Mike Krames

צוטט על ידי

	הכל	מאז 2020
ציטוטים ביבליוגרפיים	26453	5330
H-index	81	36
i10-index	210	113

2000

1000

500

1500

2000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202570 84 162 213 248 382 636 707 942 1138 1399 1457 1690 1963 1929 1792 1775 1634 1318 1297 1382 1048 1009 927 793 169

גישה ציבורית

הצג הכל

3 מאמרים

0 מאמרים

זמין

לא זמין

על סמך ייפוי כח מהמממנים

מחברים משותפים

Jonathan J. Wierer, Jr.North Carolina State University, Department of Electrical and Computer Engineeringכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Troy TrottierUniversity of Florida, Motorola, Hewlett-Packard, Lumileds, Phillips, Soraa, SLDכתובת אימייל מאומתת בדומיין kyocera-sldlaser.com
Aurelien DavidGoogleכתובת אימייל מאומתת בדומיין polytechnique.org
Arto NurmikkoProfessor of Engineering and Physics, Brown Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין brown.edu
Christopher KocotDirector, Finisar Corporationכתובת אימייל מאומתת בדומיין finisar.com
Yoon-Kyu SongSeoul National Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין snu.ac.kr
Mihail SigalasProfessor, Department of Materials Science, University of Patrasכתובת אימייל מאומתת בדומיין upatras.gr
Andrew Y. KimLumiledsכתובת אימייל מאומתת בדומיין alum.mit.edu
Michael CichRaxiumכתובת אימייל מאומתת בדומיין raxium.com
Marie Anne Van De HaarSeaborough Research B.V.כתובת אימייל מאומתת בדומיין seaborough.com
Eleni MakaronaInstitute of Nanoscience and Nanotechnologyכתובת אימייל מאומתת בדומיין inn.demokritos.gr
Jung HanWilliam Norton Professor of Electrical Engineering, Yale Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין yale.edu
Anne BerendsSeaborough Researchכתובת אימייל מאומתת בדומיין sunled.health
Kevin HouserOregon State Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין oregonstate.edu
Christophe HurniFacebookכתובת אימייל מאומתת בדומיין engr.ucsb.edu
Thomas M KatonaCalifornia Polytechnic State Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין calpoly.edu
Minchen WeiThe Hong Kong Polytechnic Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין polyu.edu.hk
Jörg MeyerProfessor, Hochschule Hamm-Lippstadtכתובת אימייל מאומתת בדומיין hshl.de
Jerry SimmonsSandia National Laboratoriesכתובת אימייל מאומתת בדומיין sandia.gov
Rajat SharmaStudent, Technical University of Munichכתובת אימייל מאומתת בדומיין tum.de

