Saurabh V. Suryavanshi

צוטט על ידי

	הכל	מאז 2020
ציטוטים ביבליוגרפיים	1768	1380
H-index	14	13
i10-index	14	13

300

150

225

201620172018201920202021202220232024202511 54 136 182 232 293 291 248 254 58

גישה ציבורית

הצג הכל

14 מאמרים

מאמר אחד*

זמין

לא זמין

על סמך ייפוי כח מהמממנים

מחברים משותפים

Eric PopPease-Ye Professor of Electrical Engineering, MSE, AP at Stanford & SLACכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Connor J. McClellanStanford Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Eilam YalonTechnion, Israel Institute of Technologyכתובת אימייל מאומתת בדומיין technion.ac.il
Alexander J GabourieDeepSim, Inc.כתובת אימייל מאומתת בדומיין deepsim.io
Dr. Miguel Muñoz Rojo - ERC granteeTenured permanent researcher (CSIC) & Associate Prof. (University of Twente)כתובת אימייל מאומתת בדומיין csic.es
Amir Barati FarimaniRussell V. Trader Associate Professor at Carnegie Mellon Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Feng XiongAssociate Professor, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Pittsburghכתובת אימייל מאומתת בדומיין pitt.edu
Christopher M. NeumannIntelכתובת אימייל מאומתת בדומיין intel.com
Runjie (Lily) XuStanford Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין apple.com
Lucian Shifrenכתובת אימייל מאומתת בדומיין shifren.com
Aditya SoodAssistant Professor, Princeton Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Kenneth E. GoodsonStanford Mechanical Engineering, Davies Provostial Professorכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Tony F HeinzDepts. of Applied Physics, Photon Science, and, by courtesy, of Electrical Eng., SLAC, Stanfordכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Burak AslanAssistant Professor, Bogazici Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין boun.edu.tr
Sanchit DeshmukhPhD, Stanford Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין alumni.stanford.edu
Sam VaziriStanford Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Greg YericCerfe Labsכתובת אימייל מאומתת בדומיין cerfelabs.com
Ankush AgarwalFacebookכתובת אימייל מאומתת בדומיין fb.com
Michal Jakub MleczkoDevice Engineer, Intelכתובת אימייל מאומתת בדומיין stanford.edu
Dan DessauUniversity of Coloradoכתובת אימייל מאומתת בדומיין Colorado.edu

