Carlo De Santi

Hivatkozott rá

	Összes	2020 óta
Hivatkozások	6381	5241
h-index	32	30
i10-index	114	101

1400

700

350

1050

201320142015201620172018201920202021202220232024202522 53 74 115 146 279 425 588 818 951 1287 1360 231

Nyilvános hozzáférés

Összes megtekintése

93 cikk

86 cikk

elérhető

nem érhető el

Finanszírozási megbízások alapján

Társszerzők

Matteo MeneghiniFull Professor at the University of PadovaE-mail megerősítve itt: dei.unipd.it
Enrico ZanoniProfessor, Electronics, University of PadovaE-mail megerősítve itt: dei.unipd.it
Gaudenzio MeneghessoUniversity of Padova, Dept. of Information EngineeringE-mail megerősítve itt: dei.unipd.it
Matteo BuffoloPostdoctoral researcher, University of PadovaE-mail megerősítve itt: dei.unipd.it
Nicola TrivellinAssistant professor at University of PadovaE-mail megerősítve itt: unipd.it
Fabiana RampazzoUniversity of PadovaE-mail megerősítve itt: dei.unipd.it
Giovanni VerzellesiProfessor of Electronics, University of Modena and Reggio Emilia, ItalyE-mail megerősítve itt: unimore.it
Alessandro ChiniProfessor of Electronics, University of Modena and Reggio Emilia, ItalyE-mail megerősítve itt: unimore.it
Farid MedjdoubIEMN - CNRSE-mail megerősítve itt: iemn.fr
Nicola Modolo, Ph.D.GaN Technology Development Engineer, Infineon Technologies AustriaE-mail megerősítve itt: infineon.com
Davide BisiRenesas ElectronicsE-mail megerősítve itt: renesas.com
Michael KneisslProfessor, Institute of Solid State Physics, TU Berlin / Ferdinand-Braun-Institut (FBH), BerlinE-mail megerősítve itt: physik.tu-berlin.de
John BowersProfessor of Electrical and Computer Engineering, UCSBE-mail megerősítve itt: ece.ucsb.edu
Francesco BertazziAssistant Professor, Politecnico di Torino, Dipartimento di Elettronica e TelecomunicazioniE-mail megerősítve itt: polito.it
Michele GoanoProfessor of Electronics, Politecnico di Torino, Dipartimento di Elettronica e TelecomunicazioniE-mail megerősítve itt: polito.it
Benoit BakerootCMST - imec and part-time professor at CMST, ELIS department, Ghent UniversityE-mail megerősítve itt: ugent.be
Alessandro BarbatoPadova UniversityE-mail megerősítve itt: dei.unipd.it
Justin NormanQuintessent, Inc.E-mail megerősítve itt: quintessent.com
Alaleh TajalliPhD. University of PadovaE-mail megerősítve itt: dei.unipd.it
Alberto TibaldiDipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni, Politecnico di TorinoE-mail megerősítve itt: polito.it

Követés

Carlo De Santi

Assistant professor, UNIPD

E-mail megerősítve itt: unipd.it

GaN HEMT LED laser diodes semiconductors


Cím Rendezés hivatkozások szerint Rendezés év szerint Rendezés cím szerint	Hivatkozott rá Hivatkozott rá	Év
The 2018 GaN power electronics roadmap H Amano, Y Baines, E Beam, M Borga, T Bouchet, PR Chalker, M Charles, ... Journal of Physics D: Applied Physics 51 (16), 163001, 2018	1254	2018
The 2020 UV emitter roadmap H Amano, R Collazo, C De Santi, S Einfeldt, M Funato, J Glaab, ... Journal of Physics D: Applied Physics 53 (50), 503001, 2020	483	2020
GaN-based power devices: Physics, reliability, and perspectives M Meneghini, C De Santi, I Abid, M Buffolo, M Cioni, RA Khadar, L Nela, ... Journal of Applied Physics 130 (18), 2021	454	2021
Deep-level characterization in GaN HEMTs-Part I: Advantages and limitations of drain current transient measurements D Bisi, M Meneghini, C De Santi, A Chini, M Dammann, P Brueckner, ... IEEE Transactions on electron devices 60 (10), 3166-3175, 2013	446	2013
Time-dependent failure of GaN-on-Si power HEMTs with p-GaN gate I Rossetto, M Meneghini, O Hilt, E Bahat-Treidel, C De Santi, S Dalcanale, ... IEEE Transactions on Electron Devices 63 (6), 2334-2339, 2016	161	2016
Evidence of hot-electron effects during hard switching of AlGaN/GaN HEMTs I Rossetto, M Meneghini, A Tajalli, S Dalcanale, C De Santi, P Moens, ... IEEE transactions on electron devices 64 (9), 3734-3739, 2017	133	2017
Reliability and failure analysis in power GaN-HEMTs: An overview M Meneghini, I Rossetto, C De Santi, F Rampazzo, A Tajalli, A Barbato, ... 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 3B-2.1-3B-2.8, 2017	125	2017
Time-and field-dependent trapping in GaN-based enhancement-mode transistors with p-gate M Meneghini, C De Santi, T Ueda, T Tanaka, D Ueda, E Zanoni, ... IEEE Electron device letters 33 (3), 375-377, 2012	117	2012
Review and outlook on GaN and SiC power devices: Industrial state-of-the-art, applications, and perspectives M Buffolo, D Favero, A Marcuzzi, C De Santi, G Meneghesso, E Zanoni, ... IEEE Transactions on Electron Devices 71 (3), 1344-1355, 2024	88	2024
Defect-related degradation of AlGaN-based UV-B LEDs D Monti, M Meneghini, C De Santi, G Meneghesso, E Zanoni, J Glaab, ... IEEE Transactions on Electron Devices 64 (1), 200-205, 2016	83	2016
Role of defects in the thermal droop of InGaN-based light emitting diodes C De Santi, M Meneghini, M La Grassa, B Galler, R Zeisel, M Goano, ... Journal of Applied Physics 119 (9), 2016	78	2016
Degradation of AlGaN/GaN HEMT devices: Role of reverse-bias and hot electron stress G Meneghesso, M Meneghini, A Stocco, D Bisi, C de Santi, I Rossetto, ... Microelectronic engineering 109, 257-261, 2013	75	2013
Laser-based lighting: experimental analysis and perspectives N Trivellin, M Yushchenko, M Buffolo, C De Santi, M Meneghini, ... Materials 10 (10), 1166, 2017	72	2017
Investigation of the deep level involved in InGaN laser degradation by deep level transient spectroscopy M Meneghini, C de Santi, N Trivellin, K Orita, S Takigawa, T Tanaka, ... Applied Physics Letters 99 (9), 2011	68	2011
Thermal droop in III-nitride based light-emitting diodes: Physical origin and perspectives M Meneghini, C De Santi, A Tibaldi, M Vallone, F Bertazzi, G Meneghesso, ... Journal of applied Physics 127 (21), 2020	67	2020
Defects and reliability of GaN‐based LEDs: review and perspectives M Buffolo, A Caria, F Piva, N Roccato, C Casu, C De Santi, N Trivellin, ... physica status solidi (a) 219 (8), 2100727, 2022	66	2022
A Novel Physics-Based Approach to Analyze and Model E-Mode p-GaN Power HEMTs N Modolo, SW Tang, HJ Jiang, C De Santi, M Meneghini, TL Wu IEEE Transactions on Electron Devices 68 (4), 1489-1494, 2020	52	2020
Recombination mechanisms and thermal droop in AlGaN-based UV-B LEDs C De Santi, M Meneghini, D Monti, J Glaab, M Guttmann, J Rass, ... Photonics Research 5 (2), A44-A51, 2017	51	2017
UV-based technologies for SARS-CoV2 inactivation: Status and perspectives N Trivellin, F Piva, D Fiorimonte, M Buffolo, C De Santi, VT Orlandi, ... Electronics 10 (14), 1703, 2021	49	2021
GaN-based laser wireless power transfer system C De Santi, M Meneghini, A Caria, E Dogmus, M Zegaoui, F Medjdoub, ... Materials 11 (1), 153, 2018	48	2018

A rendszer jelenleg nem tudja elvégezni a műveletet. Próbálkozzon újra később.

Cikkek 1–20

Hivatkozások évente

Ismétlődő hivatkozások

Összevont hivatkozások

Társszerzők hozzáadásaTársszerzők

Követés

Hivatkozott rá

Társszerzők