Eilam Yalon

צוטט על ידי

	הכל	מאז 2020
ציטוטים ביבליוגרפיים	3389	2782
H-index	30	24
i10-index	50	46

600

300

150

450

2012201320142015201620172018201920202021202220232024202513 7 14 30 29 83 131 280 414 510 581 556 593 128

גישה ציבורית

הצג הכל

43 מאמרים

3 מאמרים

זמין

לא זמין

על סמך ייפוי כח מהמממנים

מחברים משותפים

Eric PopPease-Ye Professor of Electrical Engineering, MSE, AP at Stanford & SLACכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Dr. Miguel Muñoz Rojo - ERC granteeTenured permanent researcher (CSIC) & Associate Prof. (University of Twente)כתובת אימייל מאומתת בדומיין csic.es
Connor J. McClellanStanford Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Sanchit DeshmukhPhD, Stanford Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין alumni.stanford.edu
Christopher M. NeumannIntelכתובת אימייל מאומתת בדומיין intel.com
Dan RitterProfessor of Electrical Engineering, Technion, Israelכתובת אימייל מאומתת בדומיין ee.technion.ac.il
Saurabh V. SuryavanshiSynopsysכתובת אימייל מאומתת בדומיין suryavanshi.me
Nicolás WainsteinTechnion - Israel Institute of Technologyכתובת אימייל מאומתת בדומיין technion.ac.il
Feng XiongAssociate Professor, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Pittsburghכתובת אימייל מאומתת בדומיין pitt.edu
Shahar KvatinskyTechnion - Israel Institute of Technologyכתובת אימייל מאומתת בדומיין ee.technion.ac.il
Sam VaziriStanford Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Connor BaileyStanford Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Alexander J GabourieDeepSim, Inc.כתובת אימייל מאומתת בדומיין deepsim.io
H.-S. Philip WongProfessor of Electrical Engineering, Stanford Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Emanuel BerTechnion - Israel Institute of Technologyכתובת אימייל מאומתת בדומיין campus.technion.ac.il
Tony F HeinzDepts. of Applied Physics, Photon Science, and, by courtesy, of Electrical Eng., SLAC, Stanfordכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Ilan RiessPhysics Department Technionכתובת אימייל מאומתת בדומיין tx.technion.ac.il
Mario LanzaIEEE Fellow | Associate Professor at National University of Singaporeכתובת אימייל מאומתת בדומיין kaust.edu.sa
Burak AslanAssistant Professor, Bogazici Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין boun.edu.tr
Lior KornblumViterbi Dept. of Electrical & Computer Engineering, Technion - Israel Institute of Technologyכתובת אימייל מאומתת בדומיין ee.technion.ac.il

