Wayne Johnson

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Fan RenUniversity of Florida, Bell Lab, AT&TDirección de correo verificada de che.ufl.edu
Stephen PeartonProfessor of Materials Science and Engineering, University of FloridaDirección de correo verificada de mse.ufl.edu
Edwin PinerProfessor, Texas State UniversityDirección de correo verificada de txstate.edu
Yu CaoQorvoDirección de correo verificada de qorvo.com
Brent P. GilaUniversity of FloridaDirección de correo verificada de ufl.edu
Cammy R AbernathyUniversity of FloridaDirección de correo verificada de eng.ufl.edu
Sameer SinghalDirector, CFD Research CorpDirección de correo verificada de cfdrc.com
Lu LiuUniversity of Florida, Stanford UniversityDirección de correo verificada de stanford.edu
Debdeep JenaCornell UniversityDirección de correo verificada de cornell.edu
Huili Grace XingProf. of ECE & MSE, Cornell UniversityDirección de correo verificada de cornell.edu
Andrei VescanRWTH AachenDirección de correo verificada de cst.rwth-aachen.de
Jihyun KimSeoul National UniversityDirección de correo verificada de snu.ac.kr
Patrick Fayelectrical engineering, University of Notre DameDirección de correo verificada de nd.edu
Isik KizilyalliARPA-e, U.S.Department of EnergyDirección de correo verificada de hq.doe.gov
Guowang LiGoogle, WaymoDirección de correo verificada de google.com
Jen-Inn ChyiProfessor of National Central UniversityDirección de correo verificada de ee.ncu.edu.tw
Jung HanWilliam Norton Professor of Electrical Engineering, Yale UniversityDirección de correo verificada de yale.edu
Zongyang HuElectrical and Computer Engineering, Cornell UniversityDirección de correo verificada de cornell.edu
Byung-Hwan ChuIBM, Samsung, U or FloridaDirección de correo verificada de ufl.edu
Yu-Lin WangNational Tsing Hua University, Institute of Nanoengineering and MicrosystemsDirección de correo verificada de mx.nthu.edu.tw

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12 W/mm AlGaN-GaN HFETs on silicon substrates JW Johnson, EL Piner, A Vescan, R Therrien, P Rajagopal, JC Roberts, ... IEEE Electron Device Letters 25 (7), 459-461, 2004	313	2004
Influence of MgO and passivation on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors B Luo, JW Johnson, J Kim, RM Mehandru, F Ren, BP Gila, AH Onstine, ... Applied Physics Letters 80 (9), 1661-1663, 2002	224	2002
1.9-kV AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes on silicon M Zhu, B Song, M Qi, Z Hu, K Nomoto, X Yan, Y Cao, W Johnson, E Kohn, ... IEEE Electron Device Letters 36 (4), 375-377, 2015	204	2015
Gallium nitride material devices including an electrode-defining layer and methods of forming the same JW Johnson, RJ Therrien, A Vescan, JD Brown US Patent 7,071,498, 2006	181	2006
Enzymatic glucose detection using ZnO nanorods on the gate region of AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, HT Wang, F Ren, SJ Pearton, TE Morey, DM Dennis, ... Applied Physics Letters 91 (25), 2007	178	2007
Pressure-induced changes in the conductivity of AlGaN∕ GaN high-electron mobility-transistor membranes BS Kang, S Kim, F Ren, JW Johnson, RJ Therrien, P Rajagopal, ... Applied Physics Letters 85 (14), 2962-2964, 2004	165	2004
Prostate specific antigen detection using AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, HT Wang, TP Lele, Y Tseng, F Ren, SJ Pearton, JW Johnson, ... Applied physics letters 91 (11), 2007	150	2007
Electrical detection of deoxyribonucleic acid hybridization with AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, SJ Pearton, JJ Chen, F Ren, JW Johnson, RJ Therrien, ... Applied Physics Letters 89 (12), 2006	144	2006
DC and RF performance of proton-irradiated AlGaN/GaN high electron mobility transistors B Luo, JW Johnson, F Ren, KK Allums, CR Abernathy, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 79 (14), 2196-2198, 2001	144	2001
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor JW Johnson, B Luo, F Ren, BP Gila, W Krishnamoorthy, CR Abernathy, ... Applied Physics Letters 77 (20), 3230-3232, 2000	143	2000
GaN electronics for high power, high temperature applications SJ Pearton, F Ren, AP Zhang, G Dang, XA Cao, KP Lee, H Cho, BP Gila, ... Materials Science and Engineering: B 82 (1-3), 227-231, 2001	134	2001
210-GHz InAlN/GaN HEMTs with dielectric-free passivation R Wang, G Li, O Laboutin, Y Cao, W Johnson, G Snider, P Fay, D Jena, ... IEEE electron device letters 32 (7), 892-894, 2011	132	2011
Nanowire Channel InAlN/GaN HEMTs With High Linearity ofand DS Lee, H Wang, A Hsu, M Azize, O Laboutin, Y Cao, JW Johnson, ... IEEE electron device letters 34 (8), 969-971, 2013	130	2013
Breakdown voltage and reverse recovery characteristics of free-standing GaN Schottky rectifiers JW Johnson, AP Zhang, WB Luo, F Ren, SJ Pearton, SS Park, YJ Park, ... IEEE Transactions on Electron devices 49 (1), 32-36, 2002	127	2002
Reliability of large periphery GaN-on-Si HFETs S Singhal, T Li, A Chaudhari, AW Hanson, R Therrien, JW Johnson, ... Microelectronics Reliability 46 (8), 1247-1253, 2006	125	2006
Influence of γ-rays on dc performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors B Luo, JW Johnson, F Ren, KK Allums, CR Abernathy, SJ Pearton, ... Applied physics letters 80 (4), 604-606, 2002	123	2002
Gadolinium oxide and scandium oxide: gate dielectrics for GaN MOSFETs BP Gila, JW Johnson, R Mehandru, B Luo, AH Onstine, V Krishnamoorthy, ... physica status solidi (a) 188 (1), 239-242, 2001	120	2001
Lateral power rectifiers with 9.7 kV reverse breakdown voltage AP Zhang, JW Johnson, F Ren, J Han, AY Polyakov, NB Smirnov, ... Applied Physics Letters 78 (6), 823-825, 2001	118	2001
Fast electrical detection of Hg (II) ions with AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors HT Wang, BS Kang, TF Chancellor, TP Lele, Y Tseng, F Ren, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 91 (4), 2007	114	2007
Semiconductor device-based sensors JW Johnson, EL Piner, KJ Linthicum US Patent 7,361,946, 2008	113	2008

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