Daniel C Worledge

Daniel C Worledge

Distinguished Research Scientist, IBM Research
Zweryfikowany adres z us.ibm.com
Cytowane przez 7848
Hsin-wei Tseng

Hsin-wei Tseng

SK-Hynix America
Zweryfikowany adres z us.skhynix.com
Cytowane przez 6764
Bartek Kardasz

Bartek Kardasz

Western Digital
Zweryfikowany adres z wdc.com
Cytowane przez 2653
Xiaobin Chen

Xiaobin Chen

Professor, Harbin Institute of Technology, Shenzhen
Zweryfikowany adres z hit.edu.cn
Cytowane przez 2047
soo-man seo

soo-man seo

Materials science and engineering, Korea university
Zweryfikowany adres z korea.ac.kr
Cytowane przez 1653
Oleksandr Prokopenko

Oleksandr Prokopenko

Taras Shevchenko National University of Kyiv
Zweryfikowany adres z knu.ua
Cytowane przez 1079
Georg Wolf

Georg Wolf

GLOBALFOUNDRIES INC.
Zweryfikowany adres z spinmemory.com
Cytowane przez 770
Ciaran Fowley

Ciaran Fowley

Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Zweryfikowany adres z hzdr.de
Cytowane przez 748
Lin Xue

Lin Xue

Senior Process Engineer, Applied Materials
Zweryfikowany adres z cornell.edu
Cytowane przez 719
Roberto Lacerda de Orio

Roberto Lacerda de Orio

Institute for Microelectronics, TU Wien
Zweryfikowany adres z iue.tuwien.ac.at
Cytowane przez 704
1 - 10