Shashwat Anand

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	3143	2847
h-индекс	28	27
i10-индекс	38	38

600

300

150

450

201520162017201820192020202120222023202421 41 62 156 261 362 501 597 577 539

Общий доступ

Просмотреть все

37 статей

7 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

G. Jeffrey SnyderNorthwestern UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене northwestern.edu
Chris WolvertonProfessor of Materials Science and Eng., Northwestern UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене northwestern.edu
KanatzidisNorthwestern UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене northwestern.edu
Maxwell WoodNPP Fellow at NASA JPLПодтвержден адрес электронной почты в домене u.northwestern.edu
Umesh V WaghmareJNCASRПодтвержден адрес электронной почты в домене jncasr.ac.in
Matthias T AgneUniversity of OregonПодтвержден адрес электронной почты в домене uoregon.edu
Anubhav JainLawrence Berkeley National LabПодтвержден адрес электронной почты в домене lbl.gov
Kanishka BiswasProfessor in New Chemistry Unit, JNCASR, IndiaПодтвержден адрес электронной почты в домене jncasr.ac.in
Vladan StevanovicColorado School of MinesПодтвержден адрес электронной почты в домене mines.edu
Stephen Dongmin KangSeoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Saneyuki OhnoTohoku University, Associate ProfessorПодтвержден адрес электронной почты в домене tohoku.ac.jp
Riley HanusWolfspeedПодтвержден адрес электронной почты в домене wolfspeed.com
Yi XiaAssistant Professor, Mechanical & Materials Engineering, Portland State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене pdx.edu
Vinay Ishwar HegdeResearch Scientist, Google DeepmindПодтвержден адрес электронной почты в домене google.com
Wolfgang ZeierUniversity of MuensterПодтвержден адрес электронной почты в домене uni-muenster.de
Koushik PalAssistant Professor of Physics, IIT KanpurПодтвержден адрес электронной почты в домене iitk.ac.in

Shashwat Anand

Lawrence Berkeley National Laboratory (postdoc)

Подтвержден адрес электронной почты в домене lbl.gov

Theory and Simulations Defect Thermodynamics High Throughput DFT Thermoelectrics


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Mg alloying in SnTe facilitates valence band convergence and optimizes thermoelectric properties A Banik, US Shenoy, S Anand, UV Waghmare, K Biswas Chemistry of Materials 27 (2), 581-587, 2015	443	2015
Phase boundary mapping to obtain n-type Mg3Sb2-based thermoelectrics S Ohno, K Imasato, S Anand, H Tamaki, SD Kang, P Gorai, HK Sato, ... Joule 2 (1), 141-154, 2018	340	2018
High Thermoelectric Performance in SnTe–AgSbTe₂ Alloys from Lattice Softening, Giant Phonon–Vacancy Scattering, and Valence Band Convergence G Tan, S Hao, RC Hanus, X Zhang, S Anand, TP Bailey, AJE Rettie, X Su, ... ACS Energy Letters 3 (3), 705-712, 2018	172	2018
Enhanced Thermoelectric Performance in 18‐Electron Nb0.8CoSb Half‐Heusler Compound with Intrinsic Nb Vacancies K Xia, Y Liu, S Anand, GJ Snyder, J Xin, J Yu, X Zhao, T Zhu Advanced Functional Materials 28 (9), 1705845, 2018	151	2018
Na doping in PbTe: solubility, band convergence, phase boundary mapping, and thermoelectric properties P Jood, JP Male, S Anand, Y Matsushita, Y Takagiwa, MG Kanatzidis, ... Journal of the American Chemical Society 142 (36), 15464-15475, 2020	138	2020
Double half-heuslers S Anand, M Wood, Y Xia, C Wolverton, GJ Snyder Joule 3 (5), 1226-1238, 2019	136	2019
A valence balanced rule for discovery of 18-electron half-Heuslers with defects S Anand, K Xia, VI Hegde, U Aydemir, V Kocevski, T Zhu, C Wolverton, ... Energy & Environmental Science 11 (6), 1480-1488, 2018	132	2018
Heat capacity of Mg3Sb2, Mg3Bi2, and their alloys at high temperature MT Agne, K Imasato, S Anand, K Lee, SK Bux, A Zevalkink, AJE Rettie, ... Materials Today Physics 6, 83-88, 2018	121	2018
Impact of Ni content on the thermoelectric properties of half-Heusler TiNiSn Y Tang, X Li, LHJ Martin, EC Reyes, T Ivas, C Leinenbach, S Anand, ... Energy & Environmental Science 11 (2), 311-320, 2018	115	2018
Using 18-Electron Rule To Understand the Nominal 19-Electron Half-Heusler NbCoSb with Nb Vacancies W Zeier, S Anand, L Huang, R He, H Zhang, Z Ren, C Wolverton, ... Chemistry of Materials 29, 1210-1217, 2017	114	2017
Short-range order in defective half-Heusler thermoelectric crystals K Xia, P Nan, S Tan, Y Wang, B Ge, W Zhang, S Anand, X Zhao, ... Energy & Environmental Science 12 (5), 1568-1574, 2019	107	2019
High Thermoelectric Performance of New Rhombohedral Phase of GeSe stabilized through Alloying with AgSbSe₂ Z Huang, SA Miller, B Ge, M Yan, S Anand, T Wu, P Nan, Y Zhu, ... Angewandte Chemie International Edition 56 (45), 14113-14118, 2017	89	2017
Thermoelectric Properties of Materials with Nontrivial Electronic Topology K Pal, S Anand, U Waghmare, V Journal of Materials Chemistry C, 2015	85	2015
How to analyse a density of states MY Toriyama, AM Ganose, M Dylla, S Anand, J Park, MK Brod, JM Munro, ... Materials Today Electronics 1, 100002, 2022	77	2022
Understanding the thermally activated charge transport in NaPbmSbQm+2 (Q= S, Se, Te) thermoelectrics: weak dielectric screening leads to grain boundary dominated charge carrier … TJ Slade, JA Grovogui, JJ Kuo, S Anand, TP Bailey, M Wood, C Uher, ... Energy & Environmental Science 13 (5), 1509-1518, 2020	69	2020
Temperature dependent n‐type self doping in nominally 19‐electron half‐Heusler thermoelectric materials S Anand, K Xia, T Zhu, C Wolverton, GJ Snyder Advanced Energy Materials 8 (30), 1801409, 2018	69	2018
Two-dimensional Rectangular and Honeycomb Lattices of NbN: Emergence of Piezoelectric and Photocatalytic Properties at Nano-scale S Anand, K Thekeppat, UV Waghmare Nano Letters, 2015	62	2015
The importance of phase equilibrium for doping efficiency: iodine doped PbTe J Male, MT Agne, A Goyal, S Anand, IT Witting, V Stevanović, GJ Snyder Materials Horizons 6 (7), 1444-1453, 2019	56	2019
Charge-carrier-mediated lattice softening contributes to high zT in thermoelectric semiconductors TJ Slade†, S Anand† (†Co-first Author), M Wood, JP Male, K Imasato, ... Joule, 2021	51	2021
On the dopability of semiconductors and governing material properties A Goyal, P Gorai, S Anand, ES Toberer, GJ Snyder, V Stevanovic Chemistry of Materials 32 (11), 4467-4480, 2020	47	2020

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы