Electron spectroscopy of the nanostructures created in Si, GaAs, and CaF2 surface layers using low-energy ion implantation BE Umirzakov, DA Tashmukhamedova, DM Muradkabilov, KK Boltaev
Technical Physics 58, 841-844, 2013
33 2013 Состав и электронные свойства наноразмерных фаз и нанопленок силицидов металлов, созданных методом ионной имплантации в сочетании с отжигом ХХ Болтаев, ДА Ташмухамедова, БЕ Умирзаков
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 24-24, 2014
23 2014 Boltaev, DA Tashmukhamedova, and BE Umirzakov K Kh
J. Surf. Invest.: X-ray, Synchrotron Neutron Tech 8 (2), 326, 2014
19 2014 Structure and electronic properties of nanoscale phases and nanofilms of metal silicides produced by ion implantation in combination with annealing KK Boltaev, DA Tashmukhamedova, BE Umirzakov
Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques …, 2014
18 2014 ВЛИЯНИЕ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ НА ПРОФИЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ ПО ГЛУБИНЕ В Si, ПРИМЕНЯЕМОМ В СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ И ДИОДНЫХ СТРУКТУРАХ БЕ Умирзаков, СЖ Ниматов, ХХ Болтаев
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 87-87, 2014
17 2014 Электронная спектроскопия наноструктур, созданных в поверхностных слоях Si, GaAs и CaF2 методом низкоэнергетической ионной имплантации БЕ Умирзаков, ДА Ташмухамедова, ДМ Мурадкабилов, ХХ Болтаев
Журнал технической физики 83 (6), 66-70, 2013
15 2013 Composition and Structure of Ga1 – x Na x As Nanolayers Produced near the GaAs Surface by Na+ Implantation KK Boltaev, ZS Sodikjanov, DA Tashmukhamedova, BE Umirzakov
Technical Physics 62, 1882-1884, 2017
6 2017 Composition of uncontrolled impurities and their chemical states and depth profiles at the Al-Si interface AA Abduvaiitov, KK Boltaev
Technical Physics 60, 621-623, 2015
3 2015 Study of the Composition of Uncontrolled Impurities and the Profiles of Their Distribution at the Ni–CdS Interface AA Abduvayitov, KK Boltaev, GA Rozikov
Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques …, 2022
2 2022 Состав и структура наноразмерных слоев Ga Na As, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na ХХ Болтаев, ЖШ Содикжанов, ДА Ташмухамедова, БЕ Умирзаков
Журнал технической физики 87 (12), 1884-1886, 2017
2 2017 Исследование состава неконтролируемых примесей, их химических состояний и профиля распределения на границе рездела Al− Si АА Абдувайитов, ХХ Болтаев
Журнал технической физики 85 (4), 145-147, 2015
1 2015 Manifestation of quantum-size effects in two-component semiconductor nanostructures DA Tashmukhamedova, BE Umirzakov, E Rabbimov, KK Boltaev
Uzbekiston Fizika Zhurnali 15 (1-2), 50-55, 2013
1 2013 Optical properties of GaAS/CaF2 nanofilms with variable thickness BE Umirzakov, DA Tashmukhamedova, KK Boltaev, B Shklyarevskiy
1 2012 Analyzing the Change in the Composition of a CdTe Surface upon Implanting Ions and Subsequent Annealing AA Abduvayitov, KK Boltaev, BE Umirzakov, DA Tashmukhamedova, ...
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 88 (11), 1850-1854, 2024
2024 Injectivity and Nuclearity Properties for Real C* -Algebras AA Rakhimov, ME Nurillaev, KK Boltaev
Journal of Mathematical Sciences 278 (3), 520-529, 2024
2024 ВЛИЯНИЕ АДСОРБЦИИ АТОМОВ Ba НА СОСТАВ И ЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ CdS БЕ Умирзаков, АА Абдувайитов, ХХ Болтаев, Ж Содикжанов
ББК 22.37. Т29, 29, 2023
2023 ВЛИЯНИЕ БОМБАРДИРОВКИ ИОНАМИ Ar+ НА СПЕКТР ПРОПУСКАНИЯ СВЕТА ПОВЕРХНОСТИ Ge ДА ТАШМУХАМЕДОВА, СТ АБРАЕВА, СТ ГУЛЯМОВА, ША ТОЛИПОВА, ...
2023 Получение ультратонких контактов на поверхности полупроводников ДА Ташмухамедова, АА Абдуваитов, МБ Юсупжанова, ХХ Болтаев, ...
Минск: БГУ, 2023
2023 STUDY OF CHANGES IN THE COMPOSITION OF THE CdTe SURFACE UPON IMPLANTATION OF O2+ IONS AND SUBSEQUENT ANNEALING AA Abduvaitov, KK Boltaev, BE Umirzakov, DA Tashmukhamedova
2023 СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ Pd И Ba, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ АА Абдувайитов, ХХ Болтаев, ША Талипова
Материалы Республиканской научно-практической конференции «Проблемы фотоники …, 2022
2022