Fernando Ponce

Citado por

	Total	Desde 2019
Citas	19329	3700
Índice h	66	30
Índice i10	257	98

880

440

220

660

198519861987198819891990199119921993199419951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202451 67 107 138 178 189 180 245 170 193 228 338 499 463 527 473 431 517 516 499 533 558 533 584 554 555 753 652 801 749 868 803 762 740 773 711 709 606 540 357

Acceso público

Ver todo

63 artículos

0 artículos

disponibles

no disponibles

Basado en requisitos de financiación

Coautores

Alec M FischerArizona State UniversityDirección de correo verificada de asu.edu
Jae-Hyun RyouAssociate Professor, Mechanical Engineeering, University of HoustonDirección de correo verificada de uh.edu
P. D. YoderGeorgia Institute of TechnologyDirección de correo verificada de gatech.edu
Hongen XieIntel, Arizona State UniversityDirección de correo verificada de asu.edu
David BiegelsenXerox Palo Alto Research CenterDirección de correo verificada de parc.com
Shyh-Chiang ShenProfessor, Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of TechnologyDirección de correo verificada de ece.gatech.edu
juergen christenProfessor of Physics, Magdeburg UniversityDirección de correo verificada de ovgu.de
Hiroshi AMANO (天野　浩)Nagoya University (名古屋大学)Dirección de correo verificada de nuee.nagoya-u.ac.jp
David ForkGoogleDirección de correo verificada de google.com
Hanxiao LiuArizona state universityDirección de correo verificada de asu.edu
Xiaohang LiAssociate Professor, Advanced Semiconductor Lab, ECE, CEMSEDirección de correo verificada de kaust.edu.sa
Qiyuan WeiKyocera SLD LaserDirección de correo verificada de asu.edu
Yuji ZhaoProfessor, Electrical and Computer Engineering, Rice UniversityDirección de correo verificada de rice.edu
Zachary LochnerAmazon Lab126Dirección de correo verificada de amazon.com
Shuo WangPhysics, Arizona State UniversityDirección de correo verificada de asu.edu
Armin Dadgarapl. Prof.Dirección de correo verificada de ovgu.de
Kai FuThe University of UtahDirección de correo verificada de utah.edu
Jeomoh KimPostdoctoral fellow, Georgia Institute of TechnologyDirección de correo verificada de gatech.edu
Shanthan Reddy AlugubelliIntelDirección de correo verificada de asu.edu
Sun KeweiAmes LabDirección de correo verificada de ameslab.gov

Seguir

Fernando Ponce

Professor of Physics, Arizona State University

Dirección de correo verificada de asu.edu

Wide Band Gap Semiconductors Nitride Semiconductors Light Emitting Devices Solid State Lighting Physics of Solar Cells


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Nitride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices FA Ponce, DP Bour nature 386 (6623), 351-359, 1997	2054	1997
High dislocation densities in high efficiency GaN‐based light‐emitting diodes SD Lester, FA Ponce, MG Craford, DA Steigerwald Applied Physics Letters 66 (10), 1249-1251, 1995	1446	1995
Defects in single-crystal silicon induced by hydrogenation NM p Johnson, FA Ponce, RA Street, RJ Nemanich Physical Review B 35 (8), 4166, 1987	597	1987
Spatial distribution of the luminescence in GaN thin films FA Ponce, DP Bour, W Götz, PJ Wright Applied physics letters 68 (1), 57-59, 1996	500	1996
Luminescence from stacking faults in gallium nitride R Liu, A Bell, FA Ponce, CQ Chen, JW Yang, MA Khan Applied Physics Letters 86 (2), 2005	427	2005
Self‐limiting oxidation for fabricating sub‐5 nm silicon nanowires HI Liu, DK Biegelsen, FA Ponce, NM Johnson, RFW Pease Applied physics letters 64 (11), 1383-1385, 1994	391	1994
Determination of lattice polarity for growth of GaN bulk single crystals and epitaxial layers FA Ponce, DP Bour, WT Young, M Saunders, JW Steeds Applied physics letters 69 (3), 337-339, 1996	323	1996
Epitaxial MgO on Si (001) for Y‐Ba‐Cu‐O thin‐film growth by pulsed laser deposition DK Fork, FA Ponce, JC Tramontana, TH Geballe Applied Physics Letters 58 (20), 2294-2296, 1991	317	1991
Edge and screw dislocations as nonradiative centers in InGaN/GaN quantum well luminescence D Cherns, SJ Henley, FA Ponce Applied Physics Letters 78 (18), 2691-2693, 2001	310	2001
Solid State Light Emitting Device FA Ponce, S Srinivasan, H Omiya US Patent App. 11/886,027, 2009	268	2009
Slip systems and misfit dislocations in InGaN epilayers S Srinivasan, L Geng, R Liu, FA Ponce, Y Narukawa, S Tanaka Applied Physics Letters 83 (25), 5187-5189, 2003	261	2003
Microstructure of GaN epitaxy on SiC using AlN buffer layers FA Ponce, BS Krusor, JS Major Jr, WE Plano, DF Welch Applied physics letters 67 (3), 410-412, 1995	253	1995
Characterization of dislocations in GaN by transmission electron diffraction and microscopy techniques FA Ponce, D Cherns, WT Young, JW Steeds Applied physics letters 69 (6), 770-772, 1996	248	1996
Improvement of peak quantum efficiency and efficiency droop in III-nitride visible light-emitting diodes with an InAlN electron-blocking layer S Choi, HJ Kim, SS Kim, J Liu, J Kim, JH Ryou, RD Dupuis, AM Fischer, ... Applied Physics Letters 96 (22), 2010	245	2010
Defects and interfaces in GaN epitaxy FA Ponce MRS bulletin 22 (2), 51-57, 1997	237	1997
MOVPE growth of GaN on Si (1 1 1) substrates A Dadgar, M Poschenrieder, J Bläsing, O Contreras, F Bertram, ... Journal of Crystal Growth 248, 556-562, 2003	222	2003
Self‐limiting oxidation of Si nanowires HI Liu, DK Biegelsen, NM Johnson, FA Ponce, RFW Pease Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1993	219	1993
Microstructure and electronic properties of InGaN alloys FA Ponce, S Srinivasan, A Bell, L Geng, R Liu, M Stevens, J Cai, H Omiya, ... physica status solidi (b) 240 (2), 273-284, 2003	207	2003
Initial stages of epitaxial growth of GaAs on (100) silicon DK Biegelsen, FA Ponce, AJ Smith, JC Tramontana Journal of applied physics 61 (5), 1856-1859, 1987	195	1987
Crystalline structure of AlGaN epitaxy on sapphire using AlN buffer layers FA Ponce, JS Major Jr, WE Plano, DF Welch Applied physics letters 65 (18), 2302-2304, 1994	186	1994

El sistema no puede realizar la operación en estos momentos. Inténtalo de nuevo más tarde.

Artículos 1–20

Citas por año

Citas duplicadas

Citas combinadas

Añadir coautoresCoautores

Seguir

Citado por

Coautores