Yevgeniy Puzyrev

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	2163	1062
h-индекс	26	20
i10-индекс	34	25

220

110

165

20092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320247 11 34 63 93 94 170 184 204 219 165 206 197 180 171 143

Общий доступ

Просмотреть все

12 статей

3 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Daniel M. FleetwoodProfessor of Electrical Engineering, Vanderbilt UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu
Ron SchrimpfProfessor of Electrical Engineering, Vanderbilt UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu
Enxia ZhangUniversity of Central FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене ucf.edu
Tania RoyDuke UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене duke.edu
Xiao ShenAssociate Professor of Physics, University of MemphisПодтвержден адрес электронной почты в домене memphis.edu
Bin WangConoco-DuPont Professor, Chemical Engineering, University of OklahomaПодтвержден адрес электронной почты в домене ou.edu
blair tuttlePenn State Erie; The Behrend CollegeПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Kirill BolotinProfessor of Physics, Freie University BerlinПодтвержден адрес электронной почты в домене fu-berlin.de
AKM NewazSan Francisco State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене sfsu.edu
Matthew BeckChemical and Materials Engineering, University of KentuckyПодтвержден адрес электронной почты в домене engr.uky.edu
Bo Kyoung ChoiMTEGПодтвержден адрес электронной почты в домене mteg.co.kr
Hiram ConleyDepartment of Physics and AstronomyПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu
Marco SilvestriHuawei TehcnologiesПодтвержден адрес электронной почты в домене huawei.com
Wu Zhou 周武Professor, University of Chinese Academy of SciencesПодтвержден адрес электронной почты в домене ucas.ac.cn
Kalman VargaVanderbilt UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu
Junhao Lin (林君浩)Southern University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене sustech.edu.cn
Kuibo YIN (尹奎波)Southeast UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене seu.edu.cn
Yaqiong XuVanderbilt UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu
Timothy J. PennycookEMAT, University of AntwerpПодтвержден адрес электронной почты в домене uantwerpen.be
Don Nicholsonresearch professor, University of North Carolina AshevilleПодтвержден адрес электронной почты в домене unca.edu

Yevgeniy Puzyrev

Data & Applied Scientist, Microsoft

Подтвержден адрес электронной почты в домене microsoft.com

Machine Learning Pattern Recognition Predictive Modeling


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
The effect of intrinsic crumpling on the mechanics of free-standing graphene RJT Nicholl, HJ Conley, NV Lavrik, I Vlassiouk, YS Puzyrev, VP Sreenivas, ... Nature communications 6 (1), 8789, 2015	266	2015
Probing charge scattering mechanisms in suspended graphene by varying its dielectric environment AKM Newaz, YS Puzyrev, B Wang, ST Pantelides, KI Bolotin Nature Communications 3 (1), 734, 2012	174	2012
Dehydrogenation of defects and hot-electron degradation in GaN high-electron-mobility transistors YS Puzyrev, T Roy, M Beck, BR Tuttle, RD Schrimpf, DM Fleetwood, ... Journal of Applied Physics 109 (3), 2011	157	2011
Proton-induced dehydrogenation of defects in AlGaN/GaN HEMTs J Chen, YS Puzyrev, CX Zhang, EX Zhang, MW McCurdy, DM Fleetwood, ... IEEE Transactions on Nuclear Science 60 (6), 4080-4086, 2013	121	2013
Effects of applied bias and high field stress on the radiation response of GaN/AlGaN HEMTs J Chen, YS Puzyrev, R Jiang, EX Zhang, MW McCurdy, DM Fleetwood, ... IEEE Transactions on Nuclear Science 62 (6), 2423-2430, 2015	113	2015
Process dependence of proton-induced degradation in GaN HEMTs T Roy, EX Zhang, YS Puzyrev, DM Fleetwood, RD Schrimpf, BK Choi, ... IEEE Transactions on Nuclear Science 57 (6), 3060-3065, 2010	111	2010
Radiation-induced defect evolution and electrical degradation of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors YS Puzyrev, T Roy, EX Zhang, DM Fleetwood, RD Schrimpf, ... IEEE Transactions on Nuclear Science 58 (6), 2918-2924, 2011	96	2011
Strain enhanced defect reactivity at grain boundaries in polycrystalline graphene B Wang, Y Puzyrev, ST Pantelides Carbon 49 (12), 3983-3988, 2011	90	2011
Defects and doping and their role in functionalizing graphene ST Pantelides, Y Puzyrev, L Tsetseris, B Wang MRS bulletin 37 (12), 1187-1194, 2012	87	2012
Temperature-dependence and microscopic origin of low frequency 1/f noise in GaN/AlGaN high electron mobility transistors T Roy, EX Zhang, YS Puzyrev, X Shen, DM Fleetwood, RD Schrimpf, ... Applied Physics Letters 99 (20), 2011	66	2011
Theory of hot-carrier-induced phenomena in GaN high-electron-mobility transistors YS Puzyrev, BR Tuttle, RD Schrimpf, DM Fleetwood, ST Pantelides Applied Physics Letters 96 (5), 2010	61	2010
Electrical-stress-induced degradation in AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown under gallium-rich, nitrogen-rich, and ammonia-rich conditions T Roy, YS Puzyrev, BR Tuttle, DM Fleetwood, RD Schrimpf, DF Brown, ... Applied Physics Letters 96 (13), 2010	60	2010
Role of Fe impurity complexes in the degradation of GaN/AlGaN high-electron-mobility transistors YS Puzyrev, RD Schrimpf, DM Fleetwood, ST Pantelides Applied Physics Letters 106 (5), 2015	58	2015
Gate bias dependence of defect-mediated hot-carrier degradation in GaN HEMTs Y Puzyrev, S Mukherjee, J Chen, T Roy, M Silvestri, RD Schrimpf, ... IEEE Transactions on Electron Devices 61 (5), 1316-1320, 2014	58	2014
Excess carbon in silicon carbide X Shen, MP Oxley, Y Puzyrev, BR Tuttle, G Duscher, ST Pantelides Journal of Applied Physics 108 (12), 2010	47	2010
Room-temperature diffusive phenomena in semiconductors: The case of AlGaN KH Warnick, Y Puzyrev, T Roy, DM Fleetwood, RD Schrimpf, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 84 (21), 214109, 2011	45	2011
Hot-carrier degradation in GaN HEMTs due to substitutional iron and its complexes S Mukherjee, Y Puzyrev, J Chen, DM Fleetwood, RD Schrimpf, ... IEEE Transactions on Electron Devices 63 (4), 1486-1494, 2016	42	2016
Interlaced crystals having a perfect Bravais lattice and complex chemical order revealed by real-space crystallography X Shen, EA Hernández-Pagan, W Zhou, YS Puzyrev, JC Idrobo, ... Nature Communications 5 (1), 5431, 2014	40	2014
Reliability of III–V devices–The defects that cause the trouble ST Pantelides, Y Puzyrev, X Shen, T Roy, S DasGupta, BR Tuttle, ... Microelectronic engineering 90, 3-8, 2012	39	2012
Variability of structural and electronic properties of bulk and monolayer Si2Te3 X Shen, YS Puzyrev, C Combs, ST Pantelides Applied Physics Letters 109 (11), 2016	36	2016

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы