Mark Hopkinson

Viittaukset

	Kaikki	2020 lähtien
Sitaatit	16598	2325
h-indeksi	66	22
i10-indeksi	318	74

1100

550

275

825

1994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202554 64 79 89 118 156 211 272 327 388 540 758 710 933 1040 987 1040 909 893 765 717 648 673 541 576 559 459 495 483 403 393 92

Yleisessä käytössä

Näytä kaikki

66 artikkelia

9 artikkelia

käytettävissä

ei käytettävissä

Perustuu rahoitusehtoihin

Muut kirjoittajat

M S SkolnickProfessor of Physics, University of SheffieldVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa sheffield.ac.uk
Huiyun LiuProfessor of Semiconductor Photonics, University College LondonVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ucl.ac.uk
JPR DavidUniversity of SheffieldVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa sheffield.ac.uk
Kristian GroomSenior Lecturer, The University of SheffieldVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa sheffield.ac.uk
Luke R WilsonSheffieldVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa sheffield.ac.uk
Anthony CullisEmeritus Professor, University of Sheffield, UKVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa sheffield.ac.uk
Richard Andrew HoggProfessor of Photonic Devices and Systems, James Watt School of Engineering, The University ofVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa glasgow.ac.uk
Anthony M FoxProfessor of Optical Physics, University of SheffieldVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa sheffield.ac.uk
Jonathan J. FinleyProfessor of Semiconductor Quantum NanoscienceVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa wsi.tum.de
Ian SellersProfessor at University of OklahomaVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ou.edu
Robert J AireyResearch Associate in Electronic EngineeringVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa sheffield.ac.uk
Jo Shien NgProfessor of Semiconductor Devices, University of SheffieldVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa sheffield.ac.uk
Paul KoenraadEindhoven University of TechnologyVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa tue.nl
David Gonzalez RobledoCatedrático de universidad, Universidad de CádizVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa gm.uca.es
Maxime HuguesCRHEA-CNRSVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa crhea.cnrs.fr
Daniele SanvittoCNR NANOTEC – Institute of NanotechnologyVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa cnr.it
Laurence EavesUniversity of NottinghamVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa nottingham.ac.uk

Seuraa

Mark Hopkinson

University of Sheffield

Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa sheffield.ac.uk - Kotisivu

Electronic and Electrical Engineering


Nimike Lajittele sitaattien mukaan Lajittele vuoden mukaan Lajittele otsikon mukaan	Viittaukset Viittaukset	Vuosi
Inverted electron-hole alignment in InAs-GaAs self-assembled quantum dots PW Fry, IE Itskevich, DJ Mowbray, MS Skolnick, JJ Finley, JA Barker, ... Physical review letters 84 (4), 733, 2000	718	2000
Improved performance of 1.3 μm multilayer InAs quantum-dot lasers using a high-growth-temperature GaAs spacer layer HY Liu, IR Sellers, TJ Badcock, DJ Mowbray, MS Skolnick, KM Groom, ... Applied Physics Letters 85 (5), 704-706, 2004	343	2004
Nature of the Stranski-Krastanow transition during epitaxy of InGaAs on GaAs T Walther, AG Cullis, DJ Norris, M Hopkinson Physical Review Letters 86 (11), 2381, 2001	337	2001
Determination of the shape and indium distribution of low-growth-rate InAs quantum dots by cross-sectional scanning tunneling microscopy DM Bruls, J Vugs, PM Koenraad, HWM Salemink, JH Wolter, ... Applied physics letters 81 (9), 1708-1710, 2002	293	2002
Charged and neutral exciton complexes in individual self-assembled In (Ga) As quantum dots JJ Finley, AD Ashmore, A Lemaître, DJ Mowbray, MS Skolnick, ... Physical Review B 63 (7), 073307, 2001	242	2001
Electronic energy levels and energy relaxation mechanisms in self-organized InAs/GaAs quantum dots MJ Steer, DJ Mowbray, WR Tribe, MS Skolnick, MD Sturge, M Hopkinson, ... Physical Review B 54 (24), 17738, 1996	228	1996
Optimizing the growth of 1.3 μm InAs/InGaAs dots-in-a-well structure HY Liu, M Hopkinson, CN Harrison, MJ Steer, R Frith, IR Sellers, ... Journal of applied physics 93 (5), 2931-2936, 2003	220	2003
Observation of multicharged excitons and biexcitons in a single InGaAs quantum dot JJ Finley, PW Fry, AD Ashmore, A Lemaître, AI Tartakovskii, R Oulton, ... Physical Review B 63 (16), 161305, 2001	206	2001
Emission spectra and mode structure of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasers L Harris, DJ Mowbray, MS Skolnick, M Hopkinson, G Hill Applied physics letters 73 (7), 969-971, 1998	198	1998
Nuclear spin switch in semiconductor quantum dots AI Tartakovskii, T Wright, A Russell, VI Fal’Ko, AB Van’Kov, ... Physical Review Letters 98 (2), 026806, 2007	195	2007
Experimental investigation of the effect of wetting-layer states on the gain–current characteristic of quantum-dot lasers DR Matthews, HD Summers, PM Smowton, M Hopkinson Applied Physics Letters 81 (26), 4904-4906, 2002	187	2002
Fast optical preparation, control, and readout of a single quantum dot spin AJ Ramsay, SJ Boyle, RS Kolodka, JBB Oliveira, J Skiba-Szymanska, ... Physical review letters 100 (19), 197401, 2008	181	2008
Long-wavelength light emission and lasing from InAs∕ GaAs quantum dots covered by a GaAsSb strain-reducing layer HY Liu, MJ Steer, TJ Badcock, DJ Mowbray, MS Skolnick, P Navaretti, ... Applied Physics Letters 86 (14), 2005	180	2005
Quantum-confined Stark shifts of charged exciton complexes in quantum dots JJ Finley, M Sabathil, P Vogl, G Abstreiter, R Oulton, AI Tartakovskii, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 70 (20), 201308, 2004	169	2004
High-performance three-layer 1.3-μm InAs-GaAs quantum-dot lasers with very low continuous-wave room-temperature threshold currents HY Liu, DT Childs, TJ Badcock, KM Groom, IR Sellers, M Hopkinson, ... IEEE Photonics Technology Letters 17 (6), 1139-1141, 2005	166	2005
Stranski-Krastanow transition and epitaxial island growth AG Cullis, DJ Norris, T Walther, MA Migliorato, M Hopkinson Physical Review B 66 (8), 081305, 2002	163	2002
Fine structure of charged and neutral excitons in InAs-Al 0.6 Ga 0.4 As quantum dots JJ Finley, DJ Mowbray, MS Skolnick, AD Ashmore, C Baker, AFG Monte, ... Physical Review B 66 (15), 153316, 2002	160	2002
1.3 µm InAs/GaAs multilayer quantum-dot laser with extremely low room-temperature threshold current density IR Sellers, HY Liu, KM Groom, DT Childs, D Robbins, TJ Badcock, ... Electronics Letters 40 (22), 1412-1413, 2004	159	2004
Mode structure of the L3 photonic crystal cavity ARA Chalcraft, S Lam, D O’Brien, TF Krauss, M Sahin, D Szymanski, ... Applied physics letters 90 (24), 2007	153	2007
InGaAs∕ AlAsSb∕ InP quantum cascade lasers operating at wavelengths close to 3μm DG Revin, JW Cockburn, MJ Steer, RJ Airey, M Hopkinson, AB Krysa, ... Applied Physics Letters 90 (2), 2007	145	2007

Järjestelmä ei voi suorittaa toimenpidettä nyt. Yritä myöhemmin uudelleen.

Artikkelit 1–20

Sitaatteja vuodessa

Päällekkäiset lähteet

Yhdistetyt sitaatit

Lisää muut kirjoittajatMuut kirjoittajat

Seuraa

Viittaukset

Muut kirjoittajat