Steffen Breuer

Hivatkozott rá

	Összes	2020 óta
Hivatkozások	2283	1035
h-index	26	20
i10-index	42	26

220

110

165

20102011201220132014201520162017201820192020202120222023202420259 23 90 153 133 174 191 162 150 150 210 159 200 213 209 42

Nyilvános hozzáférés

Összes megtekintése

13 cikk

15 cikk

elérhető

nem érhető el

Finanszírozási megbízások alapján

Társszerzők

Martin SchellInstitute Head, Fraunhofer HHI, Berlin, GermanyE-mail megerősítve itt: hhi.fraunhofer.de
Simon NellenFraunhofer HHIE-mail megerősítve itt: hhi.fraunhofer.de
Björn GlobischEagleyard Photonics GmbHE-mail megerősítve itt: toptica-eagleyard.com
Henning RiechertDirector, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikE-mail megerősítve itt: pdi-berlin.de
Milan DeumerFraunhofer Heinrich Hertz InstituteE-mail megerősítve itt: hhi.fraunhofer.de
Chennupati JagadishAustralian National UniversityE-mail megerősítve itt: anu.edu.au
H Hoe TanProfessor, The Australian National UniversityE-mail megerősítve itt: anu.edu.au
Jennifer Wong-LeungAssociate Professor, Australian National UniversityE-mail megerősítve itt: anu.edu.au
Oliver BrandtSenior scientist, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikE-mail megerősítve itt: pdi-berlin.de
Maria HilseThe Pennsylvania State UniversityE-mail megerősítve itt: psu.edu
Qiang (Michael) GaoFellow, Dept Electronic Materials Engineering, The Australian National UniversityE-mail megerősítve itt: anu.edu.au
Carsten PfüllerPost Doc, Paul-Drude-InstitutE-mail megerősítve itt: pdi-berlin.de
Ullrich PietschProfessor of solid state physics, University of SiegenE-mail megerősítve itt: physik.uni-siegen.de
Patrick ParkinsonUniversity of ManchesterE-mail megerősítve itt: manchester.ac.uk
W. Ted MasselinkHumboldt University BerlinE-mail megerősítve itt: physik.hu-berlin.de
Nian JiangDepartment of Electronic Materials EngineeringE-mail megerősítve itt: anu.edu.au
Jonas LähnemannWissenschaftlicher Mitarbeiter, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikE-mail megerősítve itt: pdi-berlin.de
Holger T. GrahnPaul-Drude-Institut für FestkörperelektronikE-mail megerősítve itt: pdi-berlin.de
Rudiger (Rüdiger) QuayFraunhofer IAF, Albert Ludwigs Universität FreiburgE-mail megerősítve itt: ieee.org
Lan FUProfessor, The Australian National UniversityE-mail megerősítve itt: anu.edu.au

Követés

Steffen Breuer

Epitaxy Scientist, Fraunhofer HHI, Berlin

E-mail megerősítve itt: hhi.fraunhofer.de - Kezdőlap

III-V Semiconductor Epitaxy GaN Electronics InP Optoelectronics Terahertz Photoconductors Quantum Dot Comb Lasers


