Utwórz swój profil
Cytowane przez
Wszystkie | Od 2020 | |
---|---|---|
Cytowania | 7467 | 2516 |
h-indeks | 40 | 22 |
i10-indeks | 84 | 50 |
Dostęp publiczny
Wyświetl wszystko24 artykuły
2 artykuły
dostępne
niedostępne
Objęte finansowaniem
Współautorzy
SA WolfUniversity of VirginiaZweryfikowany adres z virginia.edu
Kevin Schoor-WestAerospace & DefenseZweryfikowany adres z ngc.com
Mengkun LiuStony Brook University, Department of Physics and AstronomyZweryfikowany adres z stonybrook.edu
Mircea R. StanVirginia Microelectronics Consortium (VMEC) Professor, University of VirginiaZweryfikowany adres z virginia.edu
Ale LukaszewNational Science FoundationZweryfikowany adres z wm.edu
Ryan ComesUniversity of Delaware, Department of Materials Science and EngineeringZweryfikowany adres z udel.edu
Gu, Man "Mandy"PhD, University of VirginiaZweryfikowany adres z virginia.edu
Cassandra FraserUniversity of VirginiaZweryfikowany adres z virginia.edu
S. Joseph PoonUniversity of VirginiaZweryfikowany adres z virginia.edu
Irina NovikovaDepartment of Physics, College of William and MaryZweryfikowany adres z physics.wm.edu
Tim MewesDepartment of EnergyZweryfikowany adres z ieee.org
Elsa AbreuETH ZürichZweryfikowany adres z phys.ethz.ch
Wenjing YinAllen Institute for Brain ScienceZweryfikowany adres z virginia.edu
Elizabeth RadueUniversity of Wisconsin Eau-ClaireZweryfikowany adres z uwec.edu
avik W ghoshProfessor, University of Virginia, Electrical EngineeringZweryfikowany adres z virginia.edu
Dmytro ApalkovSr. Principal Engineer/Sr. Director, Modeling, Samsung Semiconductor R&DZweryfikowany adres z samsung.com
Daniel LottisSelfZweryfikowany adres z ieee.org
Vladimir NikitinSamsung Semiconductor Inc.Zweryfikowany adres z samsung.com