פרופילים

Michael Nolan

Tyndall National Institute, University College Cork, Ireland

כתובת אימייל מאומתת בדומיין tyndall.ie

צוטט על ידי 10390

atomic layer deposition atomic layer etching photocatalysis computational chemistry metal oxides

Sumit Agarwal

Colorado School of Mines

כתובת אימייל מאומתת בדומיין mines.edu

צוטט על ידי 3703

Plasma processing photovoltaics atomic layer deposition atomic layer etching nanomaterials

Haozhe Wang

Assistant Professor, Duke University

כתובת אימייל מאומתת בדומיין duke.edu

צוטט על ידי 2756

2D Materials Atomic Layer Etching 3D Packaging

Ki Seok Kim

Massachusetts Institute of Technology

כתובת אימייל מאומתת בדומיין mit.edu

צוטט על ידי 2557

Atomic Layer Etching Plasma CVD Single-Crystal 2D Growth Nano-materials

Xiaohu Huang

Senior Research Scientist at Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR …

כתובת אימייל מאומתת בדומיין imre.a-star.edu.sg

צוטט על ידי 2534

Optoelectronics Transparent Conducting Oxides Plasma Electrolytic Oxidation Atomic Layer Etching

Andreas Fischer

Technologist, Semiconductor Industry

כתובת אימייל מאומתת בדומיין claryconresearch.com

צוטט על ידי 2467

Atomic Layer Etching Selective Etch Semiconductor processes Plasma Physics Plasma Confinement

Taewook Nam

Assistant professor at Semiconductor Systems Engineering, Sejong University

כתובת אימייל מאומתת בדומיין sejong.ac.kr

צוטט על ידי 2464

atomic layer etching atomic layer deposition thin film deposition surface functionalization

Bonggeun Shong

Hongik University

כתובת אימייל מאומתת בדומיין hongik.ac.kr

צוטט על ידי 2270

surface chemistry atomic layer deposition atomic layer etching

Younghee Lee

Lam Research

כתובת אימייל מאומתת בדומיין colorado.edu

צוטט על ידי 1932

Atomic Layer Etching Atomic Layer Deposition Selective Etch Selective Deposition EUV resist

John Hennessy

Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology

כתובת אימייל מאומתת בדומיין jpl.nasa.gov

צוטט על ידי 1871

atomic layer deposition atomic layer etching ultraviolet sensors and systems semiconductor surface passivation

1 - 10