvain (UCL)Подтвержден адрес электронной почты в домене uclouvain.be
Aaron TheanNational University of SingaporeПодтвержден адрес электронной почты в домене nus.edu.sg
Sara Dereste dos Santos PerseghiniInstituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de São PauloПодтвержден адрес электронной почты в домене ifsp.edu.br
Luciano Mendes AlmeidaEstudante, Departamento de Sistemas Integráveis da Escola Politécnica da Universidade de São PauloПодтвержден адрес электронной почты в домене lsi.usp.br
Marcello BellodiProfessor de Engenharia Elétrica, Centro Universitário da FEIПодтвержден адрес электронной почты в домене fei.edu.br
A. MerchaDirector - Technology PlatformsПодтвержден адрес электронной почты в домене imec.be
Jean-Pierre RaskinUniversité catholique de Louvain, Engineering School of LouvainПодтвержден адрес электронной почты в домене uclouvain.be
Alireza AlianimecПодтвержден адрес электронной почты в домене imec.be
Anne S VerhulstPrincipal Member of Technical Staff, imec, BelgiumПодтвержден адрес электронной почты в домене imec.be
Salvador Pinillos GimenezFull Professor, FEI University Center/Centro Universitário FEIПодтвержден адрес электронной почты в домене fei.edu.br
Rodrigo T. DoriaCentro Universitário da FEIПодтвержден адрес электронной почты в домене fei.edu.br

Joao Antonio Martino

University of Sao Paulo

Подтвержден адрес электронной почты в домене usp.br

Nanoelectronic Microelectronic Semiconductor Devices Biosensor Integrated Circuits


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Caracterização elétrica de tecnologia e dispositivos MOS PB Verdonck Cengage Learning Editores, 2004	158	2004
Analog performance and application of graded-channel fully depleted SOI MOSFETs MA Pavanello, JA Martino, V Dessard, D Flandre Solid-State Electronics 44 (7), 1219-1222, 2000	131	2000
Graded-channel fully depleted silicon-on-insulator nMOSFET for reducing the parasitic bipolar effects MA Pavanello, JA Martino, D Flandre Solid-State Electronics 44 (6), 917-922, 2000	114	2000
BJT effect analysis in p-and n-SOI MuGFETs with high-k gate dielectrics and TiN metal gate electrode for a 1T-DRAM application M Galeti, M Rodrigues, JA Martino, N Collaert, E Simoen, M Aoulaiche, ... IEEE 2011 International SOI Conference, 1-2, 2011	97	2011
Temperature impact on the tunnel FET off-state current components PG Der Agopian, MDV Martino, SG dos Santos Filho, JA Martino, ... Solid-state electronics 78, 141-146, 2012	91	2012
Experimental comparison between trigate p-TFET and p-FinFET analog performance as a function of temperature PG Der Agopian, JA Martino, R Rooyackers, A Vandooren, E Simoen, ... IEEE Transactions on Electron Devices 60 (8), 2493-2497, 2013	82	2013
Low-frequency noise analysis and modeling in vertical tunnel FETs with Ge source FS Neves, PGD Agopian, JA Martino, B Cretu, R Rooyackers, ... IEEE Transactions on Electron Devices 63 (4), 1658-1665, 2016	81	2016
An asymmetric channel SOI nMOSFET for reducing parasitic effects and improving output characteristics MA Pavanello, JA Martino, V Dessard, D Flandre Electrochemical and Solid-State Letters 3 (1), 50, 1999	79	1999
InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature A Alian, Y Mols, CCM Bordallo, D Verreck, A Verhulst, A Vandooren, ... Applied Physics Letters 109 (24), 2016	66	2016
Advantages of the graded-channel SOI FD MOSFET for application as a quasi-linear resistor A Cerdeira, MA Alemán, MA Pavanello, JA Martino, L Vancaillie, ... IEEE Transactions on Electron Devices 52 (5), 967-972, 2005	66	2005
Analog circuit design using graded-channel silicon-on-insulator nMOSFETs MA Pavanello, JA Martino, D Flandre Solid-State Electronics 46 (8), 1215-1225, 2002	54	2002
Evaluation of triple-gate FinFETs with SiO2–HfO2–TiN gate stack under analog operation MA Pavanello, JA Martino, E Simoen, R Rooyackers, N Collaert, C Claeys Solid-State Electronics 51 (2), 285-291, 2007	51	2007
Behavior of triple-gate Bulk FinFETs with and without DTMOS operation MGC de Andrade, JA Martino, M Aoulaiche, N Collaert, E Simoen, ... Solid-state electronics 71, 63-68, 2012	43	2012
Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures PG Der Agopian, JA Martino, A Vandooren, R Rooyackers, E Simoen, ... Solid-State Electronics 128, 43-47, 2017	42	2017
The dependence of retention time on gate length in UTBOX FBRAM with different source/drain junction engineering T Nicoletti, M Aoulaiche, LM Almeida, SD Santos, JA Martino, A Veloso, ... IEEE electron device letters 33 (7), 940-942, 2012	42	2012
Influence of the source composition on the analog performance parameters of vertical nanowire-TFETs PGD Agopian, MDV Martino, SD dos Santos, FS Neves, JA Martino, ... IEEE Transactions on Electron Devices 62 (1), 16-22, 2014	41	2014
Threshold voltage extraction in Tunnel FETs A Ortiz-Conde, FJ García-Sánchez, J Muci, A Sucre-González, JA Martino, ... Solid-State Electronics 93, 49-55, 2014	40	2014
Modeling silicon on insulator MOS transistors with nonrectangular-gate layouts R Giacomini, JA Martino Journal of the Electrochemical Society 153 (3), G218, 2006	39	2006
Trapezoidal cross-sectional influence on FinFET threshold voltage and corner effects R Giacomini, JA Martino Journal of the Electrochemical Society 155 (4), H213, 2008	38	2008
Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics SD Dos Santos, B Cretu, V Strobel, JM Routoure, R Carin, JA Martino, ... Solid-State Electronics 97, 14-22, 2014	37	2014

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы