Mengwei Si（司梦维）

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2019
Παραθέσεις	7847	6412
h-index	42	39
i10-index	103	93

1500

750

375

1125

20132014201520162017201820192020202120222023202420 110 172 266 345 477 609 683 991 1246 1381 1483

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

60 άρθρα

27 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Peide YeRichard J. and Mary Jo Schwartz Professor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Gang QiuUniversity of MinnesotaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα g.ucla.edu
Adam CharnasAir Force Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Hong ZhouXidian UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα xidian.edu.cn
Haiyan WangPurdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Muhammad Ashraful AlamJai N. Gupta Distinguished Professor of Electrical Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Xiao LyuPurdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Pai-Ying LiaoPurdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Yuchen DuGlobalFoundiresΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα globalfoundries.com
Ali ShakouriProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Wenzhuo Wu (武文倬)School of IE; Flex Lab; Birck Nanotechnology Center; Purdue Quantum Science&Engineering InstituteΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Wonil ChungIntel CorporationΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα intel.com
Chang NiuPurdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Heng WuPurdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Jing-Kai Qin （秦敬凯）Harbin Institute of Technology (Shenzhen), Purdue University, The Hong Kong Polytechnic UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα hit.edu.cn
Jinhyun NohTexas InstrumentsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ti.com
LINGMING YANGPurdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Sami AlghamdiAssociate Professor at King Abdulaziz University - PhD, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kau.edu.sa
Adam T. NealAir Force Research LabΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα us.af.mil
Sumeet GuptaSchool of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu

Παρακολούθηση

Mengwei Si（司梦维）

Shanghai Jiao Tong University

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα sjtu.edu.cn - Αρχική σελίδα

semiconductor devices oxide semiconductors ferroelectrics nano-electronics atomic layer deposition


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Steep-slope hysteresis-free negative capacitance MoS2 transistors M Si, CJ Su, C Jiang, NJ Conrad, H Zhou, KD Maize, G Qiu, CT Wu, ... Nature Nanotechnology 13 (1), 24-28, 2017	535	2017
A ferroelectric semiconductor field-effect transistor M Si, AK Saha, S Gao, G Qiu, J Qin, Y Duan, J Jian, C Niu, H Wang, W Wu, ... Nature Electronics 2 (12), 580-586, 2019	471	2019
Statistical Study of Deep Sub-Micron Dual-Gated Field-Effect Transistors on Monolayer CVD Molybdenum Disulfide Films H Liu, M Si, S Najmaei, AT Neal, Y Du, PM Ajayan, J Lou, PD Ye Nano Letters 13 (6), 2640-2646, 2013	401*	2013
Ultra-wide bandgap semiconductor Ga₂O₃ power diodes J Zhang, P Dong, K Dang, Y Zhang, Q Yan, H Xiang, J Su, Z Liu, M Si, ... Nature communications 13 (1), 3900, 2022	356	2022
One-dimensional van der Waals material tellurium: Raman spectroscopy under strain and magneto-transport Y Du, G Qiu, Y Wang, M Si, X Xu, W Wu, PD Ye Nano letters 17 (6), 3965-3973, 2017	348	2017
Ferroelectric Field-Effect Transistors Based on MoS2 and CuInP2S6 Two-Dimensional Van der Waals Heterostructure M Si, PY Liao, G Qiu, Y Duan, PD Ye ACS nano 12 (7), 6700–6705, 2018	323	2018
High-Performance Depletion/Enhancement-ode -Ga2O3 on Insulator (GOOI) Field-Effect Transistors With Record Drain Currents of 600/450 mA/mm H Zhou, M Si, S Alghamdi, G Qiu, L Yang, DY Peide IEEE Electron Device Letters 38 (1), 103-106, 2016	318	2016
Molecular Doping of Multilayer MoS₂ Field-Effect Transistors: Reduction in Sheet and Contact Resistances Y Du, H Liu, AT Neal, M Si, PD Ye IEEE Electron Device Letters 34 (10), 1328 - 1330, 2013	302	2013
Switching mechanism in single-layer molybdenum disulfide transistors: an insight into current flow across Schottky barriers H Liu, M Si, Y Deng, AT Neal, Y Du, S Najmaei, PM Ajayan, J Lou, PD Ye ACS Nano 8 (1), 1031-1038, 2014	288	2014
A critical review of recent progress on negative capacitance field-effect transistors MA Alam, M Si, PD Ye Applied Physics Letters 114 (9), 2019	211	2019
The Effect of Dielectric Capping on Few-Layer Phosphorene Transistors: Tuning the Schottky Barrier Heights H Liu, AT Neal, M Si, Y Du, PD Ye IEEE Electron Device Letters 35 (7), 795 - 797, 2014	201	2014
Raman response and transport properties of tellurium atomic chains encapsulated in nanotubes JK Qin, PY Liao, M Si, S Gao, G Qiu, J Jian, Q Wang, SQ Zhang, S Huang, ... Nature electronics 3 (3), 141-147, 2020	168	2020
Scaled indium oxide transistors fabricated using atomic layer deposition M Si, Z Lin, Z Chen, X Sun, H Wang, PD Ye Nature Electronics 5 (3), 164-170, 2022	160	2022
Al2O3/ -Ga2O3(-201) Interface Improvement Through Piranha Pretreatment and Postdeposition Annealing H Zhou, S Alghmadi, M Si, G Qiu, DY Peide IEEE Electron Device Letters 37 (11), 1411-1414, 2016	148	2016
Why In₂O₃ Can Make 0.7 nm Atomic Layer Thin Transistors M Si, Y Hu, Z Lin, X Sun, A Charnas, D Zheng, X Lyu, H Wang, K Cho, ... Nano Letters 21 (1), 500-506, 2020	147	2020
Steep-Slope WSe2 Negative Capacitance Field-Effect Transistor M Si, C Jiang, W Chung, Y Du, MA Alam, PD Ye Nano letters 18 (8), 3682–3687, 2018	127	2018
Performance Potential and Limit of MoS₂ Transistors X Li, L Yang, M Si, S Li, M Huang, P Ye, Y Wu Advanced Materials 27 (9), 1547-1552, 2015	113	2015
Ultrafast measurements of polarization switching dynamics on ferroelectric and anti-ferroelectric hafnium zirconium oxide M Si, X Lyu, PR Shrestha, X Sun, H Wang, KP Cheung, PD Ye Applied Physics Letters 115 (7), 2019	102	2019
Ferroelectric Polarization Switching of Hafnium Zirconium Oxide in Ferroelectric/Dielectric Stack M Si, X Lyu, PD Ye ACS Appl. Electron. Mater. 1 (5), 745-751, 2019	101	2019
Quantum Hall effect of Weyl fermions in n-type semiconducting tellurene G Qiu, C Niu, Y Wang, M Si, Z Zhang, W Wu, PD Ye Nature Nanotechnology 15 (7), 585-591, 2020	99	2020

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς