H Aruni Fonseka

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Coautores

Huiyun LiuProfessor of Semiconductor Photonics, University College LondonDirección de correo verificada de ucl.ac.uk
H Hoe TanProfessor, The Australian National UniversityDirección de correo verificada de anu.edu.au
Chennupati JagadishAustralian National UniversityDirección de correo verificada de anu.edu.au
Marta De LucaPhysics department, University of BaselDirección de correo verificada de unibas.ch
Patrick ParkinsonUniversity of ManchesterDirección de correo verificada de manchester.ac.uk
Martin AagesenCEO Gasp Solar ApSDirección de correo verificada de gaspsolar.com
Davide TedeschiEnea "Casaccia Research Center"Dirección de correo verificada de enea.it
Philippe CaroffExecutive director @EPFL’s Center for Quantum Science and Engineering (QSE)Dirección de correo verificada de epfl.ch
Qiang (Michael) GaoFellow, Dept Electronic Materials Engineering, The Australian National UniversityDirección de correo verificada de anu.edu.au
Attilio ZilliPolitecnico di MilanoDirección de correo verificada de polimi.it
Yanan GuoSamsung Austin SemiconductorDirección de correo verificada de samsung.com
Faustino MartelliIstituto per la Microelettronica e i Microsistemi del Consiglio Nazionale delle RicercheDirección de correo verificada de cnr.it
suriati paimanAustralian National University, Universiti Putra MalaysiaDirección de correo verificada de upm.edu.my
Peter ChristianenDirección de correo verificada de science.ru.nl
Michele B. RotaSapienza University of RomeDirección de correo verificada de uniroma1.it
Silvia RubiniCNRDirección de correo verificada de iom.cnr.it
Qian GaoPhD student, Department of Electronic Materials Engineering, Australian National UniversityDirección de correo verificada de anu.edu.au
Leigh Morris SmithUniversity of CincinnatiDirección de correo verificada de uc.edu
Michael JohnstonProfessor of Physics, University of OxfordDirección de correo verificada de physics.ox.ac.uk
Fan WangProfessor | School of Physics | Beihang UniversityDirección de correo verificada de buaa.edu.cn

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H Aruni Fonseka

Department of Physics, University of Warwick

Dirección de correo verificada de warwick.ac.uk


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Nanowires grown on InP (100): growth directions, facets, crystal structures, and relative yield control HA Fonseka, P Caroff, J Wong-Leung, AS Ameruddin, HH Tan, ... ACS nano 8 (7), 6945-6954, 2014	71	2014
Bandgap energy of wurtzite InAs nanowires MB Rota, AS Ameruddin, HA Fonseka, Q Gao, F Mura, A Polimeni, ... Nano letters 16 (8), 5197-5203, 2016	66	2016
Temperature dependence of interband transitions in wurtzite InP nanowires A Zilli, M De Luca, D Tedeschi, HA Fonseka, A Miriametro, HH Tan, ... ACS nano 9 (4), 4277-4287, 2015	55	2015
Long-lived hot carriers in III–V nanowires D Tedeschi, M De Luca, HA Fonseka, Q Gao, F Mura, HH Tan, S Rubini, ... Nano Letters 16 (5), 3085-3093, 2016	53	2016
Polarized light absorption in wurtzite InP nanowire ensembles M De Luca, A Zilli, HA Fonseka, S Mokkapati, A Miriametro, HH Tan, ... Nano letters 15 (2), 998-1005, 2015	52	2015
InxGa1− xAs nanowires with uniform composition, pure wurtzite crystal phase and taper-free morphology AS Ameruddin, HA Fonseka, P Caroff, J Wong-Leung, RLMO het Veld, ... Nanotechnology 26 (20), 205604, 2015	48	2015
Heterostructure and Q-factor engineering for low-threshold and persistent nanowire lasing S Skalsky, Y Zhang, JA Alanis, HA Fonseka, AM Sanchez, H Liu, ... Light: Science & Applications 9 (1), 43, 2020	37	2020
Growth of pure zinc-blende GaAs (P) core–shell nanowires with highly regular morphology Y Zhang, HA Fonseka, M Aagesen, JA Gott, AM Sanchez, J Wu, D Kim, ... Nano letters 17 (8), 4946-4950, 2017	30	2017
Magneto-optical properties of wurtzite-phase InP nanowires M De Luca, A Polimeni, HA Fonseka, AJ Meaney, PCM Christianen, ... Nano letters 14 (8), 4250-4256, 2014	28	2014
High vertical yield InP nanowire growth on Si (111) using a thin buffer layer HA Fonseka, HH Tan, J Wong-Leung, JH Kang, P Parkinson, C Jagadish Nanotechnology 24 (46), 465602, 2013	28	2013
Highly Strained III–V–V Coaxial Nanowire Quantum Wells with Strong Carrier Confinement Y Zhang, G Davis, HA Fonseka, A Velichko, A Gustafsson, T Godde, ... ACS nano, 2019	27	2019
Defect-free axially stacked GaAs/GaAsP nanowire quantum dots with strong carrier confinement Y Zhang, AV Velichko, HA Fonseka, P Parkinson, JA Gott, G Davis, ... Nano Letters 21 (13), 5722-5729, 2021	25	2021
Fully in situ Nb/InAs-nanowire Josephson junctions by selective-area growth and shadow evaporation P Perla, HA Fonseka, P Zellekens, R Deacon, Y Han, J Kölzer, T Mörstedt, ... Nanoscale Advances 3 (5), 1413-1421, 2021	24	2021
Stable defects in semiconductor nanowires AM Sanchez, JA Gott, HA Fonseka, Y Zhang, H Liu, R Beanland Nano Letters 18 (5), 3081-3087, 2018	24	2018
Growth and fabrication of high‐quality single nanowire devices with radial p‐i‐n junctions Y Zhang, AM Sanchez, M Aagesen, S Huo, HA Fonseka, JA Gott, D Kim, ... Small 15 (3), 1803684, 2019	21	2019
Self-formed quantum wires and dots in GaAsP–GaAsP core–shell nanowires HA Fonseka, AV Velichko, Y Zhang, JA Gott, GD Davis, R Beanland, H Liu, ... Nano letters 19 (6), 4158-4165, 2019	19	2019
Robust Protection of III–V Nanowires in Water Splitting by a Thin Compact TiO₂ Layer F Cui, Y Zhang, HA Fonseka, P Promdet, AI Channa, M Wang, X Xia, ... ACS Applied Materials & Interfaces 13 (26), 30950-30958, 2021	15	2021
InP–In x Ga 1− x As core-multi-shell nanowire quantum wells with tunable emission in the 1.3–1.55 μm wavelength range HA Fonseka, AS Ameruddin, P Caroff, D Tedeschi, M De Luca, F Mura, ... Nanoscale 9 (36), 13554-13562, 2017	15	2017
Hard-Gap Spectroscopy in a Self-Defined Mesoscopic / Nanowire Josephson Junction P Zellekens, R Deacon, P Perla, HA Fonseka, T Moerstedt, SA Hindmarsh, ... Physical review applied 14 (5), 054019, 2020	13	2020
Preferred growth direction of III–V nanowires on differently oriented Si substrates H Zeng, X Yu, HA Fonseka, G Boras, P Jurczak, T Wang, AM Sanchez, ... Nanotechnology 31 (47), 475708, 2020	12	2020

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