Eilam Yalon

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2020
Cytowania	3388	2781
h-indeks	30	24
i10-indeks	50	46

600

300

150

450

2012201320142015201620172018201920202021202220232024202513 7 14 30 29 83 131 280 414 510 581 556 593 127

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

43 artykuły

3 artykuły

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

Eric PopPease-Ye Professor of Electrical Engineering, MSE, AP at Stanford & SLACZweryfikowany adres z stanford.edu
Dr. Miguel Muñoz Rojo - ERC granteeTenured permanent researcher (CSIC) & Associate Prof. (University of Twente)Zweryfikowany adres z csic.es
Connor J. McClellanStanford UniversityZweryfikowany adres z stanford.edu
Sanchit DeshmukhPhD, Stanford UniversityZweryfikowany adres z alumni.stanford.edu
Christopher M. NeumannIntelZweryfikowany adres z intel.com
Dan RitterProfessor of Electrical Engineering, Technion, IsraelZweryfikowany adres z ee.technion.ac.il
Saurabh V. SuryavanshiSynopsysZweryfikowany adres z suryavanshi.me
Nicolás WainsteinTechnion - Israel Institute of TechnologyZweryfikowany adres z technion.ac.il
Feng XiongAssociate Professor, Department of Electrical and Computer Engineering, University of PittsburghZweryfikowany adres z pitt.edu
Shahar KvatinskyTechnion - Israel Institute of TechnologyZweryfikowany adres z ee.technion.ac.il
Sam VaziriStanford UniversityZweryfikowany adres z stanford.edu
Connor BaileyStanford UniversityZweryfikowany adres z stanford.edu
Alexander J GabourieDeepSim, Inc.Zweryfikowany adres z deepsim.io
H.-S. Philip WongProfessor of Electrical Engineering, Stanford UniversityZweryfikowany adres z stanford.edu
Emanuel BerTechnion - Israel Institute of TechnologyZweryfikowany adres z campus.technion.ac.il
Tony F HeinzDepts. of Applied Physics, Photon Science, and, by courtesy, of Electrical Eng., SLAC, StanfordZweryfikowany adres z stanford.edu
Ilan RiessPhysics Department TechnionZweryfikowany adres z tx.technion.ac.il
Mario LanzaIEEE Fellow | Associate Professor at National University of SingaporeZweryfikowany adres z kaust.edu.sa
Burak AslanAssistant Professor, Bogazici UniversityZweryfikowany adres z boun.edu.tr
Lior KornblumViterbi Dept. of Electrical & Computer Engineering, Technion - Israel Institute of TechnologyZweryfikowany adres z ee.technion.ac.il

Obserwuj

Eilam Yalon

Technion, Israel Institute of Technology

Zweryfikowany adres z technion.ac.il - Strona główna

Nanoelectronics electron device physics energy-efficiency nanomaterials


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Recommended methods to study resistive switching devices M Lanza, HSP Wong, E Pop, D Ielmini, D Strukov, BC Regan, L Larcher, ... Advanced Electronic Materials 5 (1), 1800143, 2019	662	2019
Energy Dissipation in Monolayer MoS₂ Electronics E Yalon, CJ McClellan, KKH Smithe, M Muñoz Rojo, RL Xu, ... Nano letters 17 (6), 3429-3433, 2017	243	2017
High Current Density in Monolayer MoS₂ Doped by AlO_x CJ McClellan, E Yalon, KKH Smithe, SV Suryavanshi, E Pop ACS nano 15 (1), 1587-1596, 2021	220	2021
Temperature-Dependent Thermal Boundary Conductance of Monolayer MoS₂ by Raman Thermometry E Yalon, B Aslan, KKH Smithe, CJ McClellan, SV Suryavanshi, F Xiong, ... ACS applied materials & interfaces 9 (49), 43013-43020, 2017	189	2017
Rapid Flame Synthesis of Atomically Thin MoO₃ down to Monolayer Thickness for Effective Hole Doping of WSe₂ L Cai, CJ McClellan, AL Koh, H Li, E Yalon, E Pop, X Zheng Nano letters 17 (6), 3854-3861, 2017	175	2017
Ultrahigh thermal isolation across heterogeneously layered two-dimensional materials S Vaziri, E Yalon, M Muñoz Rojo, SV Suryavanshi, H Zhang, ... Science advances 5 (8), eaax1325, 2019	142	2019
Uncovering the Effects of Metal Contacts on Monolayer MoS₂ K Schauble, D Zakhidov, E Yalon, S Deshmukh, RW Grady, KA Cooley, ... ACS nano 14 (11), 14798-14808, 2020	137	2020
Engineering field effect transistors with 2D semiconducting channels: Status and prospects X Jing, Y Illarionov, E Yalon, P Zhou, T Grasser, Y Shi, M Lanza Advanced Functional Materials 30 (18), 1901971, 2020	99	2020
Nanoscale Heterogeneities in Monolayer MoSe₂ Revealed by Correlated Scanning Probe Microscopy and Tip-Enhanced Raman Spectroscopy KKH Smithe, AV Krayev, CS Bailey, HR Lee, E Yalon, B Aslan, ... ACS Applied Nano Materials 1 (2), 572-579, 2017	77	2017
Spatially resolved thermometry of resistive memory devices E Yalon, S Deshmukh, M Muñoz Rojo, F Lian, CM Neumann, F Xiong, ... Scientific reports 7 (1), 15360, 2017	70	2017
Effective n-type doping of monolayer MoS₂ by AlO_x CJ McClellan, E Yalon, KKH Smithe, SV Suryavanshi, E Pop 2017 75th annual device research conference (DRC), 1-2, 2017	65	2017
Radiofrequency switches based on emerging resistive memory technologies-a survey N Wainstein, G Adam, E Yalon, S Kvatinsky Proceedings of the IEEE 109 (1), 77-95, 2020	60	2020
Localized Heating and Switching in MoTe₂-Based Resistive Memory Devices IM Datye, MM Rojo, E Yalon, S Deshmukh, MJ Mleczko, E Pop Nano letters 20 (2), 1461-1467, 2020	59	2020
Engineering thermal and electrical interface properties of phase change memory with monolayer MoS2 CM Neumann, KL Okabe, E Yalon, RW Grady, HSP Wong, E Pop Applied Physics Letters 114 (8), 2019	53	2019
Detection of the insulating gap and conductive filament growth direction in resistive memories E Yalon, I Karpov, V Karpov, I Riess, D Kalaev, D Ritter Nanoscale 7 (37), 15434-15441, 2015	51	2015
Monolayer molybdenum disulfide switches for 6G communication systems M Kim, G Ducournau, S Skrzypczak, SJ Yang, P Szriftgiser, N Wainstein, ... Nature Electronics 5 (6), 367-373, 2022	50	2022
Thermometry of filamentary RRAM devices E Yalon, AA Sharma, M Skowronski, JA Bain, D Ritter, IV Karpov IEEE Transactions on Electron Devices 62 (9), 2972-2977, 2015	49	2015
Understanding the switching mechanism of interfacial phase change memory KL Okabe, A Sood, E Yalon, CM Neumann, M Asheghi, E Pop, ... Journal of Applied Physics 125 (18), 2019	47	2019
Resistive Switching inProbed by a Metal–Insulator–Semiconductor Bipolar Transistor E Yalon, A Gavrilov, S Cohen, D Mistele, B Meyler, J Salzman, D Ritter IEEE electron device letters 33 (1), 11-13, 2011	44	2011
Sub-Nanosecond Switching of Si:HfO₂ Ferroelectric Field-Effect Transistor MM Dahan, H Mulaosmanovic, O Levit, S Dünkel, S Beyer, E Yalon Nano Letters 23 (4), 1395-1400, 2023	43	2023

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy