Mark Lundstrom

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Supriyo DattaProfessor, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Jing GuoProfessor, University of FloridaDirección de correo verificada de ufl.edu
Gerhard KlimeckProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Muhammad Ashraful AlamJai N. Gupta Distinguished Professor of Electrical Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Dmitri E. NikonovDistinguished Engineer, Kepler ComputingDirección de correo verificada de intel.com
Ali JaveyProfessor of Electrical Engineering and Computer Sciences, UC BerkeleyDirección de correo verificada de berkeley.edu
Jesse MaassenAssociate Professor of Physics, Dalhousie UniversityDirección de correo verificada de dal.ca
Neophytos NeophytouSchool of Engineering, University of WarwickDirección de correo verificada de warwick.ac.uk
Changwook JeongAssociate Professor, Graduate School of Semicondutor Materials and Devices Engineering, UNISTDirección de correo verificada de unist.ac.kr
Hongjie DaiProfessor of chemistry, stanford universityDirección de correo verificada de stanford.edu
Jing WangNVIDIA CorporationDirección de correo verificada de nvidia.com
Xufeng WangPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
RASEONG KIMIntel CorporationDirección de correo verificada de intel.com
Jeffery L. GrayAssociate Professor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Tony LowU of Minnesota, IBM Research, Columbia U, Purdue U, National U SingaporeDirección de correo verificada de us.ibm.com
Mathieu LuisierETH ZurichDirección de correo verificada de iis.ee.ethz.ch
James E. MooreSolAero TechnologiesDirección de correo verificada de rocketlabusa.com
Richard AhrenkielFellow Emeritus, National Renewable Energy LaboratoryDirección de correo verificada de nrel.gov
M. P. AnantramUniversity of WashingtonDirección de correo verificada de uw.edu
Gengchiau LiangNational Yang Ming Chiao Tung UniversityDirección de correo verificada de nycu.edu.tw

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Mark Lundstrom

Professor of Electrical and Computer Engineering, Purdue University

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electronic devices and materials


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Ballistic carbon nanotube field-effect transistors A Javey, J Guo, Q Wang, M Lundstrom, H Dai nature 424 (6949), 654-657, 2003	4110	2003
Fundamentals of carrier transport, 2nd edn M Lundstrom Measurement Science and Technology 13 (2), 230-230, 2002	2515	2002
High-κ dielectrics for advanced carbon-nanotube transistors and logic gates A Javey, H Kim, M Brink, Q Wang, A Ural, J Guo, P McIntyre, P McEuen, ... Nature materials 1 (4), 241-246, 2002	1428	2002
Sub-10 nm carbon nanotube transistor AD Franklin, M Luisier, SJ Han, G Tulevski, CM Breslin, L Gignac, ... Nano letters 12 (2), 758-762, 2012	1142	2012
Theory of ballistic nanotransistors A Rahman, J Guo, S Datta, MS Lundstrom IEEE Transactions on Electron devices 50 (9), 1853-1864, 2003	987	2003
High-field quasiballistic transport in short carbon nanotubes A Javey, J Guo, M Paulsson, Q Wang, D Mann, M Lundstrom, H Dai Physical Review Letters 92 (10), 106804, 2004	804	2004
Carbon nanotube field-effect transistors with integrated ohmic contacts and high-κ gate dielectrics A Javey, J Guo, DB Farmer, Q Wang, D Wang, RG Gordon, M Lundstrom, ... Nano Letters 4 (3), 447-450, 2004	784	2004
Elementary scattering theory of the Si MOSFET M Lundstrom IEEE Electron Device Letters 18 (7), 361-363, 1997	782	1997
Self-aligned ballistic molecular transistors and electrically parallel nanotube arrays A Javey, J Guo, DB Farmer, Q Wang, E Yenilmez, RG Gordon, ... Nano letters 4 (7), 1319-1322, 2004	757	2004
Anisotropic in-plane thermal conductivity observed in few-layer black phosphorus Zhe Luo, Jesse Maassen, Yexin Deng, Yuchen Du, Mark S. Lundstrom, Peide D ... Nature Comm. 6, 2015	729	2015
Essential physics of carrier transport in nanoscale MOSFETs M Lundstrom, Z Ren IEEE Transactions on Electron Devices 49 (1), 133-141, 2002	724	2002
Moore's law forever? M Lundstrom Science 299 (5604), 210-211, 2003	719	2003
Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation M Lundstrom, J Guo Springer Science & Business Media, 2006	593	2006
Simulating quantum transport in nanoscale transistors: Real versus mode-space approaches R Venugopal, Z Ren, S Datta, MS Lundstrom, D Jovanovic Journal of Applied physics 92 (7), 3730-3739, 2002	583	2002
Performance comparison between pin tunneling transistors and conventional MOSFETs SO Koswatta, MS Lundstrom, DE Nikonov IEEE Transactions on Electron Devices 56 (3), 456-465, 2009	490	2009
A three-dimensional quantum simulation of silicon nanowire transistors with the effective-mass approximation J Wang, E Polizzi, M Lundstrom Journal of Applied Physics 96 (4), 2192-2203, 2004	454	2004
Modeling of nanoscale devices MP Anantram, MS Lundstrom, DE Nikonov Proceedings of the IEEE 96 (9), 1511-1550, 2008	436	2008
A numerical study of scaling issues for Schottky-barrier carbon nanotube transistors J Guo, S Datta, M Lundstrom IEEE transactions on electron devices 51 (2), 172-177, 2004	401	2004
Performance projections for ballistic carbon nanotube field-effect transistors J Guo, M Lundstrom, S Datta Applied physics letters 80 (17), 3192-3194, 2002	394	2002
nanoMOS 2.5: A two-dimensional simulator for quantum transport in double-gate MOSFETs Z Ren, R Venugopal, S Goasguen, S Datta, MS Lundstrom IEEE Transactions on Electron Devices 50 (9), 1914-1925, 2003	376	2003

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