Eva Monroy

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Fernando CalleProfesor, Universidad Politécnica de MadridAdresse e-mail validée de upm.es
edith bellet-amalricUniv. Grenoble Alpes, CEA, INAC-Pheliqs, 38000 Grenoble, FranceAdresse e-mail validée de cea.fr
Maria TchernychevaResearcher at Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Universite Paris-SudAdresse e-mail validée de u-psud.fr
Fabien GuillotANRAdresse e-mail validée de agencerecherche.fr
Laurent NevouAMS RuschlikonAdresse e-mail validée de ams.com
Catherine Bougerol-(Chaillout)Directrice de recherche CNRSAdresse e-mail validée de neel.cnrs.fr
Fernando B. NaranjoAssociate Professor at University of AlcaláAdresse e-mail validée de depeca.uah.es
Le Si DangInstitut NéelAdresse e-mail validée de neel.cnrs.fr
Martien Ilse den HertogInstitut Neel, GrenobleAdresse e-mail validée de grenoble.cnrs.fr
Sirona Valdueza - FelipAssociate Professor at University of AlcaláAdresse e-mail validée de uah.es
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Miguel Gonzalez-HerraezProfessor of Electronics, Universidad de AlcalaAdresse e-mail validée de uah.es
Fabrizio GiorgettaSenior research associate, NISTAdresse e-mail validée de nist.gov
esther baumannSenior research associate, NISTAdresse e-mail validée de nist.gov
Martin EickhoffInstitut für Festkörperphysik, Universität BremenAdresse e-mail validée de ifp.uni-bremen.de
Gad BahirTechnion-Israel Institute of TechnologyAdresse e-mail validée de ee.technion.ac.il
Jean-Luc ROUVIERECEAAdresse e-mail validée de cea.fr
Mark BeelerPhD Graduate Atomic and alternative energy comission (CEA-Grenoble/INAC/SP2M/NPSC)Adresse e-mail validée de cea.fr
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Eva Monroy

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semiconductors GaN photodetectors photonics nanotechnology


Titre Trier par citations Trier par année Trier par titre	Citée par Citée par	Année
Wide-bandgap semiconductor ultraviolet photodetectors E Monroy, F Omnes, F Calle Semiconductor science and technology 18, R33, 2003	1533	2003
The effect of the III/V ratio and substrate temperature on the morphology and properties of GaN-and AlN-layers grown by molecular beam epitaxy on Si(111) MA Sanchez-Garcia, E Calleja, E Monroy, FJ Sanchez, F Calle, E Munoz, ... Journal of crystal growth 183 (1), 23-30, 1998	404	1998
III nitrides and UV detection E Munoz, E Monroy, JL Pau, F Calle, F Omnes, P Gibart Journal of Physics: Condensed Matter 13, 7115, 2001	374	2001
Systematic experimental and theoretical investigation of intersubband absorption in GaN∕ AlN quantum wells M Tchernycheva, L Nevou, L Doyennette, FH Julien, E Warde, F Guillot, ... Physical Review B 73 (12), 125347, 2006	321	2006
High-speed, low-noise metal–semiconductor–metal ultraviolet photodetectors based on GaN D Walker, E Monroy, P Kung, J Wu, M Hamilton, FJ Sanchez, J Diaz, ... Applied physics letters 74, 762, 1999	258	1999
Growth of III-nitrides on Si (1 1 1) by molecular beam epitaxy Doping, optical, and electrical properties E Calleja, MA Sánchez-Garcı́a, FJ Sánchez, F Calle, FB Naranjo, ... Journal of crystal growth 201, 296-317, 1999	245	1999
High-performance GaN pn junction photodetectors for solar ultraviolet applications E Monroy, E Munoz, FJ Sánchez, F Calle, E Calleja, B Beaumont, P Gibart, ... Semiconductor science and technology 13, 1042, 1998	242	1998
GaN/AlN short-period superlattices for intersubband optoelectronics: A systematic study of their epitaxial growth, design, and performance PK Kandaswamy, F Guillot, E Bellet-Amalric, E Monroy, L Nevou, ... Journal of Applied Physics 104 (9), 093501, 2008	231	2008
III-nitride semiconductors for intersubband optoelectronics: a review M Beeler, E Trichas, E Monroy Semiconductor Science and Technology 28 (7), 074022, 2013	224	2013
AlGaN-based UV photodetectors E Monroy, F Calle, JL Pau, E Munoz, F Omnes, B Beaumont, P Gibart Journal of crystal growth 230 (3), 537-543, 2001	218	2001
High-quality visible-blind AlGaN pin photodiodes E Monroy, M Hamilton, D Walker, P Kung, FJ Sánchez, M Razeghi Applied physics letters 74, 1171, 1999	208	1999
Photoconductor gain mechanisms in GaN ultraviolet detectors E Munoz, E Monroy, JA Garrido, I Izpura, FJ Sanchez, ... Applied physics letters 71, 870, 1997	208	1997
Photoconductive gain modelling of GaN photodetectors JA Garrido, E Monroy, I Izpura, E Munoz Semiconductor science and technology 13, 563, 1998	194	1998
AlGaN metal–semiconductor–metal photodiodes E Monroy, F Calle, E Munoz, F Omnes Applied physics letters 74, 3401, 1999	189	1999
Room-Temperature Photodetection Dynamics of Single GaN Nanowires F González-Posada, R Songmuang, M Den Hertog, E Monroy Nano Letters 12 (1), 172-176, 2012	177	2012
Near infrared quantum cascade detector in GaN/AlGaN/AlN heterostructures A Vardi, G Bahir, F Guillot, C Bougerol, E Monroy, SE Schacham, ... Applied Physics Letters 92 (1), 011112, 2008	169	2008
Intrinsic ferromagnetism in wurtzite (Ga, Mn) N semiconductor E Sarigiannidou, F Wilhelm, E Monroy, RM Galera, E Bellet-Amalric, ... Physical Review B 74 (4), 041306, 2006	149	2006
Structure of GaN quantum dots grown under “modified Stranski–Krastanow” conditions on AlN N Gogneau, D Jalabert, E Monroy, T Shibata, M Tanaka, B Daudin Journal of applied physics 94, 2254, 2003	137	2003
Analysis and modeling of AlGaN-based Schottky barrier photodiodes E Monroy, F Calle, JL Pau, FJ Sanchez, E Munoz, F Omnes, B Beaumont, ... Journal of Applied Physics 88, 2081, 2000	137	2000
Wide bandgap UV photodetectors: A short review of devices and applications F Omnès, E Monroy, E Muñoz, JL Reverchon Proceedings of SPIE 6473, 64730E, 2007	134	2007

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