Perfiles

Markus Weyers

Dept. Head Materials Technology, Ferdinand-Braun-Institut

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AlGaN MOVPE GaAs VCSELs

zhancang wang

Ericsson

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RF RFIC CMOS GaN GaAs

RP Schneider

Google or Raxium or Sandia or Infinera or Agilent or Hewlett Packard or HP or Northwestern

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Compound Semiconductor Materials and … InP GaAs)

Pierre Lefebvre

Directeur de Recherche CNRS. Physics. Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Université de …

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Excitons Nano GaN ZnO GaAs

Geoff Gardner

Microsoft Research & Purdue University

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MBE growth materials for quantum computing GaAs InAs 2DEG

Subhananda (Subho) Chakrabarti

Professor, Indian Institute of Technology Bombay

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Materials Semiconductors GaAs InAs ZnO

Haiqun Zheng, HQ Zheng, Zheng HQ

Nanyang Technological University

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Semiconductors MBE GaAs AlGaAs InP

Servin Rathi

Research Fellow

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2D Transport GaAs Graphene … Vanadium dioxide thin-films and nanowires HEMTs Modeling- Fab.-Me

Nikolay Ledentsov Jr.

Head of Characterization, EPIGAP OSA GmbH

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VCSEL LED GaN GaAs Optoelectronics

Riyaz Abdul Khadar

R&D Engineer, Coherent Corp.

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Semiconductor device physics High power devices GaN High power lasers GaAs

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