Hesameddin Ilatikhameneh

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Coautores

Gerhard KlimeckProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Rajib RahmanProfessor of Physics, University of New South WalesDirección de correo verificada de unsw.edu.au
Tarek AmeenComponent Design Engineer at IntelDirección de correo verificada de intel.com
Joerg AppenzellerProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Michael PovolotskyiJacobs TechnologiesDirección de correo verificada de jacobs.com
Fan ChenSamsungDirección de correo verificada de purdue.edu
Yaohua TanUniversity of VirginiaDirección de correo verificada de purdue.edu
Zhihong ChenPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Jun Z. HuangBroadcom Inc.Dirección de correo verificada de purdue.edu
James E FonsecaPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Zhengping JiangSamsung Semiconductor Inc.Dirección de correo verificada de samsung.com
Patrick Fayelectrical engineering, University of Notre DameDirección de correo verificada de nd.edu
Harshad SahasrabudheThe MathWorks, Inc.Dirección de correo verificada de mathworks.com
Chin-Yi ChenPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Mehdi Salmani JelodarLead Data Scientist at BCG (The Boston Consulting Group)Dirección de correo verificada de bcg.com
Debdeep JenaCornell UniversityDirección de correo verificada de cornell.edu
Arvind AjoyAssociate Professor, Indian Institute of Technology PalakkadDirección de correo verificada de iitpkd.ac.in
Ramon B SalazarQualcommDirección de correo verificada de qti.qualcomm.com
Peng WU山东理工大学Dirección de correo verificada de stumail.sdut.edu.cn
Wenjun LiGlobalfoundries US Inc.Dirección de correo verificada de alumni.nd.edu

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Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Tunnel field-effect transistors in 2-D transition metal dichalcogenide materials H Ilatikhameneh, Y Tan, B Novakovic, G Klimeck, R Rahman, ... IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 1 …, 2015	251	2015
Electrically Tunable Bandgaps in Bilayer MoS₂ T Chu, H Ilatikhameneh, G Klimeck, R Rahman, Z Chen Nano letters 15 (12), 8000-8007, 2015	226	2015
Efficient and realistic device modeling from atomic detail to the nanoscale JE Fonseca, T Kubis, M Povolotskyi, B Novakovic, A Ajoy, G Hegde, ... Journal of Computational Electronics 12 (4), 592-600, 2013	124	2013
Few-layer phosphorene: An ideal 2D material for tunnel transistors TA Ameen, H Ilatikhameneh, G Klimeck, R Rahman Scientific reports 6 (1), 28515, 2016	122	2016
Understanding contact gating in Schottky barrier transistors from 2D channels A Prakash, H Ilatikhameneh, P Wu, J Appenzeller Scientific reports 7 (1), 12596, 2017	121	2017
Dielectric engineered tunnel field-effect transistor H Ilatikhameneh, TA Ameen, G Klimeck, J Appenzeller, R Rahman IEEE Electron Device Letters 36 (10), 1097-1100, 2015	110	2015
Polarization-engineered III-nitride heterojunction tunnel field-effect transistors W Li, S Sharmin, H Ilatikhameneh, R Rahman, Y Lu, J Wang, X Yan, ... IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 1 …, 2015	107	2015
Complementary black phosphorus tunneling field-effect transistors P Wu, T Ameen, H Zhang, LA Bendersky, H Ilatikhameneh, G Klimeck, ... ACS nano 13 (1), 377-385, 2018	101	2018
Optimum high-k oxide for the best performance of ultra-scaled double-gate MOSFETs M Salmani-Jelodar, H Ilatikhameneh, S Kim, K Ng, P Sarangapani, ... IEEE Transactions on Nanotechnology 15 (6), 904-910, 2016	99	2016
Saving Moore’s Law Down To 1 nm Channels With Anisotropic Effective Mass H Ilatikhameneh, T Ameen, N Bozidar, Y Tan, G Klimeck, R Rahman Scientific Reports 6 (doi:10.1038/srep31501), 31501, 2016	95	2016
Direct Observation of 2D Electrostatics and Ohmic Contacts in Template-Grown Graphene/WS₂ Heterostructures C Zheng, Q Zhang, B Weber, H Ilatikhameneh, F Chen, H Sahasrabudhe, ... ACS nano 11 (3), 2785-2793, 2017	91	2017
Thickness engineered tunnel field-effect transistors based on phosphorene FW Chen, H Ilatikhameneh, TA Ameen, G Klimeck, R Rahman IEEE Electron Device Letters 38 (1), 130-133, 2016	76	2016
Scaling theory of electrically doped 2D transistors H Ilatikhameneh, G Klimeck, J Appenzeller, R Rahman IEEE Electron Device Letters 36 (7), 726-728, 2015	53	2015
Configurable electrostatically doped high performance bilayer graphene tunnel FET FW Chen, H Ilatikhameneh, G Klimeck, Z Chen, R Rahman IEEE Journal of the Electron Devices Society 4 (3), 124-128, 2016	52	2016
From Fowler–Nordheim to nonequilibrium Green’s function modeling of tunneling H Ilatikhameneh, RB Salazar, G Klimeck, R Rahman, J Appenzeller IEEE Transactions on Electron Devices 63 (7), 2871-2878, 2016	49	2016
Can homojunction tunnel FETs scale below 10 nm? H Ilatikhameneh, G Klimeck, R Rahman IEEE Electron Device Letters 37 (1), 115-118, 2015	49*	2015
Dramatic impact of dimensionality on the electrostatics of PN junctions and its sensing and switching applications H Ilatikhameneh, T Ameen, F Chen, H Sahasrabudhe, G Klimeck, ... IEEE Transactions on Nanotechnology 17 (2), 293-298, 2018	46*	2018
Design guidelines for sub-12 nm nanowire MOSFETs M Salmani-Jelodar, SR Mehrotra, H Ilatikhameneh, G Klimeck IEEE Transactions on Nanotechnology 14 (2), 210-213, 2015	45	2015
Switching mechanism and the scalability of vertical-TFETs F Chen, H Ilatikhameneh, Y Tan, G Klimeck, R Rahman IEEE Transactions on Electron Devices 65 (7), 3065-3068, 2018	43	2018
A predictive analytic model for high-performance tunneling field-effect transistors approaching non-equilibrium Green's function simulations RB Salazar, H Ilatikhameneh, R Rahman, G Klimeck, J Appenzeller Journal of Applied Physics 118 (16), 2015	41	2015

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