עקוב אחר

Saurabh V. Suryavanshi

Synopsys

כתובת אימייל מאומתת בדומיין suryavanshi.me - דף הבית

Semiconductors EDA AI


כותרת מיון לפי ציטוט ביבליוגרפי מיון לפי שנה מיון לפי כותרת	צוטט על ידי צוטט על ידי	שנה
Energy Dissipation in Monolayer MoS₂ Electronics‏ E Yalon, CJ McClellan, KKH Smithe, M Muñoz Rojo, RL Xu, ...‏ Nano letters 17 (6), 3429-3433, 2017‏	243	2017
Low Variability in Synthetic Monolayer MoS₂ Devices‏ KKH Smithe, SV Suryavanshi, M Muñoz Rojo, AD Tedjarati, E Pop‏ ACS nano 11 (8), 8456-8463, 2017‏	227	2017
High Current Density in Monolayer MoS₂ Doped by AlO_x‏ CJ McClellan, E Yalon, KKH Smithe, SV Suryavanshi, E Pop‏ ACS nano 15 (1), 1587-1596, 2021‏	220	2021
Intrinsic electrical transport and performance projections of synthetic monolayer MoS2 devices‏ KKH Smithe, CD English, SV Suryavanshi, E Pop‏ 2D Materials 4 (1), 011009, 2016‏	197	2016
Temperature-Dependent Thermal Boundary Conductance of Monolayer MoS₂ by Raman Thermometry‏ E Yalon, B Aslan, KKH Smithe, CJ McClellan, SV Suryavanshi, F Xiong, ...‏ ACS applied materials & interfaces 9 (49), 43013-43020, 2017‏	189	2017
High-Field Transport and Velocity Saturation in Synthetic Monolayer MoS₂‏ KKH Smithe, CD English, SV Suryavanshi, E Pop‏ Nano letters 18 (7), 4516-4522, 2018‏	163	2018
Ultrahigh thermal isolation across heterogeneously layered two-dimensional materials‏ S Vaziri, E Yalon, M Muñoz Rojo, SV Suryavanshi, H Zhang, ...‏ Science advances 5 (8), eaax1325, 2019‏	142	2019
S2DS: Physics-based compact model for circuit simulation of two-dimensional semiconductor devices including non-idealities‏ SV Suryavanshi, E Pop‏ Journal of Applied Physics 120 (22), 2016‏	118	2016
Effective n-type doping of monolayer MoS₂ by AlO_x‏ CJ McClellan, E Yalon, KKH Smithe, SV Suryavanshi, E Pop‏ 2017 75th annual device research conference (DRC), 1-2, 2017‏	65	2017
Thermal boundary conductance of two-dimensional MoS2 interfaces‏ SV Suryavanshi, AJ Gabourie, A Barati Farimani, E Pop‏ Journal of Applied Physics 126 (5), 2019‏	51	2019
Reduced thermal conductivity of supported and encased monolayer and bilayer MoS2‏ AJ Gabourie, SV Suryavanshi, AB Farimani, E Pop‏ 2D Materials 8 (1), 011001, 2020‏	46	2020
Real-time* multiple object tracking (MOT) for autonomous navigation‏ A Agarwal, S Suryavanshi‏ Technical report, 2017‏	26	2017
2D Device Trends‏ CJ McClellan, SV Suryavanshi, CD English, KKH Smithe, CS Bailey, ...‏ unpublished 3, 3824-3830, 2023‏	16	2023
Physics-based compact model for circuit simulations of 2-dimensional semiconductor devices‏ SV Suryavanshi, E Pop‏ 2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC), 235-236, 2015‏	15	2015
Universal non-polar switching in carbon-doped transition metal oxides (TMOs) and post TMOs‏ CA Paz de Araujo, J Celinska, CR McWilliams, L Shifren, G Yeric, ...‏ Apl Materials 10 (4), 2022‏	8	2022
Enhanced Electrical Transport and Performance Projections of Synthetic Monolayer MoS2 Devices‏ KKH Smithe, CD English, SV Suryavanshi, E Pop‏ arXiv preprint arXiv:1608.00987, 2016‏	6	2016
Thermal boundary conductance of the MOS₂-SiO₂interface‏ SV Suryavanshi, AJ Gabourie, AB Farimani, E Yalon, E Pop‏ 2017 IEEE 17th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), 26-29, 2017‏	5	2017
Scaling theory of two-dimensional field effect transistors‏ SV Suryavanshi, CD English, HSP Wong, E Pop‏ arXiv preprint arXiv:2105.10791, 2021‏	4	2021
Stanford 2D Semiconductor (S2DS) Transistor Model‏ SV Suryavanshi, E Pop‏ Version 1.1. 0). nanoHUB. doi: 10.4231/D3ZC7RV9X, 2016‏	4	2016
High mobility in monolayer MoS₂ devices grown by chemical vapor deposition‏ KKH Smithe, CD English, SV Suryavanshi, E Pop‏ 2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC), 239-240, 2015‏	4	2015

המערכת אינה יכולה לבצע את הפעולה כעת. נסה שוב מאוחר יותר.

מאמרים 1–20

ציטוטים ביבליוגרפיים בשנה

ציטוטים ביביליוגרפיים כפולים

ציטוטים ביביליוגרפיים שמוזגו

הוסף מחברים שותפיםמחברים משותפים

עקוב אחר

צוטט על ידי

מחברים משותפים