Paweł Wolny

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Henryk TurskiInstitute of High Pressure Physics PASDirección de correo verificada de unipress.waw.pl
Grzegorz MuziolInstitute of High Pressure Physics PASDirección de correo verificada de unipress.waw.pl
Piotr PerlinInstitute of High Pressure PhysicsDirección de correo verificada de unipress.waw.pl
Caroline ChèzeDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Robert KudrawiecWroclaw University of Science and TechnologyDirección de correo verificada de pwr.edu.pl
Julita Smalc-Koziorowska, Julita SmalcInstitute of High Pressure Physics PASDirección de correo verificada de unipress.waw.pl
Ewa GrzankaAssistant of Institute of High Pressure Physcis Polish Academy of SciencesDirección de correo verificada de unipress.waw.pl
Martin AlbrechtLeibniz-Institut für KristallzüchtungDirección de correo verificada de ikz-berlin.de
Tobias SchulzLeibniz Institute for Crystal GrowthDirección de correo verificada de ikz-berlin.de
Z. R. WasilewskiElectrical and Computer Engineering & Waterloo Institute for Nanotechnology, University of WaterlooDirección de correo verificada de uwaterloo.ca
Łukasz JanickiFaculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of TechnologyDirección de correo verificada de pwr.edu.pl
Filip KrzyzewskiDirección de correo verificada de ifpan.edu.pl
Oliver BrandtSenior scientist, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Jonas LähnemannWissenschaftlicher Mitarbeiter, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikDirección de correo verificada de pdi-berlin.de
Huili Grace XingProf. of ECE & MSE, Cornell UniversityDirección de correo verificada de cornell.edu
Debdeep JenaCornell UniversityDirección de correo verificada de cornell.edu
Magdalena Załuska-KoturInstitute of Physics, Polish Academy of SciencesDirección de correo verificada de ifpan.edu.pl
Lucja MaronaDirección de correo verificada de unipress.waw.pl
Krzysztof DybkoInstitute of Physics, Polish Academy of SciencesDirección de correo verificada de ifpan.edu.pl
Anna ReszkaInstitute of Physics Polish Academy of SciencesDirección de correo verificada de ifpan.edu.pl

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molecular beam epitaxy solidstate physics


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Stack of two III-nitride laser diodes interconnected by a tunnel junction M Siekacz, G Muziol, M Hajdel, M Żak, K Nowakowski-Szkudlarek, ... Optics Express 27 (4), 5784-5791, 2019	39	2019
Enhancement of optical confinement factor by InGaN waveguide in blue laser diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy G Muziol, H Turski, M Siekacz, P Wolny, S Grzanka, E Grzanka, P Perlin, ... Applied Physics Express 8 (3), 032103, 2015	37	2015
The surface boundary conditions in GaN/AlGaN/GaN transistor heterostructures M Gladysiewicz, R Kudrawiec, J Misiewicz, G Cywinski, M Siekacz, ... Applied Physics Letters 98 (23), 2011	37	2011
Contactless electroreflectance studies of Fermi level position on c-plane GaN surface grown by molecular beam epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy R Kudrawiec, M Gladysiewicz, L Janicki, J Misiewicz, G Cywinski, ... Applied Physics Letters 100 (18), 2012	34	2012
Unusual step meandering due to Ehrlich-Schwoebel barrier in GaN epitaxy on the N-polar surface H Turski, F Krzyżewski, A Feduniewicz-Żmuda, P Wolny, M Siekacz, ... Applied Surface Science 484, 771-780, 2019	29	2019
Indium incorporation in semipolar (2021) and nonpolar (1010) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy M Sawicka, A Feduniewicz-Żmuda, M Kryśko, H Turski, G Muziol, ... Journal of Crystal Growth 459, 129-134, 2017	28	2017
True-blue nitride laser diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy C Skierbiszewski, M Siekacz, H Turski, G Muziol, M Sawicka, P Wolny, ... Applied Physics Express 5 (11), 112103, 2012	28	2012
Dependence of InGaN quantum well thickness on the nature of optical transitions in LEDs M Hajdel, M Chlipała, M Siekacz, H Turski, P Wolny, ... Materials 15 (1), 237, 2021	25	2021
Influence of strain on the indium incorporation in (0001) GaN T Schulz, L Lymperakis, M Anikeeva, M Siekacz, P Wolny, T Markurt, ... Physical Review Materials 4 (7), 073404, 2020	19	2020
Determination of gain in AlGaN cladding free nitride laser diodes G Muziol, H Turski, M Siekacz, M Sawicka, P Wolny, P Perlin, ... Applied Physics Letters 103 (6), 2013	19	2013
High power nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy G Muziol, M Siekacz, H Turski, P Wolny, S Grzanka, E Grzanka, ... Journal of Crystal Growth 425, 398-400, 2015	16	2015
Revealing inhomogeneous Si incorporation into GaN at the nanometer scale by electrochemical etching M Sawicka, N Fiuczek, H Turski, G Muziol, M Siekacz, ... Nanoscale 12 (10), 6137-6143, 2020	14	2020
Dependence of indium content in monolayer-thick InGaN quantum wells on growth temperature in InxGa1-xN/In0. 02Ga0. 98N superlattices P Wolny, M Anikeeva, M Sawicka, T Schulz, T Markurt, M Albrecht, ... Journal of Applied Physics 124 (6), 2018	14	2018
Luminescent N-polar (In, Ga) N/GaN quantum wells achieved by plasma-assisted molecular beam epitaxy at temperatures exceeding 700 C C Chèze, F Feix, J Lähnemann, T Flissikowski, M Kryśko, P Wolny, ... Applied Physics Letters 112 (2), 2018	14	2018
Cyan laser diode grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy H Turski, G Muziol, P Wolny, S Grzanka, G Cywiński, M Sawicka, P Perlin, ... Applied Physics Letters 104 (2), 2014	14	2014
Waveguide Design for Long Wavelength InGaN Based Laser Diodes G Muzioł, H Turski, M Siekacz, M Sawicka, P Wolny, C Cheze, G Cywiński, ... Acta Physica Polonica A 122 (6), 1031-1033, 2012	14	2012
Impact of the substrate lattice constant on the emission properties of InGaN/GaN short-period superlattices grown by plasma assisted MBE M Siekacz, P Wolny, T Ernst, E Grzanka, G Staszczak, T Suski, ... Superlattices and Microstructures 133, 106209, 2019	13	2019
Surface properties of c-plane GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy G Cywiński, R Kudrawiec, Ł Janicki, J Misiewicz, C Cheze, M Siekacz, ... Journal of Vacuum Science & Technology B 31 (3), 2013	12	2013
Electrically pumped blue laser diodes with nanoporous bottom cladding M Sawicka, G Muziol, N Fiuczek, M Hajdel, M Siekacz, ... Optics Express 30 (7), 10709-10722, 2022	11	2022
Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy G Muziol, M Siekacz, K Nowakowski-Szkudlarek, M Hajdel, ... Materials Science in Semiconductor Processing 91, 387-391, 2019	11	2019

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