Tony Schenk

Tony Schenk

Member of Technical Staff & Lead of Stack Development at Ferroelectric Memory Company
Подтвержден адрес электронной почты в домене ferroelectric-memory.com
Цитируется: 8594
Yunseok Kim

Yunseok Kim

Sungkyunkwan University (SKKU)
Подтвержден адрес электронной почты в домене skku.edu
Цитируется: 7396
Faizan ali

Faizan ali

Institut de Ciència de Materials de Barcelona ICMAB CSIC
Цитируется: 2499
Nageswara Rao Sunkaranam

Nageswara Rao Sunkaranam

School of Physics, University of Hyderabad, India
Подтвержден адрес электронной почты в домене uohyd.ernet.in
Цитируется: 1274
Kyoungjun Lee

Kyoungjun Lee

Department of Material Science and Engineering, University of Wisconsin Madison
Подтвержден адрес электронной почты в домене wisc.edu
Цитируется: 821
Alireza Kashir

Alireza Kashir

Principal Engineer at Ferroelectric Memory GmbH
Подтвержден адрес электронной почты в домене ferroelectric-memory.com
Цитируется: 633
Younghwan Lee

Younghwan Lee

Assistant professor, Chonnam National University
Подтвержден адрес электронной почты в домене jnu.ac.kr
Цитируется: 607
Se Hyun Kim

Se Hyun Kim

Seoul National University
Подтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Цитируется: 446
Samuel R Bradley

Samuel R Bradley

University College London
Цитируется: 194
Dong Geun Jeong

Dong Geun Jeong

Подтвержден адрес электронной почты в домене kist.re.kr
Цитируется: 150
1 - 10