עקוב אחר

Mike Krames

Arkesso, LLC; ORCID 0000-0001-8545-851X

כתובת אימייל מאומתת בדומיין arkesso.com - דף הבית

semiconductors light emitting diodes lasers lighting displays


כותרת מיון לפי ציטוט ביבליוגרפי מיון לפי שנה מיון לפי כותרת	צוטט על ידי צוטט על ידי	שנה
Status and future of high-power light-emitting diodes for solid-state lighting‏ MR Krames, OB Shchekin, R Mueller-Mach, GO Mueller, L Zhou, ...‏ Journal of display technology 3 (2), 160-175, 2007‏	2501	2007
Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence‏ YC Shen, GO Mueller, S Watanabe, NF Gardner, A Munkholm, ...‏ Applied Physics Letters 91 (14), 2007‏	1437	2007
High-power AlGaInN flip-chip light-emitting diodes‏ JJ Wierer, DA Steigerwald, MR Krames, JJ O’shea, MJ Ludowise, ...‏ Applied Physics Letters 78 (22), 3379-3381, 2001‏	885	2001
Highly efficient all‐nitride phosphor‐converted white light emitting diode‏ R Mueller‐Mach, G Mueller, MR Krames, HA Höppe, F Stadler, W Schnick, ...‏ physica status solidi (a) 202 (9), 1727-1732, 2005‏	686	2005
High-power phosphor-converted light-emitting diodes based on III-nitrides‏ R Mueller-Mach, GO Mueller, MR Krames, T Trottier‏ IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 8 (2), 339-345, 2002‏	678	2002
High-power truncated-inverted-pyramid light-emitting diodes exhibiting % external quantum efficiency‏ MR Krames, M Ochiai-Holcomb, GE Höfler, C Carter-Coman, EI Chen, ...‏ Applied physics letters 75 (16), 2365-2367, 1999‏	662	1999
Blue-emitting InGaN–GaN double-heterostructure light-emitting diodes reaching maximum quantum efficiency above 200A∕ cm2‏ NF Gardner, GO Müller, YC Shen, G Chen, S Watanabe, W Götz, ...‏ Applied Physics Letters 91 (24), 2007‏	562	2007
History of gallium–nitride-based light-emitting diodes for illumination‏ S Nakamura, MR Krames‏ Proceedings of the IEEE 101 (10), 2211-2220, 2013‏	509	2013
InGaN/GaN quantum-well heterostructure light-emitting diodes employing photonic crystal structures‏ JJ Wierer, MR Krames, JE Epler, NF Gardner, MG Craford, JR Wendt, ...‏ Applied Physics Letters 84 (19), 3885-3887, 2004‏	508	2004
Research challenges to ultra‐efficient inorganic solid‐state lighting‏ JM Phillips, ME Coltrin, MH Crawford, AJ Fischer, MR Krames, ...‏ Laser & Photonics Reviews 1 (4), 307-333, 2007‏	477	2007
Ordered interface texturing for a light emitting device‏ MR Krames, FA Kish Jr‏ US Patent 5,779,924, 1998‏	475	1998
Luminescent ceramic for a light emitting device‏ GO Mueller, RB Mueller-Mach, MR Krames, PJ Schmidt, HH Bechtel, ...‏ US Patent 7,361,938, 2008‏	444*	2008
High performance thin-film flip-chip InGaN–GaN light-emitting diodes‏ OB Shchekin, JE Epler, TA Trottier, T Margalith, DA Steigerwald, ...‏ Applied Physics Letters 89 (7), 2006‏	442	2006
Phosphor-converted light emitting device‏ WD Collins III, MR Krames, GJ Verhoeckx, NJM Van Leth‏ US Patent 6,642,652, 2003‏	428	2003
Carrier distribution in (0001) InGaN∕ GaN multiple quantum well light-emitting diodes‏ A David, MJ Grundmann, JF Kaeding, NF Gardner, TG Mihopoulos, ...‏ Applied Physics Letters 92 (5), 2008‏	426	2008
III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices‏ MD Camras, DA Steigerwald, FM Steranka, MJ Ludowise, PS Martin, ...‏ US Patent 6,784,463, 2004‏	400	2004
History, development, and applications of high-brightness visible light-emitting diodes‏ RD Dupuis, MR Krames‏ Journal of lightwave technology 26 (9), 1154-1171, 2008‏	383	2008
Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor‏ WD Collins III, MR Krames, GJ Verhoeckx, NJM van Leth‏ US Patent 6,576,488, 2003‏	356	2003
High power LEDs–Technology status and market applications‏ FM Steranka, J Bhat, D Collins, L Cook, MG Craford, R Fletcher, ...‏ physica status solidi (a) 194 (2), 380-388, 2002‏	326	2002
Polarized semiconductor light emitting device‏ MH Keuper, MR Krames, GO Mueller‏ US Patent 7,408,201, 2008‏	321	2008

המערכת אינה יכולה לבצע את הפעולה כעת. נסה שוב מאוחר יותר.

מאמרים 1–20

ציטוטים ביבליוגרפיים בשנה

ציטוטים ביביליוגרפיים כפולים

ציטוטים ביביליוגרפיים שמוזגו

הוסף מחברים שותפיםמחברים משותפים

עקוב אחר

צוטט על ידי

מחברים משותפים