עקוב אחר

Eilam Yalon

Technion, Israel Institute of Technology

כתובת אימייל מאומתת בדומיין technion.ac.il - דף הבית

Nanoelectronics electron device physics energy-efficiency nanomaterials


כותרת מיון לפי ציטוט ביבליוגרפי מיון לפי שנה מיון לפי כותרת	צוטט על ידי צוטט על ידי	שנה
Recommended methods to study resistive switching devices‏ M Lanza, HSP Wong, E Pop, D Ielmini, D Strukov, BC Regan, L Larcher, ...‏ Advanced Electronic Materials 5 (1), 1800143, 2019‏	662	2019
Energy Dissipation in Monolayer MoS₂ Electronics‏ E Yalon, CJ McClellan, KKH Smithe, M Muñoz Rojo, RL Xu, ...‏ Nano letters 17 (6), 3429-3433, 2017‏	243	2017
High Current Density in Monolayer MoS₂ Doped by AlO_x‏ CJ McClellan, E Yalon, KKH Smithe, SV Suryavanshi, E Pop‏ ACS nano 15 (1), 1587-1596, 2021‏	220	2021
Temperature-Dependent Thermal Boundary Conductance of Monolayer MoS₂ by Raman Thermometry‏ E Yalon, B Aslan, KKH Smithe, CJ McClellan, SV Suryavanshi, F Xiong, ...‏ ACS applied materials & interfaces 9 (49), 43013-43020, 2017‏	189	2017
Rapid Flame Synthesis of Atomically Thin MoO₃ down to Monolayer Thickness for Effective Hole Doping of WSe₂‏ L Cai, CJ McClellan, AL Koh, H Li, E Yalon, E Pop, X Zheng‏ Nano letters 17 (6), 3854-3861, 2017‏	175	2017
Ultrahigh thermal isolation across heterogeneously layered two-dimensional materials‏ S Vaziri, E Yalon, M Muñoz Rojo, SV Suryavanshi, H Zhang, ...‏ Science advances 5 (8), eaax1325, 2019‏	142	2019
Uncovering the Effects of Metal Contacts on Monolayer MoS₂‏ K Schauble, D Zakhidov, E Yalon, S Deshmukh, RW Grady, KA Cooley, ...‏ ACS nano 14 (11), 14798-14808, 2020‏	137	2020
Engineering field effect transistors with 2D semiconducting channels: Status and prospects‏ X Jing, Y Illarionov, E Yalon, P Zhou, T Grasser, Y Shi, M Lanza‏ Advanced Functional Materials 30 (18), 1901971, 2020‏	99	2020
Nanoscale Heterogeneities in Monolayer MoSe₂ Revealed by Correlated Scanning Probe Microscopy and Tip-Enhanced Raman Spectroscopy‏ KKH Smithe, AV Krayev, CS Bailey, HR Lee, E Yalon, B Aslan, ...‏ ACS Applied Nano Materials 1 (2), 572-579, 2017‏	77	2017
Spatially resolved thermometry of resistive memory devices‏ E Yalon, S Deshmukh, M Muñoz Rojo, F Lian, CM Neumann, F Xiong, ...‏ Scientific reports 7 (1), 15360, 2017‏	70	2017
Effective n-type doping of monolayer MoS₂ by AlO_x‏ CJ McClellan, E Yalon, KKH Smithe, SV Suryavanshi, E Pop‏ 2017 75th annual device research conference (DRC), 1-2, 2017‏	65	2017
Radiofrequency switches based on emerging resistive memory technologies-a survey‏ N Wainstein, G Adam, E Yalon, S Kvatinsky‏ Proceedings of the IEEE 109 (1), 77-95, 2020‏	60	2020
Localized Heating and Switching in MoTe₂-Based Resistive Memory Devices‏ IM Datye, MM Rojo, E Yalon, S Deshmukh, MJ Mleczko, E Pop‏ Nano letters 20 (2), 1461-1467, 2020‏	59	2020
Engineering thermal and electrical interface properties of phase change memory with monolayer MoS2‏ CM Neumann, KL Okabe, E Yalon, RW Grady, HSP Wong, E Pop‏ Applied Physics Letters 114 (8), 2019‏	53	2019
Detection of the insulating gap and conductive filament growth direction in resistive memories‏ E Yalon, I Karpov, V Karpov, I Riess, D Kalaev, D Ritter‏ Nanoscale 7 (37), 15434-15441, 2015‏	51	2015
Monolayer molybdenum disulfide switches for 6G communication systems‏ M Kim, G Ducournau, S Skrzypczak, SJ Yang, P Szriftgiser, N Wainstein, ...‏ Nature Electronics 5 (6), 367-373, 2022‏	50	2022
Thermometry of filamentary RRAM devices‏ E Yalon, AA Sharma, M Skowronski, JA Bain, D Ritter, IV Karpov‏ IEEE Transactions on Electron Devices 62 (9), 2972-2977, 2015‏	49	2015
Understanding the switching mechanism of interfacial phase change memory‏ KL Okabe, A Sood, E Yalon, CM Neumann, M Asheghi, E Pop, ...‏ Journal of Applied Physics 125 (18), 2019‏	47	2019
Resistive Switching inProbed by a Metal–Insulator–Semiconductor Bipolar Transistor‏ E Yalon, A Gavrilov, S Cohen, D Mistele, B Meyler, J Salzman, D Ritter‏ IEEE electron device letters 33 (1), 11-13, 2011‏	44	2011
Sub-Nanosecond Switching of Si:HfO₂ Ferroelectric Field-Effect Transistor‏ MM Dahan, H Mulaosmanovic, O Levit, S Dünkel, S Beyer, E Yalon‏ Nano Letters 23 (4), 1395-1400, 2023‏	43	2023

המערכת אינה יכולה לבצע את הפעולה כעת. נסה שוב מאוחר יותר.

מאמרים 1–20

ציטוטים ביבליוגרפיים בשנה

ציטוטים ביביליוגרפיים כפולים

ציטוטים ביביליוגרפיים שמוזגו

הוסף מחברים שותפיםמחברים משותפים

עקוב אחר

צוטט על ידי

מחברים משותפים