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GaN/AlN p-channel HFETs with Imax >420 mA/mm and ~20 GHz fT / fMAX
K Nomoto, R Chaudhuri, SJ Bader, L Li, A Hickman, S Huang, H Lee, ...
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 8.3. 1-8.3. 4, 2020
Autorizações: US National Science Foundation, US Department of Defense
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