Jens Trommer

Jens Trommer

Namlab gGmbH
Подтвержден адрес электронной почты в домене namlab.com
Цитируется: 2163
nanoelectronics emerging devices reliability FDSOI hardware security
Thorsten Kammler

Thorsten Kammler

Lead Technologist at GLOBALFOUNDRIES
Подтвержден адрес электронной почты в домене gf.com
Цитируется: 2078
CMOS FDSOI Stressors Sensors Displays
Nicolas daval

Nicolas daval

Quobly
Подтвержден адрес электронной почты в домене quobly.io
Цитируется: 1452
substrats FDSOI quantique
Ilmin Lee

Ilmin Lee

Samsung electronics, Foundry business, Device
Цитируется: 764
FDSOI FinFET 2D material
Hassan El Dirani

Hassan El Dirani

PhD Student, STMicroelectronics
Подтвержден адрес электронной почты в домене st.com
Цитируется: 389
FDSOI ESD Band Modulation Devices Memory 1T-DRAM
Sotirios Athanasiou

Sotirios Athanasiou

STMicroelectronics
Подтвержден адрес электронной почты в домене st.com
Цитируется: 308
FDSOI MOSFET BJT tunneling devices.
Kasun Punchihewa

Kasun Punchihewa

Intel Corporation
Подтвержден адрес электронной почты в домене intel.com
Цитируется: 67
Semiconductor Process Integration FinFET FDSOI
Amit Karel

Amit Karel

LIRMM
Подтвержден адрес электронной почты в домене lirmm.fr
Цитируется: 63
Emerging transistor technologies FDSOI FinFET Bulk and Testing Defect Detection
S.V.Khokale

SVKhokale

Principal Electrical Engineer at Skyworks
Подтвержден адрес электронной почты в домене skyworksinc.com
Цитируется: 57
RF FINFET FDSOI SiGe HBT
Jiaqi Li

Jiaqi Li

Peking University, School of integrated circuits, PhD
Подтвержден адрес электронной почты в домене stu.pku.edu.cn
Цитируется: 8
In-Sensor Computing FDSOI Vision Sensor Bio-inspired Device Artificial Synapse