Piotr Perlin

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2020
Cytowania	11102	1883
h-indeks	48	19
i10-indeks	176	60

500

250

125

375

19931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202535 44 85 166 276 300 323 310 403 389 349 384 355 394 381 471 411 390 372 412 440 410 340 487 447 341 434 450 393 333 307 338 62

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

22 artykuły

15 artykułów

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

Michał LeszczynskiZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Robert CzerneckiInstitue of High Pressure Physics PASZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Henryk TeisseyreInstitute of Physics of the Polish Academy of SciencesZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Lucja MaronaZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Szymon StanczykInstitute of High Pressure Physics PASZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Michal BockowskiInstitute of High Pressure Physics PASZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Anna KafarInstitute of High Pressure Physics PASZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Marek OsinskiDistinguished Professor, University of New MexicoZweryfikowany adres z chtm.unm.edu
A E KellyProfessor of Optoelectronics, University of GlasgowZweryfikowany adres z glasgow.ac.uk
Tadeusz SuskiInstitute of High Pressure Physics UnipressZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Scott WatsonLecturer, University of GlasgowZweryfikowany adres z glasgow.ac.uk
Eicke R. WeberDirector, Berkeley Education Alliance for Research in Singapore BEARSZweryfikowany adres z berkeley.edu
Dario SchiavonPolish Academy of Sciences - UNIPRESSZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Grzegorz MuziolInstitute of High Pressure Physics PASZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Henryk TurskiInstitute of High Pressure Physics PASZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Alain PolianIMPMC, Sorbonne UniversitéZweryfikowany adres z impmc.upmc.fr
Julita Smalc-Koziorowska, Julita SmalcInstitute of High Pressure Physics PASZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Theodore D MoustakasBoston University, Electrical and Computer Engineering DepartmentZweryfikowany adres z bu.edu
Nicolas GrandjeanInstitute of Physics, EPFLZweryfikowany adres z epfl.ch
Z. R. WasilewskiElectrical and Computer Engineering & Waterloo Institute for Nanotechnology, University of WaterlooZweryfikowany adres z uwaterloo.ca

Obserwuj

Piotr Perlin

Institute of High Pressure Physics

Zweryfikowany adres z unipress.waw.pl - Strona główna

fizyka


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Raman scattering and x-ray-absorption spectroscopy in gallium nitride under high pressure P Perlin, C Jauberthie-Carillon, JP Itie, A San Miguel, I Grzegory, A Polian Physical Review B 45 (1), 83, 1992	785	1992
“Blue” temperature-induced shift and band-tail emission in InGaN-based light sources PG Eliseev, P Perlin, J Lee, M Osiński Applied physics letters 71 (5), 569-571, 1997	694	1997
Towards the identification of the dominant donor in GaN P Perlin, T Suski, H Teisseyre, M Leszczynski, I Grzegory, J Jun, ... Physical review letters 75 (2), 296, 1995	424	1995
Large, nitrogen-induced increase of the electron effective mass in C Skierbiszewski, P Perlin, P Wisniewski, W Knap, T Suski, ... Applied Physics Letters 76 (17), 2409-2411, 2000	329	2000
Pressure induced deep gap state of oxygen in GaN C Wetzel, T Suski, JW Ager Iii, ER Weber, EE Haller, S Fischer, BK Meyer, ... Physical review letters 78 (20), 3923, 1997	310	1997
Thermal expansion of gallium nitride M Leszczynski, T Suski, H Teisseyre, P Perlin, I Grzegory, J Jun, ... Journal of applied physics 76 (8), 4909-4911, 1994	293	1994
Pressure studies of gallium nitride: Crystal growth and fundamental electronic properties P Perlin, I Gorczyca, NE Christensen, I Grzegory, H Teisseyre, T Suski Physical Review B 45 (23), 13307, 1992	292*	1992
Mechanism of yellow luminescence in GaN T Suski, P Perlin, H Teisseyre, M Leszczyński, I Grzegory, J Jun, ... Applied physics letters 67 (15), 2188-2190, 1995	282	1995
Investigation of longitudinal‐optical phonon‐plasmon coupled modes in highly conducting bulk GaN P Perlin, J Camassel, W Knap, T Taliercio, JC Chervin, T Suski, I Grzegory, ... Applied Physics Letters 67 (17), 2524-2526, 1995	273	1995
Temperature dependence of the energy gap in GaN bulk single crystals and epitaxial layer H Teisseyre, P Perlin, T Suski, I Grzegory, S Porowski, J Jun, A Pietraszko, ... Journal of Applied Physics 76 (4), 2429-2434, 1994	254	1994
Low‐temperature study of current and electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN double‐heterostructure blue light‐emitting diodes P Perlin, M Osiński, PG Eliseev, VA Smagley, J Mu, M Banas, P Sartori Applied physics letters 69 (12), 1680-1682, 1996	235	1996
Determination of the effective mass of GaN from infrared reflectivity and Hall effect P Perlin, E Litwin‐Staszewska, B Suchanek, W Knap, J Camassel, T Suski, ... Applied physics letters 68 (8), 1114-1116, 1996	200	1996
Raman-scattering studies of aluminum nitride at high pressure P Perlin, A Polian, T Suski Physical Review B 47 (5), 2874, 1993	186	1993
InGaN/GaN quantum wells studied by high pressure, variable temperature, and excitation power spectroscopy P Perlin, C Kisielowski, V Iota, BA Weinstein, L Mattos, NA Shapiro, ... Applied physics letters 73 (19), 2778-2780, 1998	157	1998
Visible light communications using a directly modulated 422 nm GaN laser diode S Watson, M Tan, SP Najda, P Perlin, M Leszczynski, G Targowski, ... Optics letters 38 (19), 3792-3794, 2013	150	2013
Reduction of the energy gap pressure coefficient of GaN due to the constraining presence of the sapphire substrate P Perlin, L Mattos, NA Shapiro, J Kruger, WS Wong, T Sands, NW Cheung, ... Journal of Applied Physics 85 (4), 2385-2389, 1999	141	1999
Influence of pressure on photoluminescence and electroluminescence in GaN/InGaN/AlGaN quantum wells P Perlin, V Iota, BA Weinstein, P Wiśniewski, T Suski, PG Eliseev, ... Applied physics letters 70 (22), 2993-2995, 1997	119	1997
Lattice constants, thermal expansion and compressibility of gallium nitride M Leszczynski, T Suski, P Perlin, H Teisseyre, I Grzegory, M Bockowski, ... Journal of Physics D: Applied Physics 28 (4A), A149, 1995	111	1995
Degradation mechanisms in InGaN laser diodes grown on bulk GaN crystals L Marona, P Wisniewski, P Prystawko, I Grzegory, T Suski, S Porowski, ... Applied physics letters 88 (20), 2006	105	2006
Blue-violet InGaN laser diodes grown on bulk GaN substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy C Skierbiszewski, ZR Wasilewski, M Siekacz, A Feduniewicz, P Perlin, ... Applied Physics Letters 86 (1), 2005	95	2005

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy