Articoli con mandati relativi all'accesso pubblico - Eric KarlUlteriori informazioni
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A 23.6-Mb/mm² SRAM in 10-nm FinFET Technology With Pulsed-pMOS TVC and Stepped-WL for Low-Voltage Applications
Z Guo, D Kim, S Nalam, J Wiedemer, X Wang, E Karl
IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1-7, 2018
Mandati: US Department of Defense
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