Cím Rendezés hivatkozások szerint Rendezés év szerint Rendezés cím szerint	Hivatkozott rá Hivatkozott rá	Év
Suitability of Au-and self-assisted GaAs nanowires for optoelectronic applications S Breuer, C Pfuller, T Flissikowski, O Brandt, HT Grahn, L Geelhaar, ... Nano letters 11 (3), 1276-1279, 2011	253	2011
Luminescence of GaAs nanowires consisting of wurtzite and zinc-blende segments U Jahn, J Lähnemann, C Pfüller, O Brandt, S Breuer, B Jenichen, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 85 (4), 045323, 2012	152	2012
Enhanced minority carrier lifetimes in GaAs/AlGaAs core–shell nanowires through shell growth optimization N Jiang, Q Gao, P Parkinson, J Wong-Leung, S Mokkapati, S Breuer, ... Nano letters 13 (11), 5135-5140, 2013	125	2013
Self-assisted nucleation and vapor–solid growth of InAs nanowires on bare Si (111) E Dimakis, J Lähnemann, U Jahn, S Breuer, M Hilse, L Geelhaar, ... Crystal Growth & Design 11 (9), 4001-4008, 2011	119	2011
Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1− xAs core-shell nanowires N Jiang, P Parkinson, Q Gao, S Breuer, HH Tan, J Wong-Leung, ... Applied Physics Letters 101 (2), 2012	118	2012
Optoelectronic frequency-modulated continuous-wave terahertz spectroscopy with 4 THz bandwidth L Liebermeister, S Nellen, RB Kohlhaas, S Lauck, M Deumer, S Breuer, ... Nature Communications 12 (1), 1071, 2021	117	2021
Incorporation of the dopants Si and Be into GaAs nanowires M Hilse, M Ramsteiner, S Breuer, L Geelhaar, H Riechert Applied Physics Letters 96 (19), 2010	106	2010
Twinning superlattice formation in GaAs nanowires T Burgess, S Breuer, P Caroff, J Wong-Leung, Q Gao, H Hoe Tan, ... ACS nano 7 (9), 8105-8114, 2013	103	2013
Band gap of wurtzite GaAs: A resonant Raman study P Kusch, S Breuer, M Ramsteiner, L Geelhaar, H Riechert, S Reich Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 86 (7), 075317, 2012	92	2012
637 μW emitted terahertz power from photoconductive antennas based on rhodium doped InGaAs RB Kohlhaas, S Breuer, L Liebermeister, S Nellen, M Deumer, M Schell, ... Applied Physics Letters 117 (13), 2020	85	2020
Acoustically driven photon antibunching in nanowires A Hernández-Mínguez, M Möller, S Breuer, C Pfüller, C Somaschini, ... Nano letters 12 (1), 252-258, 2012	68	2012
Ultra-fast, high-bandwidth coherent cw THz spectrometer for non-destructive testing L Liebermeister, S Nellen, R Kohlhaas, S Breuer, M Schell, B Globisch Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves 40, 288-296, 2019	67	2019
Photoconductive terahertz detectors with 105 dB peak dynamic range made of rhodium doped InGaAs RB Kohlhaas, S Breuer, S Nellen, L Liebermeister, M Schell, MP Semtsiv, ... Applied Physics Letters 114 (22), 2019	65	2019
Vapor-liquid-solid nucleation of GaAs on Si (111): Growth evolution from traces to nanowires S Breuer, M Hilse, A Trampert, L Geelhaar, H Riechert Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 82 (7), 075406, 2010	53	2010
Ferromagnet-semiconductor nanowire coaxial heterostructures grown by molecular-beam epitaxy M Hilse, Y Takagaki, J Herfort, M Ramsteiner, C Herrmann, S Breuer, ... Applied Physics Letters 95 (13), 2009	50	2009
Electronic properties of wurtzite GaAs: A correlated structural, optical, and theoretical analysis of the same polytypic GaAs nanowire A Senichev, P Corfdir, O Brandt, M Ramsteiner, S Breuer, J Schilling, ... Nano Research 11, 4708-4721, 2018	46	2018
Three-dimensional in situ photocurrent mapping for nanowire photovoltaics P Parkinson, YH Lee, L Fu, S Breuer, HH Tan, C Jagadish Nano letters 13 (4), 1405-1409, 2013	45	2013
AlN/GaN HEMTs grown by MBE and MOCVD: Impact of Al distribution BJ Godejohann, E Ture, S Müller, M Prescher, L Kirste, R Aidam, ... physica status solidi (b) 254 (8), 1600715, 2017	44	2017
Strain accommodation in Ga-assisted GaAs nanowires grown on silicon (111) A Biermanns, S Breuer, A Trampert, A Davydok, L Geelhaar, U Pietsch Nanotechnology 23 (30), 305703, 2012	43	2012
Continuous wave terahertz receivers with 4.5 THz bandwidth and 112 dB dynamic range M Deumer, S Breuer, R Kohlhaas, S Nellen, L Liebermeister, S Lauck, ... Optics Express 29 (25), 41819-41826, 2021	41	2021

A rendszer jelenleg nem tudja elvégezni a műveletet. Próbálkozzon újra később.

Cikkek 1–20

Hivatkozások évente

Ismétlődő hivatkozások

Összevont hivatkozások

Társszerzők hozzáadásaTársszerzők

Követés

Hivatkozott rá

Társszerzők