E A Fitzgerald

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2020
Cytowania	38108	5743
h-indeks	102	34
i10-indeks	456	122

2100

1050

525

1575

19911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025146 215 386 424 541 574 530 530 466 474 470 529 840 1296 1641 2054 1760 1718 1623 1587 1470 1434 1524 1845 1609 1648 1645 1690 1343 1351 1297 1073 889 964 169

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

47 artykułów

43 artykuły

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

Minjoo Larry LeeProfessor of electrical and computer engineering, University of Illinois Urbana-ChampaignZweryfikowany adres z illinois.edu
Ya-Hong XieUniversity of California Los Angeles, Materials Sciences & EngineeringZweryfikowany adres z ucla.edu
Steven RingelThe Ohio State UniversityZweryfikowany adres z osu.edu
Anthony LochtefeldCEO, AmberWave Inc.Zweryfikowany adres z amberwave.com
CHUA Soo JinNationa University of SingaporeZweryfikowany adres z nus.edu.sg
Kwang Hong Lee, KH LeeNanyang Technological University, Singapore-Mit alliance for research and technologyZweryfikowany adres z smart.mit.edu
Chuan Seng TanProfessor, Nanyang Technological University, Singapore | IEEE Fellow | IMAPS FellowZweryfikowany adres z ntu.edu.sg
Jurgen MichelMassachusetts Institute of TechnologyZweryfikowany adres z mit.edu
Shuyu BaoSingapore-MIT Alliance for Research and TechnologyZweryfikowany adres z smart.mit.edu
KL PEYProfessor, Singapore University of Technology and DesignZweryfikowany adres z sutd.edu.sg
Don MonroeFreelance science writerZweryfikowany adres z DonMonroe.info
Bonnie WeirBroadcom, Inc.Zweryfikowany adres z broadcom.com
Carl DohrmanSystems and Technology Research, Inc.Zweryfikowany adres z alum.mit.edu
David WiltAir ForceZweryfikowany adres z us.af.mil
Christopher HeidelbergerMIT Lincoln LaboratoryZweryfikowany adres z ll.mit.edu
Loke Wan KhaiNational University of SingaporeZweryfikowany adres z nus.edu.sg
Zhang LiSingapore-MIT Alliance for Research and TechnologyZweryfikowany adres z smart.mit.edu
Andrew Y. KimLumiledsZweryfikowany adres z alum.mit.edu
WK ChimNational University of SingaporeZweryfikowany adres z nus.edu.sg
Adam Jandl, Ph.D.Process Engineer, Lam ResearchZweryfikowany adres z mit.edu

Obserwuj

E A Fitzgerald

Cornell, ATT, MIT, Massachusetts Institute of Technology, NTU

Zweryfikowany adres z mit.edu - Strona główna

Materials Electrical Engineering Physics Innovation


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Strained Si, SiGe, and Ge channels for high-mobility metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ML Lee, EA Fitzgerald, MT Bulsara, MT Currie, A Lochtefeld Journal of applied physics 97 (1), 2005	1330	2005
Totally relaxed Ge_xSi_1−x layers with low threading dislocation densities grown on Si substrates EA Fitzgerald, YH Xie, ML Green, D Brasen, AR Kortan, J Michel, YJ Mii, ... Applied physics letters 59 (7), 811-813, 1991	936	1991
Controlling threading dislocation densities in Ge on Si using graded SiGe layers and chemical-mechanical polishing MT Currie, SB Samavedam, TA Langdo, CW Leitz, EA Fitzgerald Applied physics letters 72 (14), 1718-1720, 1998	773	1998
Dislocations in strained-layer epitaxy: theory, experiment, and applications EA Fitzgerald Materials science reports 7 (3), 87-142, 1991	744	1991
Coherent phonon heat conduction in superlattices MN Luckyanova, J Garg, K Esfarjani, A Jandl, MT Bulsara, AJ Schmidt, ... Science 338 (6109), 936-939, 2012	696	2012
Relaxed Ge_xSi_1−x structures for III–V integration with Si and high mobility two‐dimensional electron gases in Si EA Fitzgerald, YH Xie, D Monroe, PJ Silverman, JM Kuo, AR Kortan, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1992	686	1992
Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer Y Kim, SS Cruz, K Lee, BO Alawode, C Choi, Y Song, JM Johnson, ... Nature 544 (7650), 340-343, 2017	593	2017
Impurity enhancement of the 1.54‐μm Er³⁺ luminescence in silicon J Michel, JL Benton, RF Ferrante, DC Jacobson, DJ Eaglesham, ... Journal of applied physics 70 (5), 2672-2678, 1991	584	1991
Strained-semiconductor-on-insulator device structures TA Langdo, MT Currie, R Hammond, AJ Lochtefeld, EA Fitzgerald US Patent 6,995,430, 2006	544	2006
Semiconductor structures employing strained material layers with defined impurity gradients and methods for fabricating same M Currie, A Lochtefeld, R Hammond, E Fitzgerald US Patent 6,831,292, 2004	504	2004
Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures AJ Lochtefeld, TA Langdo, R Hammond, MT Currie, G Braithwaite, ... US Patent 7,074,623, 2006	435*	2006
Luminescence and structural study of porous silicon films YH Xie, WL Wilson, FM Ross, JA Mucha, EA Fitzgerald, JM Macaulay, ... Journal of applied physics 71 (5), 2403-2407, 1992	426	1992
Nucleation mechanisms and the elimination of misfit dislocations at mismatched interfaces by reduction in growth area EA Fitzgerald, GP Watson, RE Proano, DG Ast, PD Kirchner, GD Pettit, ... Journal of Applied Physics 65 (6), 2220-2237, 1989	396	1989
Strained silicon MOSFET technology JL Hoyt, HM Nayfeh, S Eguchi, I Aberg, G Xia, T Drake, EA Fitzgerald, ... Digest. International Electron Devices Meeting,, 23-26, 2002	386	2002
Monolithic integration of room-temperature cw GaAs/AlGaAs lasers on Si substrates via relaxed graded GeSi buffer layers ME Groenert, CW Leitz, AJ Pitera, V Yang, H Lee, RJ Ram, EA Fitzgerald Journal of applied physics 93 (1), 362-367, 2003	362	2003
Extremely high electron mobility in Si/Ge_xSi_1−x structures grown by molecular beam epitaxy YJ Mii, YH Xie, EA Fitzgerald, D Monroe, FA Thiel, BE Weir, LC Feldman Applied Physics Letters 59 (13), 1611-1613, 1991	360	1991
Monolithically integrated light emitting devices EA Fitzgerald US Patent 7,535,089, 2009	348	2009
Semiconductor surface roughness: Dependence on sign and magnitude of bulk strain YH Xie, GH Gilmer, C Roland, PJ Silverman, SK Buratto, JY Cheng, ... Physical Review Letters 73 (22), 3006, 1994	339	1994
Carrier mobilities and process stability of strained Si n- and p-MOSFETs on SiGe virtual substrates MT Currie, CW Leitz, TA Langdo, G Taraschi, EA Fitzgerald, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 2001	325	2001
High quality Ge on Si by epitaxial necking TA Langdo, CW Leitz, MT Currie, EA Fitzgerald, A Lochtefeld, ... Applied Physics Letters 76 (25), 3700-3702, 2000	316	2000

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy