Paul Fons

Geciteerd door

	Alles	Sinds 2019
Citaties	15113	4372
h-index	62	30
i10-index	224	112

920

460

230

690

1996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202455 44 64 46 89 118 149 223 271 351 366 469 543 536 604 698 789 799 805 858 855 903 861 782 825 821 746 615 578

Openbare toegang

Alles bekijken

14 artikelen

1 artikel*

beschikbaar

niet beschikbaar

Op basis van financieringsmachtigingen

Medeauteurs

Александр Владимирович Колобов (...РГПУ им. А.И. ГерценаGeverifieerd e-mailadres voor herzen.spb.ru
Kakuya IwataNational institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)Geverifieerd e-mailadres voor aist.go.jp
Yuta SaitoProfessor, Tohoku UniversityGeverifieerd e-mailadres voor tohoku.ac.jp
milos krbalSenior researcher, CEMNAT, University of PardubiceGeverifieerd e-mailadres voor upce.cz
Muneaki HaseDepartment of Applied Physics, University of TsukubaGeverifieerd e-mailadres voor u.tsukuba.ac.jp
Robert E SimpsonUniversity of BrminghamGeverifieerd e-mailadres voor bham.ac.uk
SAKURAI KeiichiroNational Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)Geverifieerd e-mailadres voor aist.go.jp
Kirill MitrofanovOISTGeverifieerd e-mailadres voor oist.jp
Makino KotaroNational Institute of Advanced Industrial Science and TechnologyGeverifieerd e-mailadres voor aist.go.jp
Raffaella CalarcoCNR-IMMGeverifieerd e-mailadres voor cnr.it
Anatoly I. FrenkelStony Brook UniversityGeverifieerd e-mailadres voor stonybrook.edu
Takashi YagiNational Institute of Advanced Industrial Science and TechnologyGeverifieerd e-mailadres voor aist.go.jp
Alessandro GiussaniSilanna SemiconductorGeverifieerd e-mailadres voor silanna.com
YI SHUANGTohoku universityGeverifieerd e-mailadres voor dc.tohoku.ac.jp
Shuichi MurakamiProfessor of Physics, Tokyo Institute of TechnologyGeverifieerd e-mailadres voor stat.phys.titech.ac.jp
Henning RiechertDirector, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikGeverifieerd e-mailadres voor pdi-berlin.de
Spyros N. YannopoulosProfessor, Department of Chemistry, University of Patras, and Research Director (FORTH/ICE-HTGeverifieerd e-mailadres voor iceht.forth.gr
Konstantinos S. AndrikopoulosPhysics Dpt., University of Patras & ICEHT/FORTHGeverifieerd e-mailadres voor iceht.forth.gr
Joe GreeneProfessor of Materials Science and Physics, University of IllinoisGeverifieerd e-mailadres voor uiuc.edu
Motohiro SuzukiKwansei Gakuin UniversityGeverifieerd e-mailadres voor kwansei.ac.jp

Volgen

Paul Fons

Professor at Keio University

Geverifieerd e-mailadres voor keio.jp

Materials Science Phase-change materials X-ray absorption Density-functional theory Ultra-fast structural techniques


Titel Sorteren op citaties Sorteren op jaar Sorteren op titel	Geciteerd door Geciteerd door	Jaar
Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media AV Kolobov, P Fons, AI Frenkel, AL Ankudinov, J Tominaga, T Uruga Nature materials 3 (10), 703-708, 2004	1617	2004
Interfacial phase-change memory RE Simpson, P Fons, AV Kolobov, T Fukaya, M Krbal, T Yagi, J Tominaga Nature nanotechnology 6 (8), 501-505, 2011	829	2011
ZnO transparent conducting films deposited by pulsed laser deposition for solar cell applications K Matsubara, P Fons, K Iwata, A Yamada, K Sakurai, H Tampo, S Niki Thin Solid Films 431, 369-372, 2003	353	2003
Toward the Ultimate Limit of Phase Change in Ge₂Sb₂Te₅ RE Simpson, M Krbal, P Fons, AV Kolobov, J Tominaga, T Uruga, ... Nano letters 10 (2), 414-419, 2010	277	2010
Uniaxial locked epitaxy of ZnO on the face of sapphire P Fons, K Iwata, A Yamada, K Matsubara, S Niki, K Nakahara, T Tanabe, ... Applied Physics Letters 77 (12), 1801-1803, 2000	273	2000
Growth of high-quality epitaxial ZnO films on α-Al2O3 P Fons, K Iwata, S Niki, A Yamada, K Matsubara Journal of Crystal Growth 201, 627-632, 1999	254	1999
Distortion-triggered loss of long-range order in solids with bonding energy hierarchy AV Kolobov, M Krbal, P Fons, J Tominaga, T Uruga Nature chemistry 3 (4), 311-316, 2011	231	2011
Nitrogen-induced defects in ZnO: N grown on sapphire substrate by gas source MBE K Iwata, P Fons, A Yamada, K Matsubara, S Niki Journal of Crystal Growth 209 (2-3), 526-531, 2000	230	2000
Raman scattering study of GeTe and Ge2Sb2Te5 phase-change materials KS Andrikopoulos, SN Yannopoulos, AV Kolobov, P Fons, J Tominaga Journal of Physics and Chemistry of Solids 68 (5-6), 1074-1078, 2007	218	2007
Ferroelectric Order Control of the Dirac-Semimetal Phase in GeTe-Sb ₂ Te ₃ Superlattices J Tominaga, AV Kolobov, P Fons, T Nakano, S Murakami Advanced Materials Interfaces 1 (1), 1300027-1300027, 2014	200	2014
Na-induced variations in the structural, optical, and electrical properties of Cu (In, Ga) Se2 thin films S Ishizuka, A Yamada, MM Islam, H Shibata, P Fons, T Sakurai, K Akimoto, ... Journal of applied physics 106 (3), 2009	196	2009
Interactions between gallium and nitrogen dopants in ZnO films grown by radical-source molecular-beam epitaxy K Nakahara, H Takasu, P Fons, A Yamada, K Iwata, K Matsubara, ... Applied physics letters 79 (25), 4139-4141, 2001	190	2001
Band gap energies of bulk, thin-film, and epitaxial layers of CuInSe2 and CuGaSe2 S Chichibu, T Mizutani, K Murakami, T Shioda, T Kurafuji, H Nakanishi, ... Journal of Applied Physics 83 (7), 3678-3689, 1998	187	1998
ZnO growth on Si by radical source MBE K Iwata, P Fons, S Niki, A Yamada, K Matsubara, K Nakahara, T Tanabe, ... Journal of Crystal Growth 214, 50-54, 2000	172	2000
Direct Observation of Nitrogen Location in Molecular Beam Epitaxy Grown<? format?> Nitrogen-Doped ZnO P Fons, H Tampo, AV Kolobov, M Ohkubo, S Niki, J Tominaga, R Carboni, ... Physical review letters 96 (4), 045504, 2006	169	2006
Polarization-induced two-dimensional electron gases in ZnMgO/ZnO heterostructures H Tampo, H Shibata, K Maejima, A Yamada, K Matsubara, P Fons, ... Applied Physics Letters 93 (20), 2008	165	2008
Fabrication of wide-gap Cu (In1− xGax) Se2 thin film solar cells: a study on the correlation of cell performance with highly resistive i-ZnO layer thickness S Ishizuka, K Sakurai, A Yamada, K Matsubara, P Fons, K Iwata, ... Solar energy materials and solar cells 87 (1-4), 541-548, 2005	164	2005
Band-gap modified Al-doped Zn1− xMgxO transparent conducting films deposited by pulsed laser deposition K Matsubara, H Tampo, H Shibata, A Yamada, P Fons, K Iwata, S Niki Applied physics letters 85 (8), 1374-1376, 2004	158	2004
Local structure of crystallized GeTe films AV Kolobov, J Tominaga, P Fons, T Uruga Applied physics letters 82 (3), 382-384, 2003	152	2003
Two-dimensional electron gas in Zn polar ZnMgO∕ ZnO heterostructures grown by radical source molecular beam epitaxy H Tampo, H Shibata, K Matsubara, A Yamada, P Fons, S Niki, ... Applied physics letters 89 (13), 2006	145	2006

Het systeem kan de bewerking nu niet uitvoeren. Probeer het later opnieuw.

Artikelen 1–20

Citaties per jaar

Dubbele citaties

Samengevoegde citaties

Medeauteurs toevoegenMedeauteurs

Volgen

Geciteerd door

Medeauteurs