James W Pomeroy

James W Pomeroy

University of Bristol
Dirección de correo verificada de bristol.ac.uk
Citado por 4895
Thermography Raman GaN HEMT Reliability Diamond
Meng Zhang

Meng Zhang

Xidian University
Dirección de correo verificada de xidian.edu.cn
Citado por 1957
Gallium Nitride RF device power electronics GaN HEMT
Dr. Deepak Kumar Panda

Dr. Deepak Kumar Panda

Associate Professor in ECE, Amrita Vishwa Vidyapeetham, Amaravati Campus
Dirección de correo verificada de av.amrita.edu
Citado por 1185
Biosensor TFET GaN HEMT Compact device model development Solar Cell Design
Indranil Chatterjee

Indranil Chatterjee

Airbus eXpert - Semiconductor Devices, Airbus
Dirección de correo verificada de airbus.com
Citado por 1144
Semiconductor Devices Radiation Effects Reliability Physics GaN HEMT
Arivazhagan L

Arivazhagan L

RA @ University of Sharjah, UAE
Dirección de correo verificada de srec.ac.in
Citado por 1066
Device Modeling Trap Analysis Small Signal Modeling GaN HEMT
Nethaji Dharmarasu

Nethaji Dharmarasu

Principal Research Scientist, Temasek Laboratories@NTU, Singapore
Dirección de correo verificada de ntu.edu.sg
Citado por 976
GaN HEMT MOCVD MBE
Xiangdong Li (李祥东)

Xiangdong Li (李祥东)

Xidian University, imec, KU Leuven
Dirección de correo verificada de xidian.edu.cn
Citado por 909
GaN HEMT Reliability Power IC
June Sik Kwak

June Sik Kwak

Director, RFHIC Inc.
Dirección de correo verificada de rfhic.com
Citado por 588
WBG device GaN HEMT
Manikant

Manikant

Senior Product Development Manager (GaN)
Dirección de correo verificada de nexperia.com
Citado por 487
GAN HEMT Reliability Wide bandgap semiconductor
Nitin Goyal

Nitin Goyal

Infineon Technologies AG
Dirección de correo verificada de infineon.com
Citado por 468
GaN HEMT GaN heterostructures III-V nitrides
1 - 10