Mim Lal Nakarmi

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	5289	1774
h-индекс	33	19
i10-индекс	44	31

380

190

285

200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202445 116 150 219 193 216 256 183 218 246 242 263 289 291 301 262 280 346 372 278 273 225

Общий доступ

Просмотреть все

1 статья

0 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Hongxing Jiang (江红星）Ed Whitacre Endowed Chair and P. W. Horn Distinguished Professor of ECE, Texas Tech UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ttu.edu
Jingyu Lin (林景瑜）Linda Whitacre Endowed Chair & Horn Distinguished Professor of ECE, Texas Tech UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ttu.edu
Neeraj NepalUS Naval Research LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене nrl.navy.mil
Jing Li (李景）Research Professor of Nanophotonics center, Texas Tech UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ttu.edu
Ram RaiSUNY Buffalo StateПодтвержден адрес электронной почты в домене buffalostate.edu
Zhaoyang FanProfessor of Electrical Engineering, Arizona State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Kai ZhuNational Renewable Energy LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене nrel.gov
Nikesh MaharjanBrooklyn College and the Graduate Center of CUNYПодтвержден адрес электронной почты в домене gradcenter.cuny.edu
Zlatko SitarKobe Steel Distinguished Professor of Materials Science and Engineerign, North Carolina StateПодтвержден адрес электронной почты в домене ncsu.edu
Suhuai WeiEastern Institute of Technology, Ningbo, ChinaПодтвержден адрес электронной почты в домене eitech.edu.cn
Jagat ShakyaIntel CorporationПодтвержден адрес электронной почты в домене ksu.edu
Rajendra DahalIntel Corporation
Ashok SedhainPrincipal Process Engineer Metrology, Globalfoundries

Mim Lal Nakarmi

Professor of Physics, Brooklyn College-CUNY

Подтвержден адрес электронной почты в домене brooklyn.cuny.edu - Главная страница

Wide bandgap semiconductor Photonics optoelectronics material science


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Band structure and fundamental optical transitions in wurtzite AlN J Li, KB Nam, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang, P Carrier, SH Wei Applied Physics Letters 83 (25), 5163-5165, 2003	471	2003
Unique optical properties of AlGaN alloys and related ultraviolet emitters KB Nam, J Li, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang Applied physics letters 84 (25), 5264-5266, 2004	431	2004
Mg acceptor level in AlN probed by deep ultraviolet photoluminescence KB Nam, ML Nakarmi, J Li, JY Lin, HX Jiang Applied physics letters 83 (5), 878-880, 2003	367	2003
200nm deep ultraviolet photodetectors based on AlN J Li, ZY Fan, R Dahal, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang Applied Physics Letters 89 (21), 2006	245	2006
Optical and electrical properties of Mg-doped p-type J Li, TN Oder, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang Applied physics letters 80 (7), 1210-1212, 2002	237	2002
Temperature and compositional dependence of the energy band gap of AlGaN alloys N Nepal, J Li, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang Applied Physics Letters 87 (24), 2005	228	2005
Deep impurity transitions involving cation vacancies and complexes in AlGaN alloys KB Nam, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang Applied Physics Letters 86 (22), 2005	224	2005
Photoluminescence studies of impurity transitions in Mg-doped AlGaN alloys ML Nakarmi, N Nepal, JY Lin, HX Jiang Applied Physics Letters 94 (9), 2009	215	2009
Enhanced p-type conduction in GaN and AlGaN by Mg-δ-doping ML Nakarmi, KH Kim, J Li, JY Lin, HX Jiang Applied physics letters 82 (18), 3041-3043, 2003	188	2003
Electrical and optical properties of Mg-doped Al0. 7Ga0. 3N alloys ML Nakarmi, KH Kim, M Khizar, ZY Fan, JY Lin, HX Jiang Applied Physics Letters 86 (9), 2005	185	2005
Transport properties of highly conductive n-type Al-rich AlxGa1− xN (x⩾ 0.7) ML Nakarmi, KH Kim, K Zhu, JY Lin, HX Jiang Applied Physics Letters 85 (17), 3769-3771, 2004	183	2004
Photoluminescence studies of impurity transitions in AlGaN alloys N Nepal, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang Applied physics letters 89 (9), 2006	179	2006
Correlation between optical and electrical properties of Mg-doped AlN epilayers ML Nakarmi, N Nepal, C Ugolini, TM Altahtamouni, JY Lin, HX Jiang Applied physics letters 89 (15), 2006	171	2006
Correlation between optoelectronic and structural properties and epilayer thickness of AlN BN Pantha, R Dahal, ML Nakarmi, N Nepal, J Li, JY Lin, HX Jiang, ... Applied Physics Letters 90 (24), 2007	166	2007
Deep ultraviolet picosecond time-resolved photoluminescence studies of AlN epilayers KB Nam, J Li, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang Applied physics letters 82 (11), 1694-1696, 2003	139	2003
Band-edge photoluminescence of AlN epilayers J Li, KB Nam, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang Applied Physics Letters 81 (18), 3365-3367, 2002	136	2002
Achieving highly conductive AlGaN alloys with high Al contents KB Nam, J Li, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang Applied Physics Letters 81 (6), 1038-1040, 2002	124	2002
AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN epilayers KH Kim, ZY Fan, M Khizar, ML Nakarmi, JY Lin, HX Jiang Applied physics letters 85 (20), 4777-4779, 2004	115	2004
Band-edge exciton states in AlN single crystals and epitaxial layers L Chen, BJ Skromme, RF Dalmau, R Schlesser, Z Sitar, C Chen, W Sun, ... Applied physics letters 85 (19), 4334-4336, 2004	109	2004
Optical and electronic properties of NiFe₂O₄ and CoFe₂O₄ thin films RC Rai, S Wilser, M Guminiak, B Cai, ML Nakarmi Applied Physics A 106, 207-211, 2012	94	2012

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы