Mengwei Si（司梦维）

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Peide YeRichard J. and Mary Jo Schwartz Professor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Gang QiuUniversity of MinnesotaDirección de correo verificada de g.ucla.edu
Adam CharnasAir Force Research LaboratoryDirección de correo verificada de purdue.edu
Hong ZhouXidian UniversityDirección de correo verificada de xidian.edu.cn
Haiyan WangPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Muhammad Ashraful AlamJai N. Gupta Distinguished Professor of Electrical Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Xiao LyuPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Pai-Ying LiaoPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Yuchen DuGlobalFoundiresDirección de correo verificada de globalfoundries.com
Ali ShakouriProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Wenzhuo Wu (武文倬)School of IE; Flex Lab; Birck Nanotechnology Center; Purdue Quantum Science&Engineering InstituteDirección de correo verificada de purdue.edu
Wonil ChungIntel CorporationDirección de correo verificada de intel.com
Chang NiuPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Heng WuPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Jing-Kai Qin （秦敬凯）Harbin Institute of Technology (Shenzhen), Purdue University, The Hong Kong Polytechnic UniversityDirección de correo verificada de hit.edu.cn
Jinhyun NohTexas InstrumentsDirección de correo verificada de ti.com
LINGMING YANGPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Sami AlghamdiAssociate Professor at King Abdulaziz University - PhD, Purdue UniversityDirección de correo verificada de kau.edu.sa
Adam T. NealAir Force Research LabDirección de correo verificada de us.af.mil
Sumeet GuptaSchool of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu

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Mengwei Si（司梦维）

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Steep-slope hysteresis-free negative capacitance MoS2 transistors M Si, CJ Su, C Jiang, NJ Conrad, H Zhou, KD Maize, G Qiu, CT Wu, ... Nature Nanotechnology 13 (1), 24-28, 2017	535	2017
A ferroelectric semiconductor field-effect transistor M Si, AK Saha, S Gao, G Qiu, J Qin, Y Duan, J Jian, C Niu, H Wang, W Wu, ... Nature Electronics 2 (12), 580-586, 2019	470	2019
Statistical Study of Deep Sub-Micron Dual-Gated Field-Effect Transistors on Monolayer CVD Molybdenum Disulfide Films H Liu, M Si, S Najmaei, AT Neal, Y Du, PM Ajayan, J Lou, PD Ye Nano Letters 13 (6), 2640-2646, 2013	401*	2013
Ultra-wide bandgap semiconductor Ga₂O₃ power diodes J Zhang, P Dong, K Dang, Y Zhang, Q Yan, H Xiang, J Su, Z Liu, M Si, ... Nature communications 13 (1), 3900, 2022	354	2022
One-dimensional van der Waals material tellurium: Raman spectroscopy under strain and magneto-transport Y Du, G Qiu, Y Wang, M Si, X Xu, W Wu, PD Ye Nano letters 17 (6), 3965-3973, 2017	348	2017
Ferroelectric Field-Effect Transistors Based on MoS2 and CuInP2S6 Two-Dimensional Van der Waals Heterostructure M Si, PY Liao, G Qiu, Y Duan, PD Ye ACS nano 12 (7), 6700–6705, 2018	323	2018
High-Performance Depletion/Enhancement-ode -Ga2O3 on Insulator (GOOI) Field-Effect Transistors With Record Drain Currents of 600/450 mA/mm H Zhou, M Si, S Alghamdi, G Qiu, L Yang, DY Peide IEEE Electron Device Letters 38 (1), 103-106, 2016	318	2016
Molecular Doping of Multilayer MoS₂ Field-Effect Transistors: Reduction in Sheet and Contact Resistances Y Du, H Liu, AT Neal, M Si, PD Ye IEEE Electron Device Letters 34 (10), 1328 - 1330, 2013	302	2013
Switching mechanism in single-layer molybdenum disulfide transistors: an insight into current flow across Schottky barriers H Liu, M Si, Y Deng, AT Neal, Y Du, S Najmaei, PM Ajayan, J Lou, PD Ye ACS Nano 8 (1), 1031-1038, 2014	288	2014
A critical review of recent progress on negative capacitance field-effect transistors MA Alam, M Si, PD Ye Applied Physics Letters 114 (9), 2019	211	2019
The Effect of Dielectric Capping on Few-Layer Phosphorene Transistors: Tuning the Schottky Barrier Heights H Liu, AT Neal, M Si, Y Du, PD Ye IEEE Electron Device Letters 35 (7), 795 - 797, 2014	201	2014
Raman response and transport properties of tellurium atomic chains encapsulated in nanotubes JK Qin, PY Liao, M Si, S Gao, G Qiu, J Jian, Q Wang, SQ Zhang, S Huang, ... Nature electronics 3 (3), 141-147, 2020	168	2020
Scaled indium oxide transistors fabricated using atomic layer deposition M Si, Z Lin, Z Chen, X Sun, H Wang, PD Ye Nature Electronics 5 (3), 164-170, 2022	160	2022
Al2O3/ -Ga2O3(-201) Interface Improvement Through Piranha Pretreatment and Postdeposition Annealing H Zhou, S Alghmadi, M Si, G Qiu, DY Peide IEEE Electron Device Letters 37 (11), 1411-1414, 2016	148	2016
Why In₂O₃ Can Make 0.7 nm Atomic Layer Thin Transistors M Si, Y Hu, Z Lin, X Sun, A Charnas, D Zheng, X Lyu, H Wang, K Cho, ... Nano Letters 21 (1), 500-506, 2020	147	2020
Steep-Slope WSe2 Negative Capacitance Field-Effect Transistor M Si, C Jiang, W Chung, Y Du, MA Alam, PD Ye Nano letters 18 (8), 3682–3687, 2018	127	2018
Performance Potential and Limit of MoS₂ Transistors X Li, L Yang, M Si, S Li, M Huang, P Ye, Y Wu Advanced Materials 27 (9), 1547-1552, 2015	113	2015
Ultrafast measurements of polarization switching dynamics on ferroelectric and anti-ferroelectric hafnium zirconium oxide M Si, X Lyu, PR Shrestha, X Sun, H Wang, KP Cheung, PD Ye Applied Physics Letters 115 (7), 2019	102	2019
Ferroelectric Polarization Switching of Hafnium Zirconium Oxide in Ferroelectric/Dielectric Stack M Si, X Lyu, PD Ye ACS Appl. Electron. Mater. 1 (5), 745-751, 2019	101	2019
Quantum Hall effect of Weyl fermions in n-type semiconducting tellurene G Qiu, C Niu, Y Wang, M Si, Z Zhang, W Wu, PD Ye Nature Nanotechnology 15 (7), 585-591, 2020	99	